RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
IRF1607pbf	-	RFQ	6806	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			75 v	142a（TC）	10V	7.5MOHM @ 85A，10V	4V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IPB60R385CPATMA1	-	RFQ	4600	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
1SD210F2FZ600R65KF1NPSA1	-	RFQ	7903	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRLS3036PBF	-	RFQ	3781	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552894	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
DR21026642NOSA1	-	RFQ	8954	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IDW40G65C5XKSA1	15.8800	RFQ	462	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW40G65		SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001632890	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）															650 v		1.7 V @ 40 A	0 ns	220 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	40a	1140pf @ 1V，1MHz
FS50R12KT3BOSA1	67.3700	RFQ	5	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FS50R12KT3BOSA1-448			5
IPB600N25N3GATMA1	3.2000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB600		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
IRLML6402GTRPBF	-	RFQ	3967	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			20 v	3.7a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±12V	633 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
FF1200R12IE5PBPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1200			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																								沟渠场停止	1200 v	2400 a		2.15V @ 15V，1200A						5 ma	是的	65.5 nf @ 25 V
AUIRGDC0250	-	RFQ	2300	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	auirgdc	标准		543 w		SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					600V，33A，5OHM，15V																				-	1200 v	141 a	99 a	1.57V @ 15V，33a	（15mj））	227 NC	- /485ns
BCR169E6327	0.0400	RFQ	270	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR169			200兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,013																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
gateleadwh406xpsa1	29.6100	RFQ	1454	Infineon技术	-	托盘	积极的		-	-	Gateleadwh406		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-																				-	-	-
F4100R17N3P4B58BPSA1	247.2800	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4100R			20兆	三相桥梁整流器	ag-econo3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																								沟渠场停止	1700 v	100 a		2.25V @ 15V，100a						1 MA	是的	9 nf @ 25 V
AUIRF7734M2TR	-	RFQ	2553	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2	AUIRF7734		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距M2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522286	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			40 V	17A（TA）	10V	4.9MOHM @ 43A，10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±20V	2545 PF @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
IPU80R1K0CEAKMA1	-	RFQ	2702	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R1		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-341	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			800 v	5.7A（TC）	10V	950MOHM @ 3.6A，10V	3.9V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRFML8244TRPBF	0.4400	RFQ	65	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRFML8244		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			25 v	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 5.8A，10V	2.35V @ 10µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IRFR4105TR	-	RFQ	7337	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	RFQ	58	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				5600 w	标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																								-	1200 v	1700 a		2.15V @ 15V，1.2KA						5 ma	不	86 NF @ 25 V
IPU103N08N3 g	-	RFQ	4486	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU103N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			80 V	50A（TC）	6V，10V	10.3MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
BAW56UE6433HTMA1	0.1204	RFQ	3649	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	SC-74，SOT-457	BAW56		标准			PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														2对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BC847CB5003	0.0200	RFQ	48	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																										45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRDM983-025MB	-	RFQ	1357	Infineon技术	Imotion™	托盘	过时的				IRDM983						-		3（168））	到达不受影响	SP001548438	过时的	0000.00.0000	800
IGW08T120FKSA1	3.6300	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW08T120	标准		70 W		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，8a，81ohm，15V																				NPT，沟渠场停止	1200 v	16 a	24 a	2.2V @ 15V，8a	1.37MJ	53 NC	40NS/450NS
BAR65-02VH6327	-	RFQ	4071	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523						PG-SC79-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	4,000				100 ma											250兆									0.8pf @ 3V，1MHz									PIN-单	30V				900MOHM @ 10mA，100MHz
SPB21N50C3ATMA1	4.9600	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB21N50		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			560 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
CSD106ANPSA1	-	RFQ	8925	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IPW65R019C7FKSA1	2000年2 26日	RFQ	324	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R019		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	75A（TC）	10V	19mohm @ 58.3a，10V	4V @ 2.92mA	215 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 400 V	-	446W（TC）
BSP324L6327	0.2900	RFQ	147	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			400 v	170mA（TA）	4.5V，10V	25ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 94µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	154 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
ISP13DP06NMSATMA1	0.9000	RFQ	7726	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP13DP06		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			60 V	2.8A（ta）	-	-	-		±20V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²