SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 2.9100
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD031 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 4.5V,10V 3.1MOHM @ 100A,10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4.5 V ±20V 13000 PF @ 30 V - 167W(TC)
IPD068N10N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD068N10N3GBTMA1 -
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD068N MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 90A(TC) 6V,10V 6.8mohm @ 90a,10v 3.5V @ 90µA 68 NC @ 10 V ±20V 4910 PF @ 50 V - 150W(TC)
IPD16CNE8N G Infineon Technologies ipd16cne8n g -
RFQ
ECAD 1936年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD16C MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 85 v 53A(TC) 10V 16mohm @ 53a,10v 4V @ 61µA 48 NC @ 10 V ±20V 3230 PF @ 40 V - 100W(TC)
IPD200N15N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD200N15N3GBTMA1 -
RFQ
ECAD 2157 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD200N MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 150 v 50A(TC) 8V,10V 20mohm @ 50a,10v 4V @ 90µA 31 NC @ 10 V ±20V 1820 PF @ 75 V - 150W(TC)
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1 1.3000
RFQ
ECAD 5376 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD22N08 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 75 v 27a(TC) 5V,10V 50MOHM @ 50a,10v 2V @ 31µA 33 NC @ 10 V ±20V 630 pf @ 25 V - 75W(TC)
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon Technologies IPD25CN10NGBUMA1 -
RFQ
ECAD 2167 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD25C MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 35A(TC) 10V 25mohm @ 35a,10v 4V @ 39µA 31 NC @ 10 V ±20V 2070 pf @ 50 V - 71W(TC)
IPD25CNE8N G Infineon Technologies ipd25cne8n g -
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD25C MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 85 v 35A(TC) 10V 25mohm @ 35a,10v 4V @ 39µA 31 NC @ 10 V ±20V 2070 pf @ 40 V - 71W(TC)
IPD25N06S240ATMA1 Infineon Technologies IPD25N06S240ATMA1 -
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD25N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 29A(TC) 10V 40mohm @ 13a,10v 4V @ 26µA 18 nc @ 10 V ±20V 513 PF @ 25 V - 68W(TC)
IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S2L07ATMA1 -
RFQ
ECAD 1531年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD30N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 6.7MOHM @ 30a,10v 2V @ 85µA 68 NC @ 10 V ±20V 1900 pf @ 25 V - 136W(TC)
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S2L20ATMA1 1.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD30N03 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 20mohm @ 18a,10v 2V @ 23µA 19 nc @ 10 V ±20V 530 pf @ 25 V - 60W(TC)
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies IPD30N06S2-15 -
RFQ
ECAD 7998 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD30N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 30A(TC) 10V 14.7mohm @ 30a,10v 4V @ 80µA 110 NC @ 10 V ±20V 1485 pf @ 25 V - 136W(TC)
IPD49CN10N G Infineon Technologies IPD49CN10N g -
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD49C MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 20A(TC) 10V 49mohm @ 20a,10v 4V @ 20µA 16 NC @ 10 V ±20V 1090 pf @ 50 V - 44W(TC)
IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA1 -
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD50 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 50A(TC) 10V 14.4mohm @ 32a,10v 4V @ 80µA 52 NC @ 10 V ±20V 1485 pf @ 25 V - 136W(TC)
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA1 1.5700
RFQ
ECAD 9014 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD50 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 50A(TC) 4.5V,10V 10.5MOHM @ 50a,10v 2V @ 85µA 55 NC @ 10 V +5V,-16V 3770 pf @ 25 V - 58W(TC)
IPD50R520CP Infineon Technologies IPD50R520CP -
RFQ
ECAD 4818 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™CP 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD50R MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000236063 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 7.1A(TC) 10V 520MOHM @ 3.8A,10V 3.5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 680 pf @ 100 V - 66W(TC)
IPD64CN10N G Infineon Technologies ipd64cn10n g -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ipd64c MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 17a(TC) 10V 64mohm @ 17a,10v 4V @ 20µA 9 NC @ 10 V ±20V 569 pf @ 50 V - 44W(TC)
IPD80N04S306ATMA1 Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1 0.9041
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD80N04 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 10V 5.2MOHM @ 80A,10V 4V @ 52µA 47 NC @ 10 V ±20V 3250 pf @ 25 V - 100W(TC)
IPI040N06N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI040N06N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI04N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 90A(TC) 10V 4MOHM @ 90A,10V 4V @ 90µA 98 NC @ 10 V ±20V 11000 PF @ 30 V - 188W(TC)
IPI045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI045N10N3GXKSA1 4.0900
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI045 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A(TC) 6V,10V 4.5MOHM @ 100A,10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 V ±20V 8410 PF @ 50 V - 214W(TC)
IPI057N08N3 G Infineon Technologies IPI057N08N3 g -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI057N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 80 V 80A(TC) 6V,10V 5.7MOHM @ 80A,10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 40 V - 150W(TC)
IPI05CN10N G Infineon Technologies IPI05CN10N g -
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI05C MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 100A(TC) 10V 5.4MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 181 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 50 V - 300W(TC)
IPI075N15N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI075N15N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI075N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 150 v 100A(TC) 8V,10V 7.5MOHM @ 100A,10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 V ±20V 5470 pf @ 75 V - 300W(TC)
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1 1.6500
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI086 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A(TC) 6V,10V 8.6mohm @ 73a,10v 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 V ±20V 3980 pf @ 50 V - 125W(TC)
IPI08CN10N G Infineon Technologies IPI08CN10N g -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI08C MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 95A(TC) 10V 8.5MOHM @ 95A,10V 4V @ 130µA 100 nc @ 10 V ±20V 6660 pf @ 50 V - 167W(TC)
IPI100P03P3L-04 Infineon Technologies IPI100P03P3L-04 -
RFQ
ECAD 4039 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA ipi100p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000311117 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 4.3mohm @ 80a,10v 2.1V @ 475µA 200 NC @ 10 V +5V,-16V 9300 PF @ 25 V - 200W(TC)
IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies IPI120N04S302AKSA1 3.8602
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI120 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 120A(TC) 10V 2.3MOHM @ 80A,10V 4V @ 230µA 210 NC @ 10 V ±20V 14300 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPI35CN10N G Infineon Technologies IPI35CN10N g -
RFQ
ECAD 7845 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI35C MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 27a(TC) 10V 35mohm @ 27a,10v 4V @ 29µA 24 NC @ 10 V ±20V 1570 pf @ 50 V - 58W(TC)
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon Technologies IPI47N10SL26AKSA1 1.4573
RFQ
ECAD 3586 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI47N10 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 47A(TC) 4.5V,10V 26mohm @ 33a,10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 25 V - 175W(TC)
IRF1324LPBF Infineon Technologies IRF1324LPBF -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001564274 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 24 V 195a(TC) 10V 1.65MOHM @ 195a,10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 7590 pf @ 24 V - 300W(TC)
IRF8313TRPBF Infineon Technologies IRF8313TRPBF 0.9000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IRF8313 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道(双) 30V 9.7a 15.5MOHM @ 9.7A,10V 2.35V @ 25µA 9NC @ 4.5V 760pf @ 15V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库