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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPI120N04S302AKSA1	3.8602	RFQ	5813	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SPW32N50C3FKSA1	9.8800	RFQ	438	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW32N50		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						560 v	32A（TC）	10V	110mohm @ 20a，10v	3.9V @ 1.8mA	170 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	284W（TC）
IRFH4209DTRPBF	-	RFQ	9720	Infineon技术	fastirfet™，hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554690	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						25 v	44A（TA），260A （TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	74 NC @ 10 V	±20V	4620 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
FP50R06W2E3BOMA1	64.7000	RFQ	5951	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP50R06			175 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																									沟渠场停止	600 v	65 a	1.9V @ 15V，50a		1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
IRF6728MTRPBF	-	RFQ	4208	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001530842	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						30 V	（23A）（TA），140a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 23A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4110 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），75W（tc）
irf664444tr1pbf	-	RFQ	8973	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™Mn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
PTFA212001F1V4XWSA1	-	RFQ	4759	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.14GHz	ldmos				H-37260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000432154	过时的	0000.00.0000	1			-		1.6 a	50W	15.8db																	-						30 V
Auirfr8403trl	2.4100	RFQ	3242	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8403		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 76A，10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRF6714MTR1PBF	-	RFQ	7328	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						25 v	29a（ta），166a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 29A，10V	2.4V @ 100µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3890 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFR3711ZPBF	-	RFQ	4241	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564900	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						20 v	93A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2160 pf @ 10 V	-	79W（TC）
FZ1600R17KF6CB2NOSA1	-	RFQ	3799	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ1600			12500 w		标准	模块	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																									-	1700 v	2600 a	3.1V @ 15V，1600a		3 ma	不	105 NF @ 25 V
IRG5K35HF12A	-	RFQ	3879	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	IRG5K35			280 w		标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																									-	1200 v	70 a	2.6V @ 15V，35a		1 MA	不	3.4 NF @ 25 V
T2251N70TS12PRXPSA1	-	RFQ	8545	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T2251N				单身的			-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000551708	过时的	0000.00.0000	1				350 MA														8 kV	3550 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	3140 a		1 scr
BC856BWE6327BTSA1	-	RFQ	7273	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											65 v	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
BCR 108L3 E6327	-	RFQ	1852年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 108			250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																											50 V	100 ma			100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IRF3706PBF	-	RFQ	2331	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						20 v	77A（TC）	2.8V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IRF630NL	-	RFQ	9121	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF630NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
BSM400GA120DN2SE325HOSA1	-	RFQ	8952	Infineon技术	-	大部分	过时的					BSM400							-					过时的		1
IPB042N10N3GATMA1	3.0600	RFQ	82	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB042		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	100A（TC）	6V，10V	4.2MOHM @ 50a，10v	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
BSM25GB120DN2	34.7300	RFQ	23	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	底盘安装	模块				200 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	9	半桥																									-	1200 v	38 a	3V @ 15V，25a		800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
IRFZ444 ESTRLPBF	1.7800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
TT260N22KOFHPSA1	242.0067	RFQ	9694	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT260N22				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA														2.2 kV	450 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	287 a		2 scr
irlr024ntrr	-	RFQ	1938年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF7495Tr	-	RFQ	5460	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559948	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	7.3a（ta）	10V	22mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
SPP80N04S2L-03	-	RFQ	5291	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	213 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BC 846A E6433	-	RFQ	3891	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 846			330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																											65 v	100 ma			15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
IPB083N10N3GATMA1	1.6900	RFQ	960	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB083		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	80A（TC）	6V，10V	8.3MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
BSL308PEL6327HTSA1	-	RFQ	4918	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL308		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							30V	2a		80mohm @ 2a，10v	1V @ 11µA	5NC @ 10V		500pf @ 15V	逻辑级别门
IRFSL4229PBF	-	RFQ	1257	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001567750	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						250 v	45A（TC）	10V	48mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
BC846SH6727XTSA1	0.0990	RFQ	5629	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											65V	100mA			15NA（icbo）			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²