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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BB 857 E7902	-	RFQ	4605	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB 857						SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																										0.52pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V								12.7	C1/C28	-
IFS100B17N3E4PB11BPSA1	-	RFQ	9444	Infineon技术	MIPAQ™	托盘	在sic中停产		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	IFS100				600 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	全桥																										沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，100a							1 MA	是的	9 nf @ 25 V
FZ1200R33KL2CNOSA1	-	RFQ	9054	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	模块					14500 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000100618	Ear99	8541.29.0095	1																											-	3300 v	2300 a		3.65V @ 15V，1200A							5 ma	不	145 NF @ 25 V
IGB03N120H2ATMA1616	-	RFQ	8180	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
BSM30GD60DLCBOSA1	-	RFQ	6932	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM30G				135 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																										-	600 v	40 a		2.45V @ 15V，30a							500 µA	不	1.3 nf @ 25 V
IRGP4062DPBF	-	RFQ	8250	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4062	标准			250 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001545058	Ear99	8541.29.0095	400					400V，24a，10ohm，15V																	89 ns					沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	50 NC	41NS/104NS
IRF6893MTRPBF	-	RFQ	2375	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001531710	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						25 v	29a（ta），168a （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 29a，10v	2.1V @ 100µA	38 NC @ 4.5 V	±16V	3480 pf @ 13 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
FS6R06VE3B2BOMA1	-	RFQ	8156	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS6R06				40.5 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	全桥																										-	600 v	11 a		2V @ 15V，6A							1 MA	是的	330 pf @ 25 V
Auirl1404S	-	RFQ	6910	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
DF80R12W2H3B11BOMA1	34.9000	RFQ	285	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					190 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器																										-	1200 v	50 a		1.7V @ 15V，20A							1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
IPP80N08S406AKSA1	3.1300	RFQ	488	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						80 V	80A（TC）	10V	5.8mohm @ 80a，10v	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRL60SL216	-	RFQ	8228	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL60SL216			MOSFET （金属 o化物）			TO-262-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
D2450N06TXPSA1	244.1244	RFQ	9833	Infineon技术	-	托盘	积极的			夹紧	DO-200AB，B-PUK	D2450N06			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	9		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		600 v	880 mv @ 2000 A		50 ma @ 600 V	-40°C〜180°C	2450a	-
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ40N120	标准			500 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，12ohm，15V																						-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
BSC106N025S g	-	RFQ	6782	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						25 v	（13A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），43W（tc）
auirfz24nstrl	-	RFQ	9576	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IGP30N65H5XKSA1	2.8100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP30N65	标准			188 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，15a，23ohm，15V																						沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB049			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
FF225R65T3E3P6BPMA1	1.0000	RFQ	3831	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R65				1000 w	标准	AG-XHP3K65	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																										沟渠场停止	5900 v	225 a		3.4V @ 15V，225a							5 ma	不	65.6 NF @ 25 V
BCW60C	0.0400	RFQ	152	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	8,013																												32 v	100 ma									20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	125MHz
IRFR3518TRPBF	-	RFQ	7857	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）
auirrz44zl	-	RFQ	7525	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				-			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-							51A（TC）	4.5V，10V	-	-		±16V		-	-
FP50R12KT4PB11BPSA1	155.0500	RFQ	5070	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的					FP50R12							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
BSS80C	0.0300	RFQ	6085	Infineon技术	-	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	790
6MS30017E43W40372NOSA1	-	RFQ	2354	Infineon技术	MODSTACK™HD	托盘	过时的		-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6MS30017				29140 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																										-	1700 v	1800 a		-								是的
IGW30N100TFKSA1	-	RFQ	8657	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			412 w		pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240					600V，30a，16ohm，15V																						沟渠场停止	1000 v	60 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	3.8MJ	217 NC	33NS/535NS
BF 5030R E6327	-	RFQ	3326	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SOT-143R	BF 5030		800MHz	MOSFET			PG-SOT-143R-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			25mA		10 MA	-	24dB											1.3dB																3 V
IPL60R255P6AUMA1	-	RFQ	7513	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						600 v	15.9A（TC）	10V	255mohm @ 6.4a，10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	126W（TC）
IRL6372PBF	-	RFQ	5176	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRL6372			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568406	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								30V	8.1a		17.9mohm @ 8.1a，4.5V	1.1V @ 10µA	11NC @ 4.5V		1020pf @ 25V	逻辑级别门
IPP042N03LGXKSA1	1.4900	RFQ	261	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP042			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²