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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FS300R12KE3BOSA1	603.4000	RFQ	5418	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		FS300R12				1450 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																													沟渠场停止	1200 v	500 a		2.15V @ 15V，300A					5 ma	是的	21 nf @ 25 V
SIPC10N60C3X1SA2	-	RFQ	2062	Infineon技术	-	大部分	积极的						SIPC10							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000482570		0000.00.0000	1													-
IRAMS06UP60A-2	-	RFQ	9173	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期								6 a	600 v	2000vrms
IKW30N60DTP	-	RFQ	9817	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准			200 w		pg-to247-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					400V，30a，10.5Ohm，15V																						76 ns			沟渠场停止	600 v	53 a	90 a	1.8V @ 15V，30a	（710µJ）（在420µJ上）	130 NC	15NS/179NS
Auirll2705	-	RFQ	7856	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522936	Ear99	8541.29.0095	80			n通道									55 v	5.2a（ta）	4V，10V	40mohm @ 3.8A，10V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BC817K16WH6327XTSA1	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC817				250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															45 v	500 MA							100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
IGC15T65QEX1SA1	-	RFQ	4086	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		IGC15T65	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																									沟渠场停止	650 v	30 a	90 a	2.32V @ 15V，30a	-		-
IKWH50N65EH7XKSA1	6.2400	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的													下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
FZ1600R17HP4B2BOSA2	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FZ1600				10500 w	标准	A-IHV130-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																													沟渠场停止	1700 v	1600 a		2.25V @ 15V，1.6KA					5 ma	不	130 nf @ 25 V
FF150R12RT4HOSA1	80.7500	RFQ	17	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	模块		FF150R12R				790 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																													沟渠场停止	1200 v	150 a		2.15V @ 15V，150a					1 MA	不
IRG4BC30F	-	RFQ	2283	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			100 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30F	Ear99	8541.29.0095	50					480V，17a，23ohm，15v																									-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
FS600R07A2E3B31BOSA1	-	RFQ	7249	Infineon技术	*	托盘	过时的						FS600R07							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3
IRLR7833CTRLPBF	-	RFQ	9565	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									30 V	140a（ta）	4.5V，10V	-	-		±20V		-	140W（TC）
FF300R17ME4BOSA1	270.2000	RFQ	6395	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FF300R17				1800 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																													npt	1700 v	375 a		2.3V @ 15V，300A					3 ma	是的
IRG5U150HF12B	-	RFQ	9404	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块						1100 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542108	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																													-	1200 v	260 a		3.5V @ 15V，150a					2 ma	不	18 nf @ 25 V
IPP023NE7N3GXKSA1	6.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP023			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									75 v	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
BSS119E6327	-	RFQ	8245	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道									100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 50µA	2.5 NC @ 10 V	±20V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
FS75R12KT3BOSA1	140.3000	RFQ	5	Infineon技术	Econopack™2	托盘	在sic中停产		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FS75R12				355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																													沟渠场停止	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a					5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
BF 2040 E6814	0.0800	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA				1GHz	MOSFET			PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			50µA		15 ma	-	23dB														1.6dB																5 v
FF600R17KF6CB2NOSA1	-	RFQ	1801年	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块						4800 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																													-	1700 v			3.1V @ 15V，600A					5 ma	不	40 NF @ 25 V
SPU07N60C3BKMA1	-	RFQ	7731	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SPU07N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道									650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IPB65R310CFDATMA1	1.5573	RFQ	8095	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB65R310			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
irlr2905ztrlpbf	-	RFQ	9723	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
PTF180101M V1	-	RFQ	3058	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）				1.99GHz	ldmos			PG-RFP-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				1µA		180 MA	10W	16.5db														-																28 V
IRF6706S2TR1PBF	1.1000	RFQ	838	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1					MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距S1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									25 v	（17a）（63a ta）（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	20 NC @ 4.5 V	±20V	1810 pf @ 13 V	-	1.8W（TA），26W（tc）
PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1	-	RFQ	5409	Infineon技术	-	托盘	过时的						PX8560ED							-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	RFQ	752	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IPB030			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									80 V	160a（TC）	6V，10V	3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BCR158WE6327	1.0000	RFQ	3959	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR158				250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																															50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BAV70E6433HTMA1	0.3300	RFQ	47	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAV70			标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BAV99SE6327BTSA1	-	RFQ	9901	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BAV99			标准			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²