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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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SPU30P06P	-	RFQ	6749	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SPU30P	MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	30A（TC）	10V	75MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 1.7mA	48 NC @ 10 V	±20V	1535 PF @ 25 V	-	125W（TC）
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SPW11N60S5FKSA1	-	RFQ	4654	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW11N	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SPW35N60C3FKSA1	11.9100	RFQ	5293	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW35N60	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	34.6A（TC）	10V	100mohm @ 21.9a，10V	3.9V @ 1.9mA	200 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	313W（TC）
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SIDC10D120H6X1SA5	-	RFQ	5401	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC10	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.6 V @ 15 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	15a	-
SIDC14D120E6X1SA4	-	RFQ	7540	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC14D120	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.9 V @ 15 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	15a	-
SIDC23D60E6YX1SA1	-	RFQ	1759年	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	sidc23d	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.25 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	50a	-
SIDC30D120F6X1SA2	-	RFQ	3311	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc30d	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	2.1 V @ 35 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	35a	-
SIDC53D120H6X1SA3	-	RFQ	5456	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc53d	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.6 V @ 100 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	100a	-
SIDC78D170HX1SA1	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC78D	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1700 v	1.8 V @ 150 A		27 µA @ 1700 V	-55°C〜150°C	150a	-
SIDC81D120F6X1SA1	-	RFQ	2594	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC78D	标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	2.1 V @ 100 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	100a	-
SIPC06N60C3	-	RFQ	9481	Infineon技术	*	大部分	过时的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000013362	Ear99	8541.29.0040	1
SIPC69N50C3X1SA2	-	RFQ	9264	Infineon技术	*	大部分	积极的				SIPC69				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1
SMBT 3906 E6767	-	RFQ	5600	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBT 3906		330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40 V	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
SMBT3906SE6327HTSA1	-	RFQ	6853	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT 3906		330MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40V	200mA	50NA（iCBO）	2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
SN7002W E6433	-	RFQ	3147	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道	60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SPB04N50C3ATMA1	-	RFQ	1979年	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB04N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SPB04N60S5ATMA1	-	RFQ	5997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB04N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SPB07N60S5ATMA1	-	RFQ	5043	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB07N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPB100N03S2-03 g	-	RFQ	4445	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SPB100N04S2L-03	-	RFQ	6802	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SPB100N08S2L-07	-	RFQ	7594	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	75 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 68A，10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SPB10N10L	-	RFQ	9710	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB10N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	10.3A（TC）	10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SPB16N50C3ATMA1	-	RFQ	7074	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB16N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	560 v	16A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	3.9V @ 675µA	66 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	160W（TC）
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB18P	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	18.7a（ta）	10V	130mohm @ 13.2a，10v	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W（TA）
SPB21N10 g	-	RFQ	1172	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB21N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	21a（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 V	±20V	865 pf @ 25 V	-	90W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²