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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRFH7923TRPBF	-	RFQ	1696年	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）单个死亡	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	（15a）（33A （TC）（TC）		8.7MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V		1095 pf @ 15 V	-
IPI25N06S3L-22	-	RFQ	8773	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI25N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				55 v	25A（TC）	5V，10V	21.6mohm @ 17a，10v	2.2V @ 20µA	47 NC @ 10 V	±16V	2260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AUIRFR6215TRL	3.0000	RFQ	1119	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR6215		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道				150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPW65R150CFDFKSA2	5.2300	RFQ	2547	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R150		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道				650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
IPB80N08S406ATMA1	-	RFQ	7077	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				80 V	80A（TC）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPP60R190E6XKSA1	3.7100	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R190		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPB065N15N3GATMA1	7.6000	RFQ	8130	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB065		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				150 v	130a（TC）	8V，10V	6.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 75 V	-	300W（TC）
IPI80N06S208AKSA1	-	RFQ	5550	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 pf @ 25 V	-	215W（TC）
BCW 61d E6327	0.0400	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,869																														32 v	100 ma								20NA（ICBO）				PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
Auirfz44n	-	RFQ	8422	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IRLBA3803P	-	RFQ	4279	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）				SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLBA3803P	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				30 V	179a（TC）		5mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V		5000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
BSC028N06NSATMA1	2.7600	RFQ	55	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC028		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				60 V	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	2.8V @ 50µA	37 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IRFH7885TRPBF	-	RFQ	5206	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				80 V	22a（22a）	10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2311 pf @ 40 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
ND171N18KHPSA1	-	RFQ	8414	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	ND171N18		标准				BG-PB34-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1800 v	20 ma @ 1800 V	-40°C〜135°C	171a	-
BC 807-16W H6327	-	RFQ	2828	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 807			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	500 MA								100NA（ICBO）				PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
IPP65R150CFDXKSA2	4.6900	RFQ	6540	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R150		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
IAUTN06S5N008TATMA1	6.9100	RFQ	7241	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1,800
BSL207NH6327XTSA1	-	RFQ	1113	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BSL207		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001100648	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
T690N04TOFXPSA1	118.7100	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AA	T690N04				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	18					200 ma												600 v	900 a	1.4 v	7800a @ 50Hz	150 ma	694 a						1 scr
BSC155N06NDATMA1	1.5500	RFQ	5754	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC155		MOSFET （金属 o化物）	50W（TC）			PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						60V	20A（TC）		15.5mohm @ 17a，10v	4V @ 20µA	29nc @ 10V		2250pf @ 30V	-
IPD95R450PFD7ATMA1	2.8900	RFQ	4696	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				950 v	13.3A（TC）	10V	450MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	43 NC @ 10 V	±20V	1230 PF @ 400 V	-	104W（TC）
IPT60R075CFD7XTMA1	7.6500	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R075		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				600 v	33A（TC）	10V	75mohm @ 11.4a，10v	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	188W（TC）
IPP50R199CPHKSA1	-	RFQ	1640年	Infineon技术	coolmos™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000236074	Ear99	8541.29.0095	500			n通道				550 v	17a（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	45 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 100 V	-	139W（TC）
BA 892 E6327	-	RFQ	6858	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-80	BA 892						SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma																							1.1pf @ 3V，1MHz										标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
IPB04N03LB g	-	RFQ	9872	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB04N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 55A，10V	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5203 PF @ 15 V	-	107W（TC）
BC 850B E6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,836																														45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
FD600R12KF4NOSA1	-	RFQ	3032	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				3900 w		标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																												-	1200 v	600 a		3.2V @ 15V，600A						8 ma	不	45 NF @ 25 V
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	RFQ	982	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IRG4PC50KPBF	-	RFQ	4416	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400						480V，30a，5ohm，15V																							-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
IRF6623Tr1pbf	-	RFQ	9338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™st	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				20 v	16a（16A），55a（tc）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1360 pf @ 10 V	-	1.4W（ta），42W（（（（（（（

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²