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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	147.3320	RFQ	8226	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM35G		280 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	1200 v	70 a	2.6V @ 15V，35a	80 µA	不	2 NF @ 25 V
BSM50GB120DLCHOSA1	-	RFQ	1688年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G		460 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																						-	1200 v	115 a	2.6V @ 15V，50a	5 ma	不	3.3 NF @ 25 V
BSM50GD170DLBOSA1	-	RFQ	1068	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G		480 w	标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	1700 v	100 a	3.3V @ 15V，50a	100 µA	不	3.5 nf @ 25 V
BSM75GAL120DN2HOSA1	-	RFQ	5287	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM75GAL120		625 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单个开关																						-	1200 v	105 a	3V @ 15V，75a	1.4 MA	不	5.5 nf @ 25 V
BSM75GB120DN2HOSA1	-	RFQ	2236	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM75GB120		625 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																						-	1200 v	105 a	3V @ 15V，75a	1.5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
BSM75GD60DLCBOSA1	-	RFQ	1238	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM75G		330 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	600 v	95 a	2.45V @ 15V，75a	500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
BYM300A120DN2HOSA1	192.9200	RFQ	2842	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BYM300		1000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						-	1200 v	450 a	-		不
BYM300B170DN2HOSA1	-	RFQ	1738年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	BYM300		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	650 v	40 a	1.55V @ 15V，25a	40 µA	是的	2.8 nf @ 25 V
D1461S45TXPSA1	3.0000	RFQ	5902	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	DO-200，变体	D1461S45	标准			BG-D10026K-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	200 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1720a	-
D1461S45TXPSA2	-	RFQ	6166	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产		底盘安装	DO-200，变体	D1461S45	标准			BG-D10026K-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000096651	Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	200 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1720a	-
D1600U45X122XPSA1	2.0000	RFQ	8058	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200ae	D1600U45	标准			BG-D12026K-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													4500 v		4.3 V @ 2500 A		150 ma @ 4500 V	140°C （最大）	1560a	-
D2200N20TVFXPSA1	366.6775	RFQ	5299	Infineon技术	-	托盘	上次购买		夹紧	do-200 ac，k-puk	D2200N20	标准			BG-D7526K0-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	150 ma @ 2000 V	-40°C〜160°C	2200a	-
FT150R12KE3GB4BDLA1	-	RFQ	7148	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FT150R12		700 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001505398	Ear99	8541.29.0095	24	3独立																						-	1200 v	200 a	2.15V @ 15V，150a	5 ma	不	10.5 NF @ 25 V
IDD03SG60CXTMA2	2.0500	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD03SG60	SIC （碳化硅）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v		2.3 V @ 3 A	0 ns	15 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3a	60pf @ 1V，1MHz
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD05SG60	SIC （碳化硅）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v		2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
IDD09SG60CXTMA2	3.8742	RFQ	9340	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD09SG60	SIC （碳化硅）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v		2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
IDH04SG60CXKSA2	2.9100	RFQ	486	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH04SG60	SIC （碳化硅）			pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v		2.3 V @ 4 A	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	80pf @ 1V，1MHz
IDH09SG60CXKSA2	4.0156	RFQ	8861	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2	IDH09SG60	SIC （碳化硅）			pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													600 v		2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
IDD04SG60CHUMA1	-	RFQ	6008	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IDD04SG60					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000607030	Ear99	8541.10.0080	2,500
IPD80R360P7ATMA1	3.0300	RFQ	1905年	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	84W（TC）
IPD80R2K0P7ATMA1	1.1100	RFQ	79	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R2	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 940mA，10v	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 PF @ 500 V	-	24W（TC）
IPD80R3K3P7ATMA1	0.3812	RFQ	6913	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R3	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	1.9A（TC）	10V	3.3ohm @ 590mA，10V	3.5V @ 30µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 500 V	-	18W（TC）
IPU80R3K3P7AKMA1	0.9000	RFQ	5249	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R3	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	800 v	1.9A（TC）	10V	3.3ohm @ 590mA，10v	3.5V @ 30µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 500 V	-	18W（TC）
IPU80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	7236	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R1	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	800 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.7A，10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 V	-	37W（TC）
D1251S45TXPSA1	2.0000	RFQ	8488	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D1251S45	标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													4500 v		2.5 V @ 2500 A		80 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1530a	-
D126A45CXPSA1	-	RFQ	9026	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D126A45	标准			-	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													4500 v				30 ma @ 4500 V	-40°C〜160°C	200a	-
DD81S14KAHPSA1	-	RFQ	8648	Infineon技术	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15
DD81S14KKHPSA1	-	RFQ	7811	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块		标准			模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	1400 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 1400 V	150°C
DD82S08KKHPSA1	-	RFQ	1481	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块		标准			模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	800 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 800 V	150°C
DD82S10KHPSA1	-	RFQ	5129	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块		标准			模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	100 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 mA @ 100 V	-40°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²