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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
SIGC28T65EX1SA1	-	RFQ	2052	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																				沟渠场停止	650 v	50 a	150 a	1.77V @ 15V，50a	-		-
BSC112N06LDATMA1	1.7900	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC112		MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）	PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				60V	20A（TC）		11.2Mohm @ 17a，10v	2.2V @ 28µA	55nc @ 10V		4020pf @ 30V	逻辑级别门
BSD816SNL6327	-	RFQ	3499	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道		20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BF799	1.0000	RFQ	3945	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IKP01N120H2XKSA1	-	RFQ	1612	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP01N	标准		28 W	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				800V，1A，241OHM，15V															83 ns					-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	140µJ	8.6 NC	13NS/370NS
IPI70N10SL16AKSA1	-	RFQ	9826	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI70N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IST006N04NM6AUMA1	3.8800	RFQ	1241	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IST006		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		40 V	（58A）（TA），475a （TC）	6V，10V	0.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	8800 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
IPP80N06S2LH5AKSA2	-	RFQ	5452	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF5851	-	RFQ	8034	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58		MOSFET （金属 o化物）	960MW	6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100	n和p通道				20V	2.7a，2.2a		90MOHM @ 2.7a，4.5V	1.25V @ 250µA	6NC @ 4.5V		400pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4BC15UD-SPBF	-	RFQ	8450	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，7.8a，75ohm，15V															28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IPDQ60T017S7AXTMA1	12.7508	RFQ	5104	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPDQ60T017S7AXTMA1TR			750
IDK08G65C 5XTMA1	-	RFQ	6574	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK08G65		SIC （碳化硅）		pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.8 V @ 8 A	0 ns	1.4 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IKZA50N65SS5XKSA1	14.9500	RFQ	460	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	ikza50	标准		274 w	PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，9ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	80 a	200 a	1.7V @ 15V，50a	230µJ（在）上，520µJ（OFF）	110 NC	19NS/140NS
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD05SG60		SIC （碳化硅）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）														600 v		2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
ISZ0703NLSATMA1	1.1100	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0703N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	（13A）（ta），56a （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 15µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
DD1000S33HE3BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD1000		标准		AG-IHVB130-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													2独立	3300 v	-	3.85 V @ 1000 A		1000 A @ 1800 V	-40°C〜150°C
IDW10S120FKSA1	-	RFQ	8353	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	IDW10S120		SIC （碳化硅）		pg-to247-3-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）														1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	240 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	10a	580pf @ 1V，1MHz
BC817-16W	0.0200	RFQ	207	Infineon技术	-	大部分	积极的				BC817					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
SPA11N60CFDXKSA1	2.5347	RFQ	6513	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 1.9mA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
AUIRFC8407TR	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1
IPD03N03LB g	-	RFQ	4586	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD03N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 60a，10v	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IRF3708STRRPBF	-	RFQ	3619	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
SIDC09D60F6X1SA4	-	RFQ	4272	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC09D60		标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v		1.6 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
IRG7PH46UD-EP	-	RFQ	3571	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		390 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001540700	Ear99	8541.29.0095	400				600V，40a，10ohm，15V															140 ns					沟	1200 v	40 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.61mj（在）上，1.85mj off）	220 NC	45NS/410NS
IRFHM8334TRPBF-INF	-	RFQ	4457	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道		30 V	（13A）（TA），43A （TC）		9mohm @ 20a，10v	2.35V @ 25µA	15 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 10 V	-	2.7W（28W），28W（TC）
IDW24G65C5BXKSA1	-	RFQ	8859	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3			SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224944	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A		190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
BSF134N10NJ3GXUMA1	2.3000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSF134		MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	（9A）（ta），40a（tc）	6V，10V	13.4mohm @ 30a，10v	3.5V @ 40µA	30 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），43W（tc）
SPI70N10L	-	RFQ	1082	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI70N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014005	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BSC076N06NS3GATMA1	1.5700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC076		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	50A（TC）	10V	7.6mohm @ 50a，10v	4V @ 35µA	50 NC @ 10 V	±20V	4000 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BTS240AHKSA1	12.7300	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to218-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24			n通道		50 V	58A（TC）	10V	18mohm @ 47a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	4300 PF @ 25 V	-	170W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²