RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF6797MTRPBF	-	RFQ	1554年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX	IRF6797		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001530232	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			25 v	36a（TA），210A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 38a，10v	2.35V @ 150µA	68 NC @ 4.5 V	±20V	5790 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF6798MTRPBF	-	RFQ	5322	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001529350	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			25 v	37A（TA），197A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 37A，10V	2.35V @ 150µA	75 NC @ 4.5 V	±20V	6560 pf @ 13 V	（（（）	2.8W（ta），78W（tc）
IRF8252PBF	-	RFQ	4944	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554466	Ear99	8541.29.0095	95		n通道			25 v	25A（TA）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	5305 pf @ 13 V	-	2.5W（TA）
IRF8788PBF	-	RFQ	5807	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566558	Ear99	8541.29.0095	95		n通道			30 V	24A（24A）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	2.35V @ 100µA	66 NC @ 4.5 V	±20V	5720 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFH7911TRPBF	-	RFQ	1792年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-PowerVQFN	IRFH7911		MOSFET （金属 o化物）	2.4W，3.4W	PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP001577920	Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）				30V	13a，28a		8.6mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	12nc @ 4.5V		1060pf @ 15V	逻辑级别门
IRFH7914TRPBF	0.7300	RFQ	2076	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH7914		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	（15A）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRG6S320UTRRPBF	-	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S320U	标准		114 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			196V，12a，10ohm													沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
IRFH5025TRPBF	3.1700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5025		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			250 v	3.8A（TA）	10V	100mohm @ 5.7a，10v	5V @ 150µA	56 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V	-	3.6W（ta），8.3W（tc）
BFP640ESDH6327XTSA1	0.7400	RFQ	27	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP640			200MW	PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				7db〜30dB													4.7V	50mA						NPN	110 @ 30mA，3v	46GHz	0.6db〜2dB @ 150MHz〜10GHz
BFP 720FESD E6327	-	RFQ	7811	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 720			100MW	4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				10db〜29dB													4.7V	30mA						NPN	160 @ 15mA，3v	45GHz	0.5db〜1.3dB @ 150MHz〜10GHz
IRFHM830TRPBF	0.9300	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFHM830		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2155 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），37W（tc）
IRF6201pbf	-	RFQ	4266	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道			20 v	27a（27A）	2.5V，4.5V	2.45mohm @ 27a，4.5V	1.1V @ 100µA	195 NC @ 4.5 V	±12V	8555 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRF9333PBF	-	RFQ	1732年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001554504	Ear99	8541.29.0095	95		P通道			30 V	9.2a（ta）	4.5V，10V	19.4mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF9362PBF	-	RFQ	4953	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9362		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566534	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 25µA	39nc @ 10V		1300pf @ 25V	逻辑级别门
IRF9388PBF	-	RFQ	4439	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563814	Ear99	8541.29.0095	95		P通道			30 V	12a（12a）	10V，20V	8.5mohm @ 12a，20v	2.4V @ 25µA	52 NC @ 10 V	±25V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFH5010TRPBF	-	RFQ	3710	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5010		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			100 v	（13A）（100A）（100a tc）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 150µA	98 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），250W（TC）
BSC016N03MSGATMA1	1.6100	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC016		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	173 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
BSC090N03LSGATMA1	0.7800	RFQ	27	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC090		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	（13a）（ta），48a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ035		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
BSZ050N03MSGATMA1	0.9000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ050		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），48W（tc）
BSZ088N03MSGATMA1	-	RFQ	1768年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ088		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
irfr2905ztrrpbf	-	RFQ	3401	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			55 v	42A（TC）	10V	14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR3504TRLPBF	-	RFQ	5510	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	30A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR6215TRLPBF	1.6400	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR6215		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR540ZTRRPBF	-	RFQ	1043	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001557092	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	4771	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572838	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRLR3717TRRPBF	-	RFQ	8867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001569116	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
irlr2905ztrlpbf	-	RFQ	9723	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR2407TRLPBF	-	RFQ	2449	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRG4RC10SDTRLP	-	RFQ	8521	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			480V，8A，100OHM，15V												28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²