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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IDB15E60ATMA1	0.8040	RFQ	9130	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB15	标准			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	29.2a	-
IPD65R600C6ATMA1	-	RFQ	3997	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001121530	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPI50R350CPXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R350	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000680736	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
IPP50R250CPXKSA1	1.8880	RFQ	4408	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R250	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
SPD02N50C3BTMA1	-	RFQ	5255	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD02N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-311	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	500 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SPD04N60C3ATMA1	1.9900	RFQ	9264	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SPP04N50C3XKSA1	-	RFQ	7142	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp04n	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681022	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SPP06N60C3XKSA1	-	RFQ	5420	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp06n	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000681028	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	750MOHM @ 3.9A，10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SPP07N60S5HKSA1	-	RFQ	3423	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000012115	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPP07N60S5XKSA1	-	RFQ	1722年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681034	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPP15N60CFDXKSA1	3.2127	RFQ	6385	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP15N60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	600 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
BSC020N03LSGATMA2	-	RFQ	3687	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				BSC020					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000959514		0000.00.0000	5,000
SIPC03S2N03LX3MA1	0.3144	RFQ	2088	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计				SIPC03					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014961		0000.00.0000	5,000
IPB35N12S3L26ATMA1	-	RFQ	7745	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IP35N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	120 v	35A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 35A，10V	2.4V @ 39µA	30 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	71W（TC）
IPD70N12S3L12ATMA1	-	RFQ	2365	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	120 v	70A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 70A，10V	2.4V @ 83µA	77 NC @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPP70N12S3L12AKSA1	-	RFQ	3089	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP70N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	120 v	70A（TC）	4.5V，10V	12.1MOHM @ 70A，10V	2.4V @ 83µA	77 NC @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPG20N04S409ATMA1	-	RFQ	8611	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	54W（TC）		PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			40V	20A（TC）		8.6mohm @ 17a，10v	4V @ 22µA	28nc @ 10V		2250pf @ 25V	-
BSZ096N10LS5ATMA1	1.8800	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ096	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	22 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 50 V	标准	69W（TC）
BSZ146N10LS5ATMA1	1.7200	RFQ	39	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ146	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	14.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 23µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	1300 pf @ 50 V	标准	52W（TC）
IPB044N15N5ATMA1	8.8000	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB044	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	150 v	174a（TC）	8V，10V	4.4mohm @ 87A，10V	4.6V @ 264µA	100 nc @ 10 V	±20V	8000 PF @ 75 V	-	300W（TC）
IPB048N15N5ATMA1	8.3800	RFQ	770	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB048	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	150 v	120A（TC）	8V，10V	4.8mohm @ 60a，10v	4.6V @ 264µA	100 nc @ 10 V	±20V	7800 PF @ 75 V	-	300W（TC）
IPC300N20N3X7SA1	-	RFQ	7433	Infineon技术	Optimos™3	大部分	过时的	-	表面安装	死	IPC300N	MOSFET （金属 o化物）			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001155558	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	200 v	-	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 270µA		-		-	-
IPC302N15N3X7SA1	-	RFQ	7183	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-	表面安装	死	IPC302	MOSFET （金属 o化物）			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001155560	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	150 v	-	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 270µA		-		-	-
IPP04CN10NGXKSA1	3.7441	RFQ	5687	Infineon技术	Optimos™2	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP04CN10	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	100 v	100A（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 50 V	-	300W（TC）
BSP612PH6327XTSA1	-	RFQ	6324	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-					-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001098612	Ear99	8541.29.0095	1,000					3A（3A）
DDB6U180N16RR	-	RFQ	2421	Infineon技术	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	模块			515 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	双制动斩波器																				沟渠场停止	1200 v	140 a	2.2V @ 15V，100a	1 MA	不	6.3 NF @ 25 V
DF400R07PE4R_B6	-	RFQ	6183	Infineon技术	Econopack™4	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF400R07		1100 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单菜器																				npt	650 v	450 a	1.95V @ 15V，400A	20 na	是的	18.5 nf @ 25 V
F1235R12KT4GBOSA1	-	RFQ	6339	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			210 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																				沟渠场停止	1200 v	35 a	2.15V @ 15V，35a	1 MA	不	2 NF @ 25 V
FS100R12KE3_B3	-	RFQ	9021	Infineon技术	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R12		480 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																				npt	1200 v	140 a	2.15V @ 15V，100A	5 ma	不	7.1 NF @ 25 V
FS75R12KE3_B3	-	RFQ	5036	Infineon技术	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块			355 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																				npt	1200 v	100 a	2.15V @ 15V，75a	5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²