RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
BSL215PL6327	-	RFQ	5272	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL215		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）					20V	1.5a		150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 11µA	3.55NC @ 4.5V		346pf @ 15V	逻辑级别门
IPP90N06S404AKSA1	-	RFQ	2523	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp90n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	90A（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPP60R750E6	0.5100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos E6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IPI22N03S4L15AKSA1	-	RFQ	5380	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI22N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
IPP180N10N3GXKSA1	2.0700	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP180		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	43A（TC）	6V，10V	18mohm @ 33a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	71W（TC）
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	7877	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			150 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FS50R07W1E3B11ABOMA1	45.1600	RFQ	20	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS50R07			205 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000865118	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																															沟渠场停止	650 v	70 a		1.9V @ 15V，50a				50 µA	是的	3.1 NF @ 25 V
BSM300GA170DLCHOSA1	-	RFQ	3059	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM300			2520 w		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																															-	1700 v	600 a		3.2V @ 15V，300A				600 µA	不	20 nf @ 25 V
spw11n60cfd	1.8900	RFQ	391	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
FS150R12KT4B11BOSA1	289.0000	RFQ	9	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R12			750 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																															沟渠场停止	1200 v	150 a		2.1V @ 15V，150a				1 MA	是的	9.35 NF @ 25 V
FS25R12KT3BPSA1	80.9700	RFQ	15	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS25R12			145 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器																															沟渠场停止	1200 v	40 a		2.15V @ 15V，25a				5 ma	是的	1.8 nf @ 25 V
IDB45E60ATMA1	-	RFQ	5128	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IDB45		标准				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		2 V @ 45 A	140 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	71a	-
IRF7739L1TRPBF	5.3200	RFQ	5370	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7739		MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			40 V	46A（ta），270a （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
BSM25GD120DN2E3224BPSA1	119.6547	RFQ	3836	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM25G			200 w		标准	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	全桥																															-	1200 v	35 a		3V @ 15V，25a				800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
BAT54-05WH6327	0.0700	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54		肖特基				PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
IPI075N15N3GHKSA1	-	RFQ	7054	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI075N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			150 v	100A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
IPI126N10N3GXKSA1	0.6900	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			100 v	58A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
BAT54-05E6327	0.0600	RFQ	41	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		肖特基				PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
PTFA080551EV4T500XWSA1	-	RFQ	3800	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000393365	Ear99	8541.29.0075	500
BSO203SP	0.3600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 50µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
IPA60R125CP	-	RFQ	1680年	Infineon技术	coolmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载						0000.00.0000	1			n通道			600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	35W（TC）
IRGB4064DPBF	-	RFQ	9264	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		101 w			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，10a，22ohm，15V																					62 ns						沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	21 NC	27NS/79NS
T533N80L75C35XPSA1	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的	120°C（TJ）	底盘安装	TO-200AC					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				100 ma												8 kV	864 a		10500a @ 50Hz		790 a										1 scr
SPB04N60S5ATMA1	-	RFQ	5997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB04N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPB60R125CPATMA1	7.4000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB60R125		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IPD90N10S4L06ATMA1	2.9400	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			100 v	90A（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 90A，10V	2.1V @ 90µA	98 NC @ 10 V	±16V	6250 pf @ 25 V	-	136W（TC）
TD520N22KOFXPSA1	312.1400	RFQ	8637	Infineon技术	TD	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2				300 MA												2.2 kV	1.05 ka	2.2 v	18000a @ 50Hz	250 MA	520 a										1 sc，1二极管
BSP125H6327XTSA1	0.9900	RFQ	1137	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP125		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPP50R299CP	1.0000	RFQ	5655	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IRF8852TRPBF	-	RFQ	5013	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF8852		MOSFET （金属 o化物）	1W			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）					25V	7.8a		11.3MOHM @ 7.8A，10V	2.35V @ 25µA	9.5NC @ 4.5V		1151pf @ 20V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²