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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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BSC076N06NS3GATMA1	1.5700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC076	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	7.6mohm @ 50a，10v	4V @ 35µA	50 NC @ 10 V	±20V	4000 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BSC105N10LSFGATMA1	-	RFQ	9677	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC105	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	11.4a（ta），90a （TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 50a，10v	2.4V @ 110µA	53 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 50 V	-	156W（TC）
BSC110N06NS3GATMA1	1.0500	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC110	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 23µA	33 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
BSC123N10LSGATMA1	2.0200	RFQ	28	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC123	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	10.6a（ta），71a（TC）	4.5V，10V	12.3mohm @ 50a，10v	2.4V @ 72µA	68 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 50 V	-	114W（TC）
BSC130P03LSGAUMA1	-	RFQ	2104	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	（12A）（TA），22.5A（TC）	10V	13mohm @ 22.5a，10v	2.2V @ 150µA	73.1 NC @ 10 V	±25V	3670 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
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BSC159N10LSFGATMA1	-	RFQ	1104	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC159	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	9.4A（TA），63A （TC）	4.5V，10V	15.9mohm @ 50a，10v	2.4V @ 72µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	114W（TC）
BSC200P03LSGAUMA1	-	RFQ	1921年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	2.2V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
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BSD235N L6327	-	RFQ	3190	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD235	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
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BSO150N03MDGXUMA1	1.2300	RFQ	39	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO150	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15mohm @ 9.3a，10v	2V @ 250µA	17NC @ 10V		1300pf @ 15V	逻辑级别门
BSO220N03MDGXUMA1	0.9300	RFQ	25	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO220	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6a		22mohm @ 7.7a，10v	2.1V @ 250µA	10NC @ 10V		800pf @ 15V	逻辑级别门
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IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	40 V	160a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	230 NC @ 5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	300W（TC）
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IPB60R125CPATMA1	7.4000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R125	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²