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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFR1205TRR	-	RFQ	8149	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRFR18N15DTRL	-	RFQ	1076	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR18N15DTR	-	RFQ	4188	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR3103Trr	-	RFQ	7563	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		400 v	1.7A（TA）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR3303Trl	-	RFQ	1036	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4737	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRFR4105TR	-	RFQ	7337	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFR5305TRR	-	RFQ	7925	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFS31N20DTRL	-	RFQ	7106	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
IRG4BC20U-S	-	RFQ	3417	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20U-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，6.5a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	52 a	2V @ 15V，9a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
IRG4BC30FD-S	-	RFQ	5962	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30FD-S	Ear99	8541.29.0095	50			480V，17a，23ohm，15V											42 ns	-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
IRG4BC30W-STRL	-	RFQ	7629	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30W-S	标准		100 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRG4PC20U	-	RFQ	8321	Infineon技术	-	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC20	标准		60 W	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC20U	Ear99	8541.29.0095	25			480V，6.5a，50ohm，15V												-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
IRG4RC10KTRR	-	RFQ	6736	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10K	标准		38 w	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			480V，5A，100OHM，15V												-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
IRL2203NSTRR	-	RFQ	8315	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IRL3502STRR	-	RFQ	4057	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRL3705NSTRR	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	89A（TC）	4V，10V	10mohm @ 46a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IRL540NSTRR	-	RFQ	9121	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
irlr2703trr	-	RFQ	1579年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	23A（TC）	4V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRLMS2002TR	-	RFQ	9526	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™（SOT23-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	6.5A（TA）		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V		1310 pf @ 15 V	-
IRF7241	-	RFQ	9448	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRLR3715	-	RFQ	3014	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLR3715	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRL3715	-	RFQ	9062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRF5800	-	RFQ	8079	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道		30 V	4A（ta）	4.5V，10V	85MOHM @ 4A，10V	1V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	535 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRF5851	-	RFQ	8034	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58		MOSFET （金属 o化物）	960MW	6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100	n和p通道			20V	2.7a，2.2a		90MOHM @ 2.7a，4.5V	1.25V @ 250µA	6NC @ 4.5V		400pf @ 15V	逻辑级别门
IRF5803D2	-	RFQ	5941	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRG4RC20F	-	RFQ	2593	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20F	标准		66 W	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4RC20F	Ear99	8541.29.0095	75			480V，12A，50OHM，15V												-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
IRG4BC15UD	-	RFQ	7709	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC15	标准		49 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC15UD	Ear99	8541.29.0095	50			480V，7.8a，75ohm，15V											28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRFZ48VS	-	RFQ	9189	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF7453	-	RFQ	6612	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7453	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		250 v	2.2A（ta）	10V	230MOHM @ 1.3A，10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF3711	-	RFQ	7631	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3711	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²