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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AIGW50N65H5XKSA1	7.7800	RFQ	3081	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW50	标准		270 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，25a，12ohm，15V												沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
BSC025N03MSGATMA1	1.4100	RFQ	7472	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC025		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	23A（TA）。）。100A（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IPN60R2K1CE	-	RFQ	3514	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			600 v	3.7A（TC）	10V	2.1OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	5W（TC）
BSZ050N03LSG	1.0000	RFQ	8626	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道			30 V	16a（16a），80A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
IMT65R107M1HXTMA1	-	RFQ	8797	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R						-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
IPT039N15N5ATMA1	7.3500	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			150 v	21a（21A），190a （TC）	8V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	4.6V @ 257µA	98 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），319W（tc）
IMT65R022M1HXTMA1	-	RFQ	3711	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				IMT65R						-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
AUIRFB8405-071	-	RFQ	7744	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IPT65R190CFD7XTMA1	1.6315	RFQ	7495	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）			收费	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			650 v	-	-	-	-		-		-	-
IPP80CN10NGXKSA1	0.4600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-123	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道			100 v	13A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
SPA20N60CFD	3.0600	RFQ	111	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道			600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IPT65R080CFD7XTMA1	3.3605	RFQ	6407	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			-			PG-HSOF-8-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-			650 v	-	-	-	-		-		-	-
ISC030N12NM6ATMA1	5.5400	RFQ	1581年	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC030N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	-		（1 （无限）					5,000		n通道			120 v	21a（21a），194a （TC）	8V，10V	3.04mohm @ 50a，10v	3.6V @ 141µA	74 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 60 V	-	（3W（ta），250W（tc）
IPD380P06NMATMA1	2.3500	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD380		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			60 V	35A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 1.7mA	63 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	125W（TC）
IRG7CH75UEF-R	-	RFQ	7405	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG7CH	标准				死	下载		不适用	到达不受影响	SP001548040	过时的	0000.00.0000	1				600V，100A，5OHM，15V												-	1200 v			2V @ 15V，100a	-	770 NC	120NS/890NS
IGP10N60TATMA1	-	RFQ	4884	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		110 w		pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				400V，10a，23ohm，15V												NPT，沟渠场停止	600 v	24 a	30 a	2.05V @ 15V，10A	160µJ（在）上，270µJ（270µJ）	62 NC	12NS/215NS
IKQB120N75CP2AKSA1	15.8800	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
BSM50GP60B2BOSA1	53.3300	RFQ	11	Infineon技术	*	大部分	积极的				BSM50G						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FP75R07N2E4B16BPSA1	127.9073	RFQ	2419	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器															沟渠场停止	650 v	95 a		1.95V @ 15V，75a						1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
IRG4RC10UTRLPBF	-	RFQ	4568	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10U	标准		38 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001547814	Ear99	8541.29.0095	3,000				480V，5A，100OHM，15V												-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	80µJ（在）（160µJ）（OFF）上）	15 NC	19NS/116NS
SGP15N60XKSA1	-	RFQ	3718	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP15N	标准		139 w		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				400V，15A，21OHM，15V												npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
SIGC42T60UNX7SA1	-	RFQ	1099	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC42T60	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				400V，50a，6.8Ohm，15V												npt	600 v	50 a	150 a	3.15V @ 15V，50a	-		48NS/350NS
IPC70N04S54R6ATMA1	1.1000	RFQ	4360	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC70N04		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			40 V	70A（TC）	7V，10V	4.6mohm @ 35a，10v	3.4V @ 17µA	24.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPI65R310CFDXKSA1	-	RFQ	9693	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IRG6S330UPBF	-	RFQ	9487	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRG6S330	标准		160 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540476	Ear99	8541.29.0095	50				196V，25a，10ohm												沟	330 v	70 a		2.1V @ 15V，70a	-	86 NC	39NS/120NS
IPP048N12N3 g	-	RFQ	3908	Infineon技术	*	大部分	过时的										-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BAT6307WH6327XTSA1	-	RFQ	9299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-82A，SOT-343	BAT63					PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			100 ma											100兆	0.85pf @ 0.2V，1MHz									Schottky -2独立	3V				-
BC817-16B5003	0.0200	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
IPD50N04S410ATMA1	1.1500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	50A（TC）	10V	9.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 15µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	41W（TC）
IPD25DP06LMSAUMA1	-	RFQ	2824	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25DP06		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987234	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			60 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.5a，10v	2V @ 270µA	13.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²