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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRFS17N20DTRR	-	RFQ	2682	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRG4BC15UD-STRL	-	RFQ	3556	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC15UDSTRL	Ear99	8541.29.0095	800			480V，7.8a，75ohm，15V															28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRG4BC20UD-STRR	-	RFQ	5346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC20UDSTRR	Ear99	8541.29.0095	800			480V，6.5a，50ohm，15V															37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4RC20FTR	-	RFQ	5657	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20F	标准		66 W	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			480V，12A，50OHM，15V																				-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
IRL3715TR	-	RFQ	8766	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRLR3715TR	-	RFQ	1588年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRFC2604B	-	RFQ	9136	Infineon技术	-		过时的		表面安装	-			-		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-			-		-	-				-	-
BSP129E6327	-	RFQ	6584	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BSP295E6327	-	RFQ	1323	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP296E6327	-	RFQ	4941	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	700MOHM @ 1.1A，10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
BUP213	-	RFQ	8909	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	bup2	标准		200 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	bup213in	Ear99	8541.29.0095	50			600V，15a，82ohm，15V																				-	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	-		70NS/400NS
SPP20N60S5	-	RFQ	1909年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP20N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	20A（TC）	10V	190MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	208W（TC）
BAV170E6327HTSA1	0.4300	RFQ	41	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV170		标准		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）
BB833E6327HTSA1	-	RFQ	7945	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB833				PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																						0.9pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V	12.4	C1/C28	-
SMBD7000E6327HTSA1	0.4500	RFQ	73	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBD7000		标准		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对系列连接	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 100 V	150°C （最大）
SMBD914E6327HTSA1	0.4000	RFQ	64	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBD914		标准		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BAS4005E6327HTSA1	0.4200	RFQ	6449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4005		肖特基		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BAS4006E6327HTSA1	0.4200	RFQ	23	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4006		肖特基		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
IRF6601	-	RFQ	4777	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道		20 v	26A（26A），85A （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 26a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	3440 pf @ 15 V	-	3.6W（ta），42W（（（TC）
irll2705tr	-	RFQ	8327	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	3.8A（TA）		40mohm @ 3.8A，10V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V		870 pf @ 25 V	-
IRGBC30UD2	-	RFQ	8046	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							-	600 v	23 a		3V @ 15V，12A
IRGBC20FD2	-	RFQ	3298	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3		标准			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							-	600 v	16 a		-
IRGPC50UD2	-	RFQ	7003	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	600 v	55 a		3V @ 15V，27a
IRGPC40FD2	-	RFQ	9901	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	600 v	49 a		2V @ 15V，27a
irgph50f	-	RFQ	2524	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	1200 v	45 a		2.9V @ 15V，25a
IRGPH40F	-	RFQ	2712	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	1200 v	29 a		3.3V @ 15V，17a
IRGPC50U	-	RFQ	5961	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	600 v	55 a		3V @ 15V，27a
IRGPC40S	-	RFQ	3023	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																							-	600 v	50 a		1.8V @ 15V，31a
IRGBC20U	-	RFQ	2661	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							-	600 v	13 a		3V @ 15V，6.5a
IRF7201	-	RFQ	5155	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7201	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	7.3A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 7.3a，10v	1V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²