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![]() | IPD068N10N3GBTMA1 | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD068N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 90A(TC) | 6V,10V | 6.8mohm @ 90a,10v | 3.5V @ 90µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 4910 PF @ 50 V | - | 150W(TC) | |||||
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![]() | IPD200N15N3GBTMA1 | - | ![]() | 2157 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD200N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 50A(TC) | 8V,10V | 20mohm @ 50a,10v | 4V @ 90µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1820 PF @ 75 V | - | 150W(TC) | |||||
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![]() | IPD25CN10NGBUMA1 | - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD25C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 35A(TC) | 10V | 25mohm @ 35a,10v | 4V @ 39µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 2070 pf @ 50 V | - | 71W(TC) | |||||
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![]() | IPD30N03S2L07ATMA1 | - | ![]() | 1531年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD30N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 6.7MOHM @ 30a,10v | 2V @ 85µA | 68 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 25 V | - | 136W(TC) | |||||
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![]() | IPD30N06S2-15 | - | ![]() | 7998 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD30N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 30A(TC) | 10V | 14.7mohm @ 30a,10v | 4V @ 80µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W(TC) | ||||
![]() | IPD49CN10N g | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD49C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 20A(TC) | 10V | 49mohm @ 20a,10v | 4V @ 20µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 1090 pf @ 50 V | - | 44W(TC) | |||||
![]() | IPD50N06S214ATMA1 | - | ![]() | 8960 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD50 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 50A(TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a,10v | 4V @ 80µA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W(TC) | ||||
![]() | IPD50P03P4L11ATMA1 | 1.5700 | ![]() | 9014 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD50 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 10.5MOHM @ 50a,10v | 2V @ 85µA | 55 NC @ 10 V | +5V,-16V | 3770 pf @ 25 V | - | 58W(TC) | ||||
![]() | IPD50R520CP | - | ![]() | 4818 | 0.00000000 | Infineon技术 | Coolmos™CP | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD50R | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000236063 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 7.1A(TC) | 10V | 520MOHM @ 3.8A,10V | 3.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 680 pf @ 100 V | - | 66W(TC) | ||||
![]() | ipd64cn10n g | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ipd64c | MOSFET (金属 o化物) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 17a(TC) | 10V | 64mohm @ 17a,10v | 4V @ 20µA | 9 NC @ 10 V | ±20V | 569 pf @ 50 V | - | 44W(TC) | |||||
![]() | IPD80N04S306ATMA1 | 0.9041 | ![]() | 1307 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IPD80N04 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 80A,10V | 4V @ 52µA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 3250 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||
IPI040N06N3GHKSA1 | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI04N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 60 V | 90A(TC) | 10V | 4MOHM @ 90A,10V | 4V @ 90µA | 98 NC @ 10 V | ±20V | 11000 PF @ 30 V | - | 188W(TC) | ||||||
IPI045N10N3GXKSA1 | 4.0900 | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI045 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 6V,10V | 4.5MOHM @ 100A,10V | 3.5V @ 150µA | 117 NC @ 10 V | ±20V | 8410 PF @ 50 V | - | 214W(TC) | |||||
IPI057N08N3 g | - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI057N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 80 V | 80A(TC) | 6V,10V | 5.7MOHM @ 80A,10V | 3.5V @ 90µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4750 PF @ 40 V | - | 150W(TC) | ||||||
IPI05CN10N g | - | ![]() | 7900 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI05C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 10V | 5.4MOHM @ 100A,10V | 4V @ 250µA | 181 NC @ 10 V | ±20V | 12000 PF @ 50 V | - | 300W(TC) | ||||||
IPI075N15N3GHKSA1 | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI075N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 150 v | 100A(TC) | 8V,10V | 7.5MOHM @ 100A,10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 V | ±20V | 5470 pf @ 75 V | - | 300W(TC) | ||||||
IPI086N10N3GXKSA1 | 1.6500 | ![]() | 4996 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI086 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 80A(TC) | 6V,10V | 8.6mohm @ 73a,10v | 3.5V @ 75µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3980 pf @ 50 V | - | 125W(TC) | |||||
IPI08CN10N g | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI08C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 95A(TC) | 10V | 8.5MOHM @ 95A,10V | 4V @ 130µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W(TC) | ||||||
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IPI120N04S302AKSA1 | 3.8602 | ![]() | 5813 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI120 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 10V | 2.3MOHM @ 80A,10V | 4V @ 230µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 14300 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | |||||
IPI35CN10N g | - | ![]() | 7845 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI35C | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 27a(TC) | 10V | 35mohm @ 27a,10v | 4V @ 29µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1570 pf @ 50 V | - | 58W(TC) | ||||||
IPI47N10SL26AKSA1 | 1.4573 | ![]() | 3586 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | IPI47N10 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 100 v | 47A(TC) | 4.5V,10V | 26mohm @ 33a,10v | 2V @ 2mA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 25 V | - | 175W(TC) | |||||
![]() | IRF1324LPBF | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001564274 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 24 V | 195a(TC) | 10V | 1.65MOHM @ 195a,10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 V | ±20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W(TC) | |||||
![]() | IRF8313TRPBF | 0.9000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IRF8313 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 9.7a | 15.5MOHM @ 9.7A,10V | 2.35V @ 25µA | 9NC @ 4.5V | 760pf @ 15V | 逻辑级别门 |
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