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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPD65R950CFDBTMA1	-	RFQ	3025	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
SPB11N60S5ATMA1	-	RFQ	1107	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB11N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPC60R037P7X7SA1	-	RFQ	9686	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	-	IPC60			-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-								-	-	-	-		-		-	-
IRFS3307TRLPBF	-	RFQ	5662	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFS3307			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							75 v	120A（TC）	10V	6.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IPB140N08S404ATMA1	-	RFQ	5051	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB140			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							80 V	140a（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	161W（TC）
ISC16DP15LMATMA1	2.7900	RFQ	3539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC16DP15LMATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	5,000
D740N36TXPSA1	-	RFQ	6829	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N36			标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										3600 v		1.45 V @ 700 A		70 ma @ 3600 V	-40°C〜160°C	750a	-
MMBD914LT1	1.0000	RFQ	4045	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准			SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																										100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V		200mA	4pf @ 0v，1MHz
IKU06N60R	0.4900	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准			100 W		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1					400V，6A，23OHM，15V																									68 ns						沟	600 v	12 a	18 a	2.1V @ 15V，6A	330µJ	48 NC	12NS/127NS
ND175N34KHPSA1	-	RFQ	9954	Infineon技术	-	托盘	过时的					ND175N							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3
IPW60R125P6	-	RFQ	5062	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载						0000.00.0000	1		n通道							600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10V	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	219W（TC）
D6001N50TXPSA1	3.0000	RFQ	8428	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200ae	D6001N50			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										5000 v		1.3 V @ 6000 A		400 MA @ 5000 V	-40°C〜160°C	8010a	-
BAT64-05B5000	-	RFQ	3305	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64			肖特基			PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对普通阴极	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
SPU04N60C3BKMA1	-	RFQ	6382	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU04N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPB093N04LG	0.3500	RFQ	17	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			PG至263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道							40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 77µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
STT3400N16P76XPSA1	1.0000	RFQ	9060	Infineon技术	-	托盘	积极的												-	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	1
ETD480N22P60HPSA1	-	RFQ	5595	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜135°C（TC）	底盘安装	模块	ETD480					系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA															2.2 kV	700 a	2.2 v	14700a @ 50Hz	250 MA	480 a											1 sc，1二极管
PTFA212401F V4 R250	-	RFQ	7943	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA212401		2.14GHz	ldmos			H-37260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			10µA			1.6 a	50W	15.8db																	-																			30 V
IRG4BC15MDPBF	-	RFQ	9852	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC15	标准			49 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，8.6a，75ohm，15V																									28 ns						-	600 v	14 a	28 a	2.3V @ 15V，8.6a	（320µJ）（在1.93mj）上	46 NC	21NS/540NS
TT92N16KOFHPSA2	125.3773	RFQ	9420	Infineon技术	TT	托盘	积极的		130°C（TJ）	底盘安装	模块						普通阳极 -scrs		-	rohs3符合条件			448-TT92N16KOFHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15				200 ma															1.6 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a											2 scr
DD171N12KAHPSA2	191.5900	RFQ	2078	Infineon技术	DD171N	托盘	积极的			底盘安装	模块	DD171N12			标准			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									1对系列连接	1200 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1200 V	150°C
BAS40-02LE6327	-	RFQ	8926	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-882	BAS40			肖特基			PG-TSLP-2-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																										40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
IDL02G65C5XUMA1	-	RFQ	5590	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	4-POWERTSFN	IDL02G65			SIC （碳化硅）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）																										650 v		1.7 V @ 2 A	0 ns	35 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
irlu3110zpbf	1.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU3110			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道							100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
TT280N18SOFHPSA1	111.3333	RFQ	4789	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TT280N18					系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				150 ma															1.8 kV	520 a	2 v	9000a @ 50Hz	150 ma	280 a											1 sc，1二极管
BCW67BE6327	0.0500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,948																																					32 v	800 MA							20NA（ICBO）	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
BAS40E6433	0.0700	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40			肖特基			SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																										40 V		1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 0v，1MHz
94-2300pbf	-	RFQ	6980	Infineon技术	-	管子	积极的					94-2300							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1										-
IRG4PC50UDPBF	-	RFQ	2767	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准			200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					480V，27a，5ohm，15V																									50 ns						-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（990µJ）（在590µJ上）	180 NC	46NS/140NS
T560N16T1CMODXPSA1	-	RFQ	9709	Infineon技术	*	托盘	过时的					T560N							-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²