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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRAM236-1067A	-	RFQ	3565	Infineon技术	-	大部分	过时的			通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	-									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	-									-
T1590N28TOFVTXPSA1	769.5800	RFQ	1115	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	do-200AD		T1590N28					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA																2.8 kV	3200 a	3 V	3200a @ 50Hz	300 MA	1590 a											1 scr
BDP948H6327XTSA1	0.5094	RFQ	6818	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BDP948				5 w			PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																							45 v	3 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	100MHz
BCR141TE6327	0.0200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR141				250兆			PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																							50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IPB50R199CPATMA1	2.0689	RFQ	6316	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB50R199			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								550 v	17a（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IPLK80R750P7ATMA1	1.7100	RFQ	6393	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-POWERTDFN		IPLK80			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			-								800 v	-	-	-	-		±20V		-	-
DD98N22KHPSA1	136.4800	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	模块		DD98N22			标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1对系列连接	2200 v	98a	1.53 V @ 300 A		25 ma @ 2200 V	-40°C〜150°C
IRF7607	-	RFQ	3385	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）					MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道								20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
T470N12TOFXPSA1	-	RFQ	5361	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AA		T470N12					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	18					300 MA																1.6 kV	800 a	2 v	7100A @ 50Hz	200 ma	470 a											1 scr
IRFR5505pbf	-	RFQ	7002	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道								55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
SMBT3904E6433HTMA1	0.0523	RFQ	3340	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMBT 3904				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																							40 V	200 ma							50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
AUIRF1405Z	-	RFQ	3176	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
SPW35N60C3FKSA1	11.9100	RFQ	5293	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SPW35N60			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道								650 v	34.6A（TC）	10V	100mohm @ 21.9a，10V	3.9V @ 1.9mA	200 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	313W（TC）
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3123		800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA，20mA			14 ma	-	25DB																		1.8dB																			5 v
IRG8CH29K10D	-	RFQ	8420	Infineon技术	-	大部分	过时的						IRG8CH								下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRG5K100HF12B	-	RFQ	8946	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块						780 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																																					-	1200 v	200 a		2.6V @ 15V，100a					2 ma	不	11.7 NF @ 25 V
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			60 W			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						480V，6.5a，50ohm，15V																										37 ns						-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4PSH71KDPBF	-	RFQ	2109	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		IRG4PSH71	标准			350 w			SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						800V，42A，5OHM，15V																										107 ns						-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	5.68MJ（在）上，3.23mj off）	410 NC	67NS/230NS
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC0924			MOSFET （金属 o化物）	1W			PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）										30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IRGS4B60KD1TRRP	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRGS4B60	标准			63 W			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534000	Ear99	8541.29.0095	800						400V，4A，100OHM，15V																										93 ns						npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
SMBD7000E6327HTSA1	0.4500	RFQ	73	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMBD7000			标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																										1对系列连接	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 100 V	150°C （最大）
PTFB093608SVV2R250XTMA1	-	RFQ	2694	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	H-37275G-6/2		PTFB093608		920MHz〜960MHz	ldmos				H-37275G-6/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000957080	Ear99	8541.29.0095	250				-				360W	20dB																		-
IPP086N10N3GXKSA1	1.9300	RFQ	8651	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP086			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								100 v	80A（TC）	6V，10V	8.6mohm @ 73a，10v	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
SIDC14D60F6X1SA3	-	RFQ	2963	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死		SIDC14D60			标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																											600 v		1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-
BFP 720FESD E6327	-	RFQ	7811	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		BFP 720				100MW			4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									10db〜29dB																														4.7V	30mA										NPN		160 @ 15mA，3v	45GHz			0.5db〜1.3dB @ 150MHz〜10GHz
IDW30G65C5XKSA1	12.0300	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		IDW30G65			SIC （碳化硅）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																											650 v		1.7 V @ 30 A	0 ns	220 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	30a	860pf @ 1V，1MHz
PTFA180701FV4R250XTMA1	-	RFQ	6580	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		PTFA180701		1.84GHz	ldmos				H-37265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250				10µA			550 MA	60W	16.5db																		-																			28 V
IPI80N04S204AKSA1	-	RFQ	8068	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BCR 179L3 E6327	-	RFQ	4721	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883		BCR 179				250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																							50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
TT142N14KOFHPSA1	-	RFQ	9003	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TT142N					系列连接 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma																1.4 kV		2 v	4800a @ 50Hz	150 ma	142 a											2 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²