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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IQE004NE1LM7SCATMA1	1.1739	RFQ	1174	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的													-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				6,000
BFP760H6327XTSA1	0.5600	RFQ	17	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP760				240MW			PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000									16.5db〜29dB																												4V	70mA										NPN	160 @ 35mA，3v	45GHz	0.5db〜0.95dB @ 900MHz〜5.5GHz
FS150R17KE3GBOSA1	649.1275	RFQ	2666	Infineon技术	Econopack™+	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS150R17				1050 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	全桥																																			沟渠场停止	1700 v	240 a		2.45V @ 15V，150a					3 ma	是的	13.5 nf @ 25 V
IRFS4010Trl7pp	3.9300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS4010			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							100 v	190a（TC）	10V	4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
BSC883N03MSGATMA1	-	RFQ	5447	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							34 v	（19a（ta），98a（tc）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon技术	Coolmos™CP	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
IPD50R650CEBTMA1	-	RFQ	9428	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							500 v	6.1A（TC）	13V	650MOHM @ 1.8A，13V	3.5V @ 150µA	15 NC @ 10 V	±20V	342 PF @ 100 V	-	47W（TC）
IPB330P10NMATMA1	5.4700	RFQ	762	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB330P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道							100 v	6.9a（62A）（62a tc）	10V	33MOHM @ 53A，10V	4V @ 5.55mA	236 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522074	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DD25DS2016KKHPSA1	-	RFQ	7817	Infineon技术	*	托盘	过时的					DD25DS								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRFH7184TRPBF	-	RFQ	5846	Infineon技术	fastirfet™，hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001570944	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							100 v	20A（20A），128A （TC）	10V	4.8mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），156W（tc）
irlu3303pbf	-	RFQ	4319	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRLI540N	-	RFQ	2184	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI540N	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							100 v	23A（TC）	4V，10V	44mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			60 W			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						480V，6.5a，50ohm，15V																								37 ns						-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG4PSH71KDPBF	-	RFQ	2109	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRG4PSH71	标准			350 w			SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						800V，42A，5OHM，15V																								107 ns						-	1200 v	78 a	156 a	3.9V @ 15V，42a	5.68MJ（在）上，3.23mj off）	410 NC	67NS/230NS
SPW35N60C3FKSA1	11.9100	RFQ	5293	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW35N60			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							650 v	34.6A（TC）	10V	100mohm @ 21.9a，10V	3.9V @ 1.9mA	200 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	313W（TC）
IRFS4228pbf	3.5400	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571734	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							150 v	83A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	4530 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRGS4B60KD1TRRP	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS4B60	标准			63 W			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534000	Ear99	8541.29.0095	800						400V，4A，100OHM，15V																								93 ns						npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRG4BC20SPBF	-	RFQ	8625	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			60 W			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						480V，10a，50ohm，15V																														-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
IRLR8721TRPBF	-	RFQ	5522	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
FZ1200R12KL4CNOSA1	-	RFQ	8633	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					7800 w		标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000014916	Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																																			-	1200 v	1900 a		2.6V @ 15V，1.2KA					5 ma	不	90 nf @ 25 V
IDW20G65C5BXKSA1	-	RFQ	5554	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-247-3				SIC （碳化硅）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224934	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	650 v	10A（DC）	1.7 V @ 10 A		180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0924			MOSFET （金属 o化物）	1W			PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）									30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123		800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA，20mA			14 ma	-	25DB																1.8dB																			5 v
SMBD7000E6327HTSA1	0.4500	RFQ	73	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBD7000			标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对系列连接	100 v	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 100 V	150°C （最大）
IRG8CH29K10D	-	RFQ	8420	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRG8CH								下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IPQC65R125CFD7AXTMA1	2.5642	RFQ	6257	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块				MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-22-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750			n通道							650 v	24A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	32 NC @ 10 V	±20V	1566 PF @ 400 V	-	160W（TC）
PTFB093608SVV2R250XTMA1	-	RFQ	2694	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	H-37275G-6/2	PTFB093608		920MHz〜960MHz	ldmos				H-37275G-6/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000957080	Ear99	8541.29.0095	250				-				360W	20dB																-
TT142N14KOFHPSA1	-	RFQ	9003	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT142N					系列连接 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma															1.4 kV	2 v	4800a @ 50Hz	150 ma	142 a											2 scr
SIDC14D60F6X1SA3	-	RFQ	2963	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死	SIDC14D60			标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v		1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²