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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
IDV30E60C	-	RFQ	4131	Infineon技术	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包	IDV30E60			标准		pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		600 v	2.05 V @ 30 A	130 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	21a	-
IPA60R450E6XKSA1	-	RFQ	2039	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						600 v	9.2A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 100 V	-	30W（TC）
IPA60R750E6XKSA1	-	RFQ	1997	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R750			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	27W（TC）
IPA65R280E6XKSA1	3.2100	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R280			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IPD65R600E6BTMA1	-	RFQ	6848	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPP60R750E6XKSA1	-	RFQ	7654	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IPW65R280E6FKSA1	-	RFQ	3088	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道						650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
PTFA071701EV4R250XTMA1	-	RFQ	6014	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA071701		765MHz	ldmos		H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0095	250				-		900 MA	150W	18.7dB											-																30 V
PTFA072401ELV4R250XTMA1	-	RFQ	1710	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-33288-2			765MHz	ldmos		H-33288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0095	250				-		1.8 a	220W	19db											-																30 V
PTFA211801EV5XWSA1	-	RFQ	4696	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA211801		2.14GHz	ldmos		H-36260-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0095	35				-		1.2 a	140W	15.5db											-																28 V
PTFB191501EV1R250XTMA1	-	RFQ	4823	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFB191501		1.99GHz	ldmos		H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0095	250				-		1.2 a	150W	18db											-																30 V
IRFML8244TRPBF	0.4400	RFQ	65	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRFML8244			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						25 v	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 5.8A，10V	2.35V @ 10µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IRF3515S	-	RFQ	5185	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2260 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRF5210STRR	-	RFQ	3312	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道						100 v	40a（TC）	10V	60mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7353D1	-	RFQ	5136	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7353D1	Ear99	8541.29.0095	95			n通道						30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	32MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRF7807D1	-	RFQ	1194	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道						30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TC）
IRF7807Tr	-	RFQ	9002	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001556108	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IRF7811	-	RFQ	4196	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道						28 V	14A（TA）	4.5V	11mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 5 V	±12V	1800 pf @ 16 V	-	3.5W（TA）
IRF7501TR	-	RFQ	7557	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7501			MOSFET （金属 o化物）	1.25W	Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）								20V	2.4a		135mohm @ 1.7A，4.5V	700MV @ 250µA	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	逻辑级别门
IRF7663Tr	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						20 v	8.2a（ta）		20mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	45 NC @ 5 V		2520 PF @ 10 V	-
IRFU9120N	-	RFQ	5596	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道						100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFZ444 ESTRR	-	RFQ	6946	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFZ44NL	-	RFQ	5428	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44NL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRG4BC20	-	RFQ	3400	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20	Ear99	8541.29.0095	50					480V，10a，50ohm，15V																						-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
92-0065	-	RFQ	7957	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC	标准			160 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																											-	600 v	60 a		1.5V @ 15V，31a
IRG4PC40K	-	RFQ	2045	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			160 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC40K	Ear99	8541.29.0095	25					480V，25a，10ohm，15V																						-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRG4PH40K	-	RFQ	5876	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			160 w	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					960V，15a，10ohm，15V																						-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	（730µJ）（在），1.66mj（（）	94 NC	30NS/200NS
IRL3302S	-	RFQ	1467	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3302S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRG4BC20K-S	-	RFQ	2205	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			60 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20K-S	Ear99	8541.29.0095	50					480V，9a，50ohm，15V																						-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IRG4BC10	-	RFQ	1212	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			38 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC10	Ear99	8541.29.0095	50					480V，8A，100OHM，15V																						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	140µJ（在）上，2.58MJ off）	15 NC	25NS/630NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²