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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IPS70N10S3L-12	-	RFQ	4012	Infineon技术	-	管子	过时的				IPS70N						-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000698190	Ear99	8541.29.0095	1,500						-
AUXHMF1404ZSTRL	-	RFQ	5271	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518892	Ear99	8541.29.0095	1,000						-
T2001N34TOFXPSA1	-	RFQ	4305	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T2001N				单身的		下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000091273	Ear99	8541.30.0080	1			350 MA												3.6 kV	29900 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	1900 a		1 scr
SPD50P03LGXT	-	RFQ	2208	Infineon技术	Optimos®-P	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	SPD50P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-5	-		3（168））	到达不受影响	SP000086729	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	6880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IPI045N10N3GXK	-	RFQ	8782	Infineon技术	Optimos™3	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI045N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	-		3（168））	到达不受影响	SP000482424	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			100 v	137a（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（
IRFB4228PBF	4.4500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4228		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道			150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	4530 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRFSL3306PBF	2.6400	RFQ	1978年	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL3306		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRFSL4321PBF	-	RFQ	5953	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001550194	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRFS4321pbf	-	RFQ	8134	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRFS4228pbf	3.5400	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571734	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	4530 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRFS3307ZPBF	-	RFQ	5803	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRLH7134TRPBF	-	RFQ	9117	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			40 V	26A（26A），85A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	58 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRFTS9342TRPBF	0.5800	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRFTS9342		MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	40mohm @ 5.8A，10V	2.4V @ 25µA	12 nc @ 10 V	±20V	595 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRFH7107TR2PBF	-	RFQ	9544	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道			75 v	（14a）（ta），75a（tc）		8.5MOHM @ 45A，10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V		3110 PF @ 25 V	-
IRGPS4067DPBF	-	RFQ	2178	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		750 w		SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536538	Ear99	8541.29.0095	25				400V，120A，4.7OHM，15V																	130 ns		沟	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，3.43mj off）	240 NC	80NS/190NS
IRFHM792TR2PBF	-	RFQ	4705	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn	IRFHM792		MOSFET （金属 o化物）	2.3W		8-pqfn二（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	2 n 通道（双）				100V	2.3a		195MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 10µA	6.3nc @ 10V		251pf @ 25V	-
auirlr2703trl	-	RFQ	6887	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2703		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521330	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	20A（TC）		45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V		450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
Auirlr2905ztrl	1.2223	RFQ	4745	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2905		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519942	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			55 v	42A（TC）		13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF6708S2TRPBF	-	RFQ	6254	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			30 V	13A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 13A，10V	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），20W（20W）（TC）
IRF6728MTR1PBF	-	RFQ	2872	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	（23A）（TA），140a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 23A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4110 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），75W（tc）
IRF6728MTRPBF	-	RFQ	4208	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001530842	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			30 V	（23A）（TA），140a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 23A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4110 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），75W（tc）
IRF9332PBF	-	RFQ	8257	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563824	Ear99	8541.29.0095	95		P通道			30 V	9.8A（ta）	4.5V，10V	17.5MOHM @ 9.8A，10V	2.4V @ 25µA	41 NC @ 10 V	±20V	1270 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF9332TRPBF	0.8000	RFQ	469	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9332		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道			30 V	9.8A（ta）	4.5V，10V	17.5MOHM @ 9.8A，10V	2.4V @ 25µA	41 NC @ 10 V	±20V	1270 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF9358PBF	-	RFQ	4534	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9358		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				30V	9.2a		16.3mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38nc @ 10V		1740pf @ 25V	逻辑级别门
IRF9358TRPBF	1.3800	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9358		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）				30V	9.2a		16.3mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38nc @ 10V		1740pf @ 25V	逻辑级别门
IRF9395MTRPBF	-	RFQ	4892	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MC	IRF9395		MOSFET （金属 o化物）	2.1W		DirectFet™MC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566526	Ear99	8541.29.0095	4,800	2（p 通道（双）				30V	14a		7mohm @ 14a，10v	2.4V @ 50µA	64NC @ 10V		3241pf @ 15V	逻辑级别门
IRFI4110GPBF	4.0000	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI4110		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	72A（TC）	10V	4.5MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	9540 pf @ 50 V	-	61W（TC）
IRFS4410ZTRLPBF	2.9100	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRGP4066-EPBF	-	RFQ	3725	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540800	Ear99	8541.29.0095	25				400V，75A，10欧姆，15V																			沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²