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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPB13N03LB g	-	RFQ	9149	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB13N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1355 pf @ 15 V	-	52W（TC）
IPB25N06S3-25	-	RFQ	6174	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB25N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	25A（TC）	10V	24.8mohm @ 15a，10v	4V @ 20µA	41 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IPB45N06S3-16	-	RFQ	5970	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	45A（TC）	10V	15.4mohm @ 23A，10V	4V @ 30µA	57 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	65W（TC）
IPB77N06S3-09	-	RFQ	9248	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB77N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	77A（TC）	10V	8.8mohm @ 39a，10v	4V @ 55µA	103 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPB80N06S3L-05	-	RFQ	5388	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	80A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 69A，10V	2.2V @ 115µA	273 NC @ 10 V	±16V	13060 pf @ 25 V	-	165W（TC）
IPD03N03LA g	1.4900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD03N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	90A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 60a，10v	2V @ 70µA	41 NC @ 5 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IPD06N03LB g	-	RFQ	4543	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 50a，10v	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	83W（TC）
IPD127N06LGBTMA1	-	RFQ	6218	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD127		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	50A（TC）	4.5V，10V	12.7mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 30 V	-	136W（TC）
IPD12N03LB g	-	RFQ	8058	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD12N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	11.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	52W（TC）
BFR183E6327HTSA1	0.5100	RFQ	26	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR183			450MW	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000						17.5db												12V	65mA			NPN		70 @ 15mA，8v	8GHz	0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
BFR 92W E6327	-	RFQ	1242	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR 92			280MW	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000						11.5db〜17dB												15V	45mA			NPN		70 @ 15mA，8v	5GHz	1.4db〜2dB @ 900MHz〜1.8GHz
BFS 481 E6327	-	RFQ	1072	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BFS 481			175MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000						20dB												12V	20mA			2 NPN （双）		70 @ 5mA，8v	8GHz	0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BG3130E6327HTSA1	-	RFQ	9934	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3130	800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA	14 ma	-	24dB											1.3dB			5 v
BG 3230 E6327	-	RFQ	6546	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	6,000	2 n 通道（双）		25mA		-	24dB											1.3dB			5 v
BSC029N025S g	-	RFQ	5987	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.9MOHM @ 50a，10V	2V @ 80µA	41 NC @ 5 V	±20V	5090 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），78W（tc）
BSC037N025S g	-	RFQ	8349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	21a（21A），100A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 50µA	29 NC @ 5 V	±20V	3660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
BSC059N03S g	-	RFQ	5255	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	17.5A（ta），73A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 35µA	21 NC @ 5 V	±20V	2670 pf @ 15 V	-	17.5W（ta），48W（tc）
BSC072N025S g	-	RFQ	8721	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 40a，10v	2V @ 30µA	18 nc @ 5 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），60W（TC）
BSC085N025S g	-	RFQ	6621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	（14a）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 25µA	14 NC @ 5 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），52W（（ta）
BSC106N025S g	-	RFQ	6782	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	（13A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），43W（tc）
BSL211SPL6327HTSA1	-	RFQ	3366	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 4.7A，4.5V	1.2V @ 25µA	12.4 NC @ 4.5 V	±12V	654 pf @ 15 V	-	2W（TA）
BSO300N03S	-	RFQ	7984	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	5.7A（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7.2a，10v	2V @ 8µA	4.6 NC @ 5 V	±20V	600 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
BSO350N03	-	RFQ	6117	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO350N03		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	5a		35mohm @ 6a，10v	2V @ 6µA	3.7nc @ 5V		480pf @ 15V	逻辑级别门
BSP62E6327HTSA1	-	RFQ	7905	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP62			1.5 w	PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																		80 V	1 a		10µA	pnp-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
BSP125 E6327	-	RFQ	3629	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP125 E6433	-	RFQ	5008	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP125L6327HTSA1	-	RFQ	1802年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP129L6906HTSA1	-	RFQ	9937	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BSP135 E6327	-	RFQ	9674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BSP135L6327HTSA1	-	RFQ	7659	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²