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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPLK70R750P7ATMA1	1.3100	RFQ	3018	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK70		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				700 v	-	-	-	-		-		-	-
BFS 469L6 E6327	-	RFQ	7074	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	6-XFDFN				200MW，250MW		TSLP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000						14.5db																					5V，10V	50mA，70mA												2 NPN （双）	130 @ 20mA，3v / 100 @ 5mA，3v	22GHz，9GHz	1.1db〜1.4dB @ 1.8GHz〜3GHz
PEF20470HV1.1	36.5900	RFQ	87	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		5A991C1	8542.39.0001	1
DD600S17K3B2NOSA1	922.2700	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	2独立																									-	1700 v			-							不
IKB40N65EF5ATMA1	5.0200	RFQ	8020	Infineon技术	Trenchstop™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IKB40N65	标准		250 w		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，40a，15ohm，15V																83 ns					沟渠场停止	650 v	74 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	420µJ（在）上，100µJ（OFF）	95 NC	22NS/160NS
IRF5803Tr	-	RFQ	6810	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2W（TA）
BAR6302LE6433XT	-	RFQ	5337	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）		SOD-882	BAR63					PG-TSLP-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	50,000				100 ma												250兆									0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
IPB60R099P7ATMA1	5.0500	RFQ	1589年	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 10.5a，10v	4V @ 530µA	45 NC @ 10 V	±20V	1952 PF @ 400 V	-	117W（TC）
FP50R12W2T7PBPSA1	84.1750	RFQ	2139	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器																									沟渠场停止	1200 v	50 a		1.6V @ 15V，35a						5 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
SIDC14D60C8X1SA2	-	RFQ	2402	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC14D60		标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																600 v		1.9 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	50a	-
IPP60R120C7XKSA1	5.5100	RFQ	486	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	19a（tc）	10V	120MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 390µA	34 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 400 V	-	92W（TC）
IRG7PH35UD1-EP	-	RFQ	5091	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH35	标准		179 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541578	Ear99	8541.29.0095	25					600V，20a，10ohm，15V																					沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
IRG5K50FF06E	-	RFQ	2440	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir Eco 2™模块	IRG5K50			245 w	标准	Powir Eco 2™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	三相逆变器																									-	600 v	100 a		2.1V @ 15V，50a						1 MA	是的	3 nf @ 25 V
IRFB4229pbf	4.2100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4229		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				250 v	46A（TC）	10V	46mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRFS4620TRLPBF	2.4900	RFQ	32	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFS4620		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
DD171N18KHPSA1	-	RFQ	9406	Infineon技术	DD171N	大部分	过时的		底盘安装	模块	DD171N18		标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1对普通阴极	1800 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
IPD90N04S405ATMA1	1.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				40 V	86A（TC）	10V	5.2MOHM @ 86A，10V	4V @ 30µA	37 NC @ 10 V	±20V	2960 pf @ 25 V	-	65W（TC）
IPI50R299CPXKSA1	-	RFQ	5899	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	9954	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573484	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRGIB4615DPBF	-	RFQ	1806年	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3完整包		标准				TO-220FP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542156	Ear99	8541.29.0095	500					-																					-	600 v	15 a		-	145µJ（在）上，70µJ（OFF）		-
SIGC28T65EX1SA1	-	RFQ	2052	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					-																					沟渠场停止	650 v	50 a	150 a	1.77V @ 15V，50a	-		-
BSC112N06LDATMA1	1.7900	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC112		MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）		PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						60V	20A（TC）		11.2Mohm @ 17a，10v	2.2V @ 28µA	55nc @ 10V		4020pf @ 30V	逻辑级别门
BFR360FH6327XTSA1	0.5000	RFQ	68	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BFR360			210MW		PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						15.5db																					9V	35mA												NPN	90 @ 15mA，3v	14GHz	1dB @ 1.8GHz
BSD816SNL6327	-	RFQ	3499	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT363-6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道				20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BF799	1.0000	RFQ	3945	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IRGP4066DPBF	-	RFQ	4313	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4066	标准		454 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					400V，75A，10欧姆，15V																155 ns					沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
DDB6U134N16RRB80BPSA1	159.9700	RFQ	15	Infineon技术	*	托盘	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15
IKP01N120H2XKSA1	-	RFQ	1612	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP01N	标准		28 W		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500					800V，1A，241OHM，15V																83 ns					-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	140µJ	8.6 NC	13NS/370NS
IPI70N10SL16AKSA1	-	RFQ	9826	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI70N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST006		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				40 V	（58A）（TA），475a （TC）	6V，10V	0.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²