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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	trr）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRGP4266-EPBF	-	RFQ	8996	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			450 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549758	Ear99	8541.29.0095	25					400V，75A，10欧姆，15V																							-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	3.2MJ（在）上，1.7MJ off）	210 NC	80NS/200NS
IRGP4078DPBF	-	RFQ	3646	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			278 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540792	Ear99	8541.29.0095	25					400V，50a，10ohm，15V																							沟	600 v	74 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（（）	92 NC	- /116ns
FS450R12KE3BOSA1	770.8400	RFQ	1980	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS450R12				2100 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																											沟渠场停止	1200 v	600 a		2.15V @ 15V，450a					5 ma	是的	32 NF @ 25 V
FZ1600R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1600				8950 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器																											npt	1700 v	2300 a		2.45V @ 15V，600A					5 ma	是的	145 NF @ 25 V
IM241M6T2JAKMA1	11.1400	RFQ	688	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞		IM241M6				13 W		标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																											-	600 v			1.58V @ 15V，1A						是的
IM241M6T2BAKMA1	11.0800	RFQ	4873	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞		IM241M6				13 W		标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																											-	600 v			1.58V @ 15V，1A						是的
IM241L6T2BAKMA1	12.4500	RFQ	548	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞		IM241L6				15 W		标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																											-	600 v			1.62V @ 15V，2A						是的
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	RFQ	8244	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆		标准	Ag-Econod-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	半桥逆变器																											沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，450a					3 ma	是的	28 NF @ 25 V
IPA50R280E6	0.9400	RFQ	349	Infineon技术	-	大部分	过时的													-				2156-IPA50R280E6			349
IPQC60R017S7XTMA1	18.4700	RFQ	1879年	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块				MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-22	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750		n通道							600 v	30A（TC）	12V	17mohm @ 29a，12v	4.5V @ 1.89mA	196 NC @ 12 V	±20V	7370 pf @ 300 V	-	500W（TC）
IPDQ60R040S7AXTMA1	11.1000	RFQ	5649	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ60R			MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-22-1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750		n通道							600 v	14A（TC）	12V	40mohm @ 13a，12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 V	±20V		-	272W（TC）
BF2030-E6327	-	RFQ	7196	Infineon技术	-	大部分	积极的	8 V			TO-253-4，TO-253AA			1GHz	MOSFET				SOT143（SC-61）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		-			10 MA	-	23dB																	1.5dB											5 v
IPI65R099C6XKSA1	-	RFQ	7674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							650 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 12.8a，10v	3.5V @ 1.2mA	127 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 100 V	-	278W（TC）
FS05MR12A6MA1BBPSA1	1.0000	RFQ	7004	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的		-	底盘安装	模块	FS05MR12			（SIC）	-			Ag-Hybridd-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6									1200V（1.2kV）	200a		-	-	-		-	-
SKB06N60ATMA1	-	RFQ	8352	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB06N	标准			68 w			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，6A，50OHM，15V																					200 ns		npt	600 v	12 a	24 a	2.4V @ 15V，6a	215µJ	32 NC	25NS/220NS
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9540			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道							100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），110W（tc）
DR11244159NDSA1	-	RFQ	6154	Infineon技术	-	托盘	过时的													-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IMW65R039M1HXKSA1	17.4100	RFQ	44	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R			sicfet （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道							650 v	46A（TC）	18V	50mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+20V，-2V	1393 PF @ 400 V	-	176W（TC）
AUIRFS4410Z	-	RFQ	3887	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520704	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRLR3717TRRPBF	-	RFQ	8867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001569116	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
T1330N20TOFVTXPSA1	-	RFQ	2836	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T1330N					单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															2.2 kV	2600 a	2.2 v	2650a @ 50Hz	250 MA	1330 a			1 scr
FF225R12ME4PBPSA1	177.1167	RFQ	2104	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R12				20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥																											沟渠场停止	1200 v	450 a		2.15V @ 15V，225a					3 ma	是的	13 nf @ 25 V
IRF7701TR	-	RFQ	8482	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）				8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575290	Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道							12 v	10A（TC）	1.8V，4.5V	11mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±8V	5050 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
IPI05CN10N g	-	RFQ	7900	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI05C			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							100 v	100A（TC）	10V	5.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	300W（TC）
irlr3715ztrl	-	RFQ	5338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558946	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
BCP55E6327HTSA1	-	RFQ	7912	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP55				2 w			PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																													60 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
IRF3703PBF	4.1700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3703			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道							30 V	210a（TC）	7V，10V	2.8mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	209 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），230W（TC）
BCR 192L3 E6327	-	RFQ	7435	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 192				250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																													50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BCR10PNH6730	-	RFQ	8007	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR10				250MW			PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																													50V	100mA							100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
T2563N85TS12XOSA1	-	RFQ	3829	Infineon技术	-	大部分	过时的		120°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF						单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				100 ma															8.5 kV	3600 a		93000a @ 50Hz		3330 a			1 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²