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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRFZ48VSTRLPBF	-	RFQ	8932	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFS3307ZTRRPBF	2.9100	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3307		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRF7700	-	RFQ	2811	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道		20 v	8.6A（TC）	2.5V，4.5V	15mohm @ 8.6a，4.5V	1.2V @ 250µA	89 NC @ 5 V	±12V	4300 PF @ 15 V	-	1.5W（TC）
IRL3714LPBF	-	RFQ	7430	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRF7754TRPBF	-	RFQ	3308	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			12V	5.5a		25mohm @ 5.4a，4.5V	900mv @ 250µA	22nc @ 4.5V		1984pf @ 6V	逻辑级别门
IPAN80R450P7XKSA1	2.7500	RFQ	8554	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	3.5V @ 220µA	24 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 500 V	-	29W（TC）
IRLH5030TR2PBF	-	RFQ	4696	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		100 v	（13A）（100A）（100a tc）		9mohm @ 50a，10v	2.5V @ 150µA	94 NC @ 10 V		5185 PF @ 50 V	-
IPU04N03LA	-	RFQ	8225	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU04N		MOSFET （金属 o化物）			P-TO251-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014621	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W（TC）
AUIRFR3607	-	RFQ	7479	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521766	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRGP4790-EPBF	-	RFQ	4407	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549734	Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IPI037N08N3GXKSA1	-	RFQ	8042	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI037N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
IRF6218STRLPBF	-	RFQ	7475	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPW65F6048A	-	RFQ	1472	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SPD50N03S2-07	-	RFQ	9554	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	50A（TC）	10V	7.3mohm @ 50a，10v	4V @ 85µA	46.5 NC @ 10 V	±20V	2170 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPA65R420CFDXKSA2	1.4606	RFQ	8877	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R420		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	31.2W（TC）
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3289	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IPP90N04S402AKSA1	-	RFQ	5012	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp90n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BSL716SNH6327XTSA1	-	RFQ	8200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		75 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	1.8V @ 218µA	13.1 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRF2807ZSTRLPBF	2.3600	RFQ	53	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF2807		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
BSC027N06LS5ATMA1	2.6800	RFQ	36	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	-	83W（TC）
IKQ120N65EH7XKSA1	11.4200	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的										下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
IPI65R099C6XKSA1	-	RFQ	7674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 12.8a，10v	3.5V @ 1.2mA	127 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 100 V	-	278W（TC）
AUIRF1010EZ	-	RFQ	4224	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	75A（TC）		8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V		2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IPB014N08NM6ATMA1	3.2871	RFQ	7472	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件						1,000
IPT067N20NM6ATMA1	4.8097	RFQ	8792	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件						2,000
FF4MR20KM1HPHPSA1	852.0838	RFQ	1188	Infineon技术	C，Coolsic™	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块			（SIC）	-		Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件						8	2 n通道			2000V （2KV）	280a（TC）		5.3MOHM @ 300A，18V	5.15V @ 168mA	1170nc @ 18V		36100pf @ 1.2KV	（SIC）
IRG7PH42UDPBF	-	RFQ	2736	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		320 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001537274	Ear99	8541.29.0095	400			600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
FD800R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	1173	Infineon技术	IHM-B	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FD800R17			5200 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器														-	1700 v	1200 a		2.45V @ 15V，800A				5 ma	不	72 NF @ 25 V
IPA65R600E6	-	RFQ	8800	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
FF600R12KE4BOSA1	313.6900	RFQ	1	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF600R12				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥														沟渠场停止	1200 v	600 a		2.2V @ 15V，600A				5 ma	不	38 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²