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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
TZ740N20KOFHPSA3	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ740N				单身的		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1		500 MA												2 kV	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 MA	819 a	1 scr
TZ500N16KOFHPSA1	212.2700	RFQ	3	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ500N16				单身的		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3		300 MA												1.6 kV	1050 a	2.2 v	17a @ 50Hz	250 MA	669 a	1 scr
TD92N1420KOFHPSA1	-	RFQ	2833	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TD92N				系列连接 -SCR/二极管		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15		200 ma												1.4 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a	1 sc，1二极管
TD92N16KOFHPSA1	143.6900	RFQ	9	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TD92N16				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15		200 ma												1.6 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a	1 sc，1二极管
TT61N16KOFKHPSA1	-	RFQ	3611	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT61N				普通阴极 -scr		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15		200 ma												1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a	2 scr
TT92N12KOFB4HPSA1	-	RFQ	7744	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TT92N12				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15		200 ma												1.2 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a	2 scr
TT162N16KOFKHPSA1	-	RFQ	9857	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT162N16				普通阴极 -scr		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8		200 ma												1.6 kV		2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a	2 scr
IPAW70R950CEXKSA1	-	RFQ	9040	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipaw70		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道			700 v	7.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	68W（TC）
IPP039N10N5AKSA1	4.0000	RFQ	3721	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP039		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			100 v	100A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.8V @ 125µA	95 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 50 V	-	188W（TC）
IPSA70R950CEAKMA1	-	RFQ	1553	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-347	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道			700 v	8.7A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	94W（TC）
IRF200P223	6.9300	RFQ	277	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF200		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道			200 v	100A（TC）	10V	11.5MOHM @ 60a，10v	4V @ 270µA	102 NC @ 10 V	±20V	5094 PF @ 50 V	-	313W（TC）
IRF300P226	9.8900	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF300		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道			300 v	100A（TC）	10V	19mohm @ 45a，10v	4V @ 270µA	191 NC @ 10 V	±20V	10030 PF @ 50 V	-	556W（TC）
IAUT300N08S5N012ATMA2	7.1000	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT300		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道			80 V	300A（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IDP23013XUMA1	2.2834	RFQ	3678	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IDP23013						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001600872		0000.00.0000	2,500
IPB020N10N5LFATMA1	8.4300	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB020		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	120A（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4.1V @ 270µA	195 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 50 V	-	313W（TC）
IPB033N10N5LFATMA1	6.8900	RFQ	6328	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB033		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	120A（TC）	10V	3.3MOHM @ 100A，10V	4.1V @ 150µA	102 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 50 V	-	179W（TC）
IPB110N20N3LFATMA1	9.7000	RFQ	5194	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB110		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			200 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 88a，10v	4.2V @ 260µA	76 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 100 V	-	250W（TC）
IPC100N04S5L2R6ATMA1	1.5100	RFQ	3751	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 50a，10v	2V @ 30µA	55 NC @ 10 V	±16V	2925 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IPD033N06NATMA1	2.3300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD033		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			60 V	90A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 90A，10V	3.3V @ 50µA	44 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 30 V	-	107W（TC）
AIGW40N65F5XKSA1	6.7400	RFQ	190	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW40	标准		250 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V																		沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	RFQ	4358	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ100	标准		714 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，3.6ONM，15V																		沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
AIKW20N60CTXKSA1	6.5600	RFQ	4944	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw20	标准		166 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346790	Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，12OHM，15V																		沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	（310µJ）（在460µJ上）	120 NC	18NS/199N
AIKW40N65DF5XKSA1	9.8400	RFQ	6011	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Aikw40	标准		250 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V																		沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
AIKW50N60CTXKSA1	10.2500	RFQ	9147	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		333 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，7ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		270 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V																		沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
AIKW50N65DH5XKSA1	11.1100	RFQ	7873	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		270 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V																		沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
AIKW75N60CTXKSA1	13.1600	RFQ	3220	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw75	标准		428 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，5OHM，15V																		沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2MJ（在）上，2.5MJ（OFF）	470 NC	33ns/330n
IKA10N65ET6XKSA1	-	RFQ	1714年	Infineon技术	-	管子	积极的				IKA10N65						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001639786		0000.00.0000	500
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ40N120	标准		500 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，12ohm，15V																		-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
IKQ50N120CH3XKSA1	12.6600	RFQ	237	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ50N120	标准		652 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50a，10ohm，15V																		-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	3MJ（在）上，1.9MJ（OFF）	235 NC	34NS/297NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²