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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压-DC 反向（（vr）（VR））	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IPP60R125CFD7XKSA1	5.0500	RFQ	390	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R125		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	92W（TC）
IPW60R040CFD7XKSA1	11.9000	RFQ	143	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R040		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4.5V @ 1.25mA	109 NC @ 10 V	±20V	4354 PF @ 400 V	-	227W（TC）
IPW60R090CFD7XKSA1	6.9100	RFQ	128	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R090		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	25A（TC）	10V	90MOHM @ 11.4a，10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	125W（TC）
IRF100P218XKMA1	-	RFQ	8939	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRF100		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道							100 v	209a（TC）	6V，10V	1.28mohm @ 100A，10V	3.8V @ 278µA	555 NC @ 10 V	±20V	25000 PF @ 50 V	-	556W（TC）
IDDD04G65C6XTMA1	2.5300	RFQ	3	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	10-powersop模块		IDDD04		SIC （碳化硅）			PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,700		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v	0 ns	14 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	13a	205pf @ 1V，1MHz
IDD08G65C 6XTMA1	4.1400	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	10-powersop模块		IDD08		SIC （碳化硅）			PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,700		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v	0 ns	27 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	24a	401pf @ 1V，1MHz
IM818SCCXKMA1	44.1100	RFQ	1871年	Infineon技术	IM818-SCC	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	IM818						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3相逆变器						8 a	1.2 kV	2500vrms
IPA60R145CFD7XKSA1	4.2900	RFQ	9440	Infineon技术	-	管子	积极的	-	-	-		IPA60R		-			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			-								9A（TC）	-	-	-		-		-	-
IPA60R210CFD7XKSA1	3.2700	RFQ	3138	Infineon技术	-	管子	积极的	-	-	-		IPA60R210		-			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			-								7A（TC）	-	-	-		-		-	-
IPD60R145CFD7ATMA1	3.8500	RFQ	9	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）		ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			DPAK（（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							600 v	16A（TC）	10V	145mohm @ 6.8a，10v	4.5V @ 340µA	31 NC @ 10 V	±20V	1330 PF @ 400 V	-	83W（TC）
IPL60R095CFD7AUMA1	6.1800	RFQ	6190	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R095		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							600 v	25A（TC）	10V	95MOHM @ 1.4A，10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	147W（TC）
IPP60R145CFD7XKSA1	4.2900	RFQ	9068	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R145		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	16A（TC）	10V	145mohm @ 6.8a，10v	4.5V @ 340µA	31 NC @ 10 V	±20V	1330 PF @ 400 V	-	83W（TC）
IPP60R210CFD7XKSA1	3.2700	RFQ	500	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R210		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	12A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	64W（TC）
IPW60R018CFD7XKSA1	25.0400	RFQ	210	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R018		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	101A（TC）	10V	18mohm @ 58.2a，10v	4.5V @ 2.91ma	251 NC @ 10 V	±20V	9901 PF @ 400 V	-	416W（TC）
IRF150P220XKMA1	-	RFQ	9012	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的	-55°C 〜175°C	通过洞	TO-247-3		IRF150		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道							150 v	203A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.6V @ 265µA	200 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 75 V	-	556W（TC）
IPDD60R080G7XTMA1	8.0100	RFQ	6142	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块		ipdd60		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道							600 v	29A（TC）	10V	80Mohm @ 9.7a，10V	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1640 pf @ 400 V	-	174W（TC）
IPDD60R050G7XTMA1	12.2500	RFQ	9331	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块		ipdd60		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道							600 v	47A（TC）	10V	50mohm @ 15.9a，10V	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 400 V	-	278W（TC）
FS200R07A1E3BOMA1	-	RFQ	9175	Infineon技术	Hybridpack™1	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS200R07			790 w	标准	Ag-Hybrid1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001364328	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																										沟渠场停止	650 v	250 a	1.9V @ 15V，200a	1 MA	是的	13 nf @ 25 V
FS200T12A1T4BOSA1	-	RFQ	7984	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-		FS200T12				-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000840730	过时的	0000.00.0000	1	-																										-			-
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-		higfed1				-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-																										-			-
PTAC260302SCV1S250XTMA1	-	RFQ	7626	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-			-	-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001093910	过时的	0000.00.0000	250	-			-	-	-														-
PTFC262808SVV1XWSA1	-	RFQ	9258	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-			-	-			-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028996	过时的	0000.00.0000	250	-			-	-	-														-
F4200R17N3E4BPSA1	284.5000	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F4200R17			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																										沟渠场停止	1700 v	200 a	2.3V @ 15V，200a	1 MA	是的	18 nf @ 25 V
D251K18BB01XPSA1	-	RFQ	6385	Infineon技术	-	托盘	过时的		螺柱坐骑	BG-DSW27-1		D251K		标准			BG-DSW27-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000090533	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			1800 v		30 ma @ 1800 V	-40°C〜180°C	255a	-
DF450R17N2E4PB11BPSA1	197.5220	RFQ	2017	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-	-	-		DF450				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10	-																										-			-
DF600R12N2E4PB11BPSA1	203.2280	RFQ	5851	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	-	-		DF600				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10	-																										-			-
IPA95R750P7XKSA1	2.5300	RFQ	485	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA95R750		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							950 v	9A（TC）	10V	750MOHM @ 4.5A，10V	3.5V @ 220µA	23 NC @ 10 V	±20V	712 PF @ 400 V	-	28W（TC）
IPD95R2K0P7ATMA1	1.4400	RFQ	800	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD95R2		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							950 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 1.7A，10V	3.5V @ 80µA	10 NC @ 10 V	±20V	330 PF @ 400 V	-	37W（TC）
IPU95R3K7P7AKMA1	1.2100	RFQ	917	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU95R3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							950 v	2A（TC）	10V	3.7OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 40µA	6 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 400 V	-	22W（TC）
IPU95R1K2P7AKMA1	1.6400	RFQ	7198	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU95R1		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001792322	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道							950 v	6A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.7a，10V	3.5V @ 140µA	15 NC @ 10 V	±20V	478 PF @ 400 V	-	52W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²