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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BSL306NL6327HTSA1	-	RFQ	6539	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL306			MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，10V	2V @ 11µA	1.6NC @ 5V		275pf @ 15V	逻辑级别门
F4100R17N3P4B58BPSA1	247.2800	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4100R				20兆	三相桥梁整流器	ag-econo3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																		沟渠场停止	1700 v	100 a	2.25V @ 15V，100a				1 MA	是的	9 nf @ 25 V
IRGC100B120UB	-	RFQ	4883	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	表面安装	死	IRGC100	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				-															npt	1200 v	100 a	3.5V @ 15V，100a	-	-
IPF05N03LA g	-	RFQ	7982	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPF05N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 30a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
FS800R07A2E3BOSA2	-	RFQ	3574	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS800R07				1500 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3	三相逆变器																		沟渠场停止	650 v	700 a	1.6V @ 15V，550a				5 ma	是的	52 NF @ 25 V
IPI110N20N3GAKSA1	-	RFQ	6005	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI110			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						200 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 88a，10v	4V @ 270µA	87 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
SPI08N50C3HKSA1	-	RFQ	8993	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI08N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000014461	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						500 v	7.6A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	83W（TC）
64-2137pbf	-	RFQ	6870	Infineon技术	*	管子	积极的					64-2137							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575026	Ear99	8541.29.0095	50
BC 807-16W H6327	-	RFQ	2828	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 807				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	500 MA					100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
SPA07N60C2	0.5600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	32W（TC）
AUIRF6215STRL	3.9800	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF6215			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道						150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IPI03N03LA	-	RFQ	9178	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI03N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						25 v	80A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 55a，10v	2V @ 100µA	57 NC @ 5 V	±20V	7027 PF @ 15 V	-	150W（TC）
IRL3716PBF	-	RFQ	3211	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
IRF1407STRLPBF	2.8600	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1407			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFR4105ZPBF	-	RFQ	4835	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRF3808LPBF	-	RFQ	8475	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3808LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
SPD04P10PGBTMA1	0.9800	RFQ	22	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04P10			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						100 v	4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.8A，10V	4V @ 380µA	12 nc @ 10 V	±20V	319 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IPB019N08N3GATMA1	6.3700	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB019			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						80 V	180a（TC）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 270µA	206 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 40 V	-	300W（TC）
BSP51H6327XTSA1	-	RFQ	8542	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP51				1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				60 V	1 a					10µA			npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IRF7341TRPBF	1.2900	RFQ	4108	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							55V	4.7a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	逻辑级别门
IRL2703STRLPBF	-	RFQ	4608	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF9956TR	-	RFQ	1651年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IPP65R099CFD7AAKSA1	7.4000	RFQ	50	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™CFD7A	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R099			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	24A（TC）	10V	99mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IRLML6302TRPBF	0.5600	RFQ	282	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML6302			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道						20 v	780mA（TA）	2.7V，4.5V	600mohm @ 610mA，4.5V	1.5V @ 250µA	3.6 NC @ 4.45 V	±12V	97 pf @ 15 V	-	540MW（TA）
IRF8113TRPBF	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8113			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPD65R950C6ATMA1	0.6495	RFQ	3894	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	37W（TC）
IPS70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	9603	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS70R1			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						700 v	5.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	53W（TC）
SPI20N60CFDHKSA1	-	RFQ	3820	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI20N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BSP135 E6327	-	RFQ	9674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
PTFA092201FV4XWSA1	-	RFQ	7866	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA092201		960MHz	ldmos			H-37260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40			10µA		1.85 a	220W	18.5db											-							30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²