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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF3415S	-	RFQ	6790	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3415S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRG4BC20UD	-	RFQ	9352	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20UD	Ear99	8541.29.0095	50				480V，6.5a，50ohm，15V																37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4BC30F	-	RFQ	2283	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30F	Ear99	8541.29.0095	50				480V，17a，23ohm，15V																					-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
IRG4PC50U	-	RFQ	3734	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		200 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				480V，27a，5ohm，15V																					-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（120µJ）（在540µJ上）	180 NC	32NS/170NS
IRG4BC20F	-	RFQ	4982	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20F	Ear99	8541.29.0095	50				480V，9a，50ohm，15V																					-	600 v	16 a	64 a	2V @ 15V，9a	（70µJ）（在600µJ上）	27 NC	24NS/190NS
IRL5602S	-	RFQ	7966	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道					20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRF7821TR	-	RFQ	5034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFR3707Z	-	RFQ	4183	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR3707Z	Ear99	8541.29.0095	75			n通道					30 V	56A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	50W（TC）
IRF7492	-	RFQ	3399	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道					200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
SPU09P06PL	-	RFQ	4232	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SPU09P		MOSFET （金属 o化物）		P-TO251-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			P通道					60 V	9.7a（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.8a，10v	2V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SPD07N60C3BTMA1	-	RFQ	6640	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD07N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPB35N10	-	RFQ	8807	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB35N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	35A（TC）	10V	44mohm @ 26.4a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BSS223PW L6327	-	RFQ	4396	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	390mA（ta）	2.5V，4.5V	1.2OHM @ 390mA，4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62 NC @ 4.5 V	±12V	56 pf @ 15 V	-	250MW（TA）
BSV236SP L6327	-	RFQ	2057	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363				MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	175MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 8µA	5.7 NC @ 4.5 V	±12V	228 pf @ 15 V	-	560MW（TA）
IPB05N03LA	-	RFQ	4246	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB05N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					25 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 55a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
SPP73N03S2L08XK	-	RFQ	4281	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP73N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					30 V	73A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 36a，10v	2V @ 55µA	46.2 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
SPW21N50C3FKSA1	-	RFQ	5618	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SPW21N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道					560 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
SPP100N03S2L-03	-	RFQ	2761	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP100N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SPP100N03S2L-03in	Ear99	8541.29.0095	500			n通道					30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPU06N03LAGXK	-	RFQ	3154	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU06N		MOSFET （金属 o化物）		P-TO251-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 30a，10V	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W（TC）
SDT04S60	-	RFQ	7268	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2		SDT04S		SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																600 v	1.9 V @ 4 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	150pf @ 0v，1MHz
SPA04N50C3XKSA1	-	RFQ	5317	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SPA04N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	31W（TC）
SPA21N50C3XKSA1	-	RFQ	5076	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SPA21N50		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					560 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	34.5W（TC）
SPA04N60C3XKSA1	-	RFQ	5002	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SPA04N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	31W（TC）
SPP08N80C3XKSA1	2.9900	RFQ	8291	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP08N80		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 5.1A，10V	3.9V @ 470µA	60 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
irfr4105ztrl	-	RFQ	9090	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRLR7843Tr	-	RFQ	3462	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRAMS10UP60B	-	RFQ	7173	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期				10 a	600 v	2000vrms
IRF3709ZSTRR	-	RFQ	3499	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	87A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）
IRF3717	-	RFQ	10000	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道					20 v	20A（TA）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2.45V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±20V	2890 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF3711Z	-	RFQ	2401	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3711Z	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²