SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
SPA02N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPA02N80C3XKSA1 1.6700
RFQ
ECAD 3879 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SPA02N80 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 2A(TC) 10V 2.7OHM @ 1.2A,10V 3.9V @ 120µA 16 NC @ 10 V ±20V 290 pf @ 100 V - 30.5W(TC)
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N60C3XKSA1 2.7300
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SPA07N60 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 7.3A(TC) 10V 600MOHM @ 4.6A,10V 3.9V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 790 pf @ 25 V - 32W(TC)
SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA11N65C3XKSA1 4.2700
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SPA11N65 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 7A,10V 3.9V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 33W(TC)
IPB110N06L G Infineon Technologies IPB110N06L g -
RFQ
ECAD 3984 0.00000000 Infineon技术 - (CT) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB110N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 78A(TC) 11mohm @ 78a,10v 2V @ 94µA 79 NC @ 10 V 2700 pf @ 30 V -
IRF6623TR1PBF Infineon Technologies IRF6623Tr1pbf -
RFQ
ECAD 9338 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距St MOSFET (金属 o化物) DirectFet™st 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 20 v 16a(16A),55a(tc) 4.5V,10V 5.7MOHM @ 15A,10V 2.2V @ 250µA 17 NC @ 4.5 V ±20V 1360 pf @ 10 V - 1.4W(ta),42W(((((((
IRFB4228PBF Infineon Technologies IRFB4228PBF 4.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRFB4228 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 150 v 83A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±30V 4530 PF @ 25 V - 330W(TC)
IRFSL3307ZPBF Infineon Technologies IRFSL3307ZPBF -
RFQ
ECAD 9912 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 120A(TC) 10V 5.8MOHM @ 75A,10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 50 V - 230W(TC)
IRFSL3306PBF Infineon Technologies IRFSL3306PBF 2.6400
RFQ
ECAD 1978年 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IRFSL3306 MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 120A(TC) 10V 4.2MOHM @ 75A,10V 4V @ 150µA 120 NC @ 10 V ±20V 4520 PF @ 50 V - 230W(TC)
IRFSL4321PBF Infineon Technologies IRFSL4321PBF -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001550194 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 85A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4460 pf @ 25 V - 350W(TC)
IRFS4321PBF Infineon Technologies IRFS4321pbf -
RFQ
ECAD 8134 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 85A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4460 pf @ 25 V - 350W(TC)
IRFS4228PBF Infineon Technologies IRFS4228pbf 3.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001571734 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 83A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ±30V 4530 PF @ 25 V - 330W(TC)
IRFS3307ZPBF Infineon Technologies IRFS3307ZPBF -
RFQ
ECAD 5803 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 120A(TC) 10V 5.8MOHM @ 75A,10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 50 V - 230W(TC)
IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06LGBTMA1 0.9600
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPD350 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 29A(TC) 4.5V,10V 35mohm @ 29a,10v 2V @ 28µA 13 NC @ 5 V ±20V 800 pf @ 30 V - 68W(TC)
IPF10N03LA Infineon Technologies IPF10N03LA -
RFQ
ECAD 7372 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IPF10N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-23 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 25 v 30A(TC) 4.5V,10V 10.4mohm @ 30a,10v 2V @ 20µA 11 NC @ 5 V ±20V 1358 pf @ 15 V - 52W(TC)
IPI05N03LA Infineon Technologies IPI05N03LA -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI05N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 25 v 80A(TC) 4.5V,10V 4.9mohm @ 55a,10v 2V @ 50µA 25 NC @ 5 V ±20V 3110 PF @ 15 V - 94W(TC)
IPI09N03LA Infineon Technologies IPI09N03LA -
RFQ
ECAD 1646年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI09N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 25 v 50A(TC) 4.5V,10V 9.2MOHM @ 30a,10V 2V @ 20µA 13 NC @ 5 V ±20V 1642 PF @ 15 V - 63W(TC)
IPI14N03LA Infineon Technologies IPI14N03LA -
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI14N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 25 v 30A(TC) 4.5V,10V 13.9mohm @ 30a,10v 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 V ±20V 1043 PF @ 15 V - 46W(TC)
IPI45N06S3-16 Infineon Technologies IPI45N06S3-16 -
RFQ
ECAD 2954 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI45N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 55 v 45A(TC) 10V 15.7MOHM @ 23A,10V 4V @ 30µA 57 NC @ 10 V ±20V 2980 pf @ 25 V - 65W(TC)
IPI60R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R199CPXKSA1 2.8798
RFQ
ECAD 7604 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI60R199 MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 16A(TC) 10V 199mohm @ 9.9a,10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 V ±20V 1520 PF @ 100 V - 139W(TC)
IPI80N06S3L06XK Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI80N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 55 v 80A(TC) 5V,10V 5.9MOHM @ 56A,10V 2.2V @ 80µA 196 NC @ 10 V ±16V 9417 PF @ 25 V - 136W(TC)
IPP048N06L G Infineon Technologies IPP048N06L g -
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP048N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 100A(TC) 4.5V,10V 4.7MOHM @ 100A,10V 2V @ 270µA 225 NC @ 10 V ±20V 7600 PF @ 30 V - 300W(TC)
IPP054NE8NGHKSA2 Infineon Technologies IPP054NE8NGHKSA2 -
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP054M MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 85 v 100A(TC) 10V 5.4MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 12100 PF @ 40 V - 300W(TC)
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP05CN10NGXKSA1 2.2352
RFQ
ECAD 1488 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP05CN10 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 100A(TC) 10V 5.4MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 181 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 50 V - 300W(TC)
IPP065N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPP065N06LGAKSA1 -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP065N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 80A,10V 2V @ 180µA 157 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 30 V - 250W(TC)
IPP070N06L G Infineon Technologies IPP070N06L g -
RFQ
ECAD 9760 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP070N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 7mohm @ 80a,10v 2V @ 150µA 126 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 30 V - 214W(TC)
IPP080N06N G Infineon Technologies ipp080n06n g -
RFQ
ECAD 4002 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP080N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 80A(TC) 10V 8mohm @ 80a,10v 4V @ 150µA 93 NC @ 10 V ±20V 3500 PF @ 30 V - 214W(TC)
IPP08CN10N G Infineon Technologies IPP08CN10N g -
RFQ
ECAD 3446 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP08C MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 95A(TC) 10V 8.5MOHM @ 95A,10V 4V @ 130µA 100 nc @ 10 V ±20V 6660 pf @ 50 V - 167W(TC)
IPP100N06S3-03 Infineon Technologies IPP100N06S3-03 -
RFQ
ECAD 2450 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP100N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 55 v 100A(TC) 10V 3.3mohm @ 80a,10v 4V @ 230µA 480 NC @ 10 V ±20V 21620 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPP100N06S3L-04 Infineon Technologies IPP100N06S3L-04 -
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP100N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 55 v 100A(TC) 5V,10V 3.8mohm @ 80a,10v 2.2V @ 150µA 362 NC @ 10 V ±16V 17270 PF @ 25 V - 214W(TC)
IPP12CN10N G Infineon Technologies IPP12CN10N g -
RFQ
ECAD 5943 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP12C MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 67A(TC) 10V 12.9mohm @ 67a,10v 4V @ 83µA 65 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 50 V - 125W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库