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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BG3430RH6327XTSA1	-	RFQ	9448	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			800MHz	MOSFET			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA			14 ma	-	25DB											1.3dB													5 v
FP10R12YT3B4BOMA1	75.1800	RFQ	5917	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计					FP10R12							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	20
IPD25DP06LMSAUMA1	-	RFQ	2824	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25DP06			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987234	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道							60 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.5a，10v	2V @ 270µA	13.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
IPD50N06S214ATMA2	1.7500	RFQ	1999	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							55 v	50A（TC）	10V	14.4mohm @ 32a，10v	4V @ 80µA	52 NC @ 10 V	±20V	1485 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPP60R125CFD7XKSA1	5.0500	RFQ	390	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R125			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道							600 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	92W（TC）
BSZ180P03NS3GATMA1	0.8200	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ180			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道							30 V	（9A）（ta），39.6A（TC）	6V，10V	18mohm @ 20a，10v	3.1V @ 48µA	30 NC @ 10 V	±25V	2220 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），40W（TC）
IPD50N04S410ATMA1	1.1500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							40 V	50A（TC）	10V	9.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 15µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	41W（TC）
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	RFQ	12	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							600 v	18A（TC）	10V	180MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 280µA	25 NC @ 10 V	±20V	1081 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IPD60R360P7ATMA1	1.7700	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							600 v	9A（TC）	10V	360MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 140µA	13 NC @ 10 V	±20V	555 pf @ 400 V	-	41W（TC）
spp08p06phxksa1	-	RFQ	5450	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp08p			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道							60 V	8.8A（TC）	10V	300mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IPB65R225C7ATMA2	1.5955	RFQ	1321	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R225			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
BC847CWE6327BTSA1	-	RFQ	6773	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	100 ma									15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IPL60R225CFD7AUMA1	3.4100	RFQ	1657年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R225			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							600 v	12A（TC）	10V	225mohm @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	68W（TC）
BC817-16B5003	0.0200	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817				500兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	500 MA									100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
SIGC42T60UNX7SA1	-	RFQ	1099	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC42T60	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，50a，6.8Ohm，15V																			npt	600 v	50 a	150 a	3.15V @ 15V，50a	-		48NS/350NS
IPP048N12N3 g	-	RFQ	3908	Infineon技术	*	大部分	过时的												-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BAT6307WH6327XTSA1	-	RFQ	9299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		SC-82A，SOT-343	BAT63						PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma														100兆					0.85pf @ 0.2V，1MHz										Schottky -2独立	3V				-
IRG6S330UPBF	-	RFQ	9487	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S330	标准			160 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540476	Ear99	8541.29.0095	50					196V，25a，10ohm																			沟	330 v	70 a		2.1V @ 15V，70a	-	86 NC	39NS/120NS
IPC70N04S54R6ATMA1	1.1000	RFQ	4360	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC70N04			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							40 V	70A（TC）	7V，10V	4.6mohm @ 35a，10v	3.4V @ 17µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPI65R310CFDXKSA1	-	RFQ	9693	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IPB090N06N3GATMA1	1.3100	RFQ	8706	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB090			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							60 V	50A（TC）	10V	9mohm @ 50a，10v	4V @ 34µA	36 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 30 V	-	71W（TC）
FS3L50R07W2H3FB11BOMA1	-	RFQ	7119	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L50R07			标准				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000944582	Ear99	8541.10.0080	15																				2 V @ 30 A		75 a											三期	650 v
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1	-	RFQ	1879年	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L50R07			标准				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000944592	Ear99	8541.10.0080	15																				2 V @ 30 A		45 a											三期	650 v
FF1200R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	6992	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF1200				595000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器																							-	1700 v			2.45V @ 15V，1200A							5 ma	不	110 nf @ 25 V
BB85702VH7902XTSA1	0.1221	RFQ	3205	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB85702						PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																							0.52pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V									12.7	C1/C28	-
DF75R12W1H4FB11BOMA1	-	RFQ	6611	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF75R12			标准				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001080544	Ear99	8541.10.0080	24																				800 mv @ 50 a	100 µA @ 1.2 V	50 a											单相	1.2 v
IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							40 V	160a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	230 NC @ 5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	300W（TC）
BSO303PH	-	RFQ	2988	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303			MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	2（p 通道（双）								30V	7A（TC）		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门
SPS04N60C3BKMA1	-	RFQ	7002	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	SPS04N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道							650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPT60R040S7XTMA1	10.1000	RFQ	7446	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R040			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道							600 v	13A（TC）	12V	40mohm @ 13a，12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 V	±20V	3127 PF @ 300 V	-	245W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²