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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
FS650R08A4P2BPSA1	545.4500	RFQ	16	Infineon技术	HybridPack™DC6	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS650R08			20兆	标准	Ag-Hybdc6i-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	16	三相逆变器																						沟渠场停止	750 v	375 a		1.35V @ 15V，375a						1 MA	是的	65 NF @ 50 V
SIDC07D60F6X1SA3	-	RFQ	4782	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC07D60		标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v	1.6 V @ 22.5 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	22.5a	-
IPS50R520CP	-	RFQ	7830	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS50R		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			550 v	7.1A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 100 V	-	66W（TC）
SIGC18T60NCX1SA1	-	RFQ	4199	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，20a，13ohm，15V																		npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
IRG7U150HF12B	-	RFQ	1723年	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u			900 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																						-	1200 v	300 a		2V @ 15V，150a						1 MA	不	14 NF @ 25 V
BSS138N-E6327	-	RFQ	8873	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BAT54WH6327	1.0000	RFQ	8290	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54		肖特基			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														30 V	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz
FZ1200R12KF4NOSA1	-	RFQ	7347	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				7800 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																						-	1200 v	1200 a		3.2V @ 15V，1.2KA						16 ma	不	90 nf @ 25 V
DF400R12KE3	-	RFQ	5846	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				2000 w	标准	模块	下载					Ear99	8542.29.0095	1	单身的																						沟渠场停止	1200 v	580 a		2.15V @ 15V，400A						5 ma	不	28 NF @ 25 V
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-	higfed1				-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-																						-				-
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	RFQ	2599	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65		sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	54A（TC）	18V	51mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+23V，-5V	1393 PF @ 400 V	-	211W（TC）
BAT15099E6327HTSA1	0.6900	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		TO-253-4，TO-253AA	BAT15099					PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				110 MA											100兆							0.35pf @ 0v，1MHz									Schottky -2独立	4V				-
BCW60A	0.0400	RFQ	1922年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	366																								32 v	100 ma								20NA				NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	125MHz
BSP129L6906HTSA1	-	RFQ	9937	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRG4BC15UD-S	-	RFQ	9591	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，7.8a，75ohm，15V													28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IKY50N120CH3XKSA1	13.6700	RFQ	3955	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY50N120	标准		652 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，50a，10ohm，15V													255 ns					-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	235 NC	32NS/296NS
IGB30N60T	-	RFQ	7450	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		187 W		pg-to263-3-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，30a，10.6Ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	45 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	（690µJ）（在），770µJ（OFF）上）	167 NC	23ns/254ns
BSM15GD120DN2E3224BDLA1	-	RFQ	8226	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM15G			145 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	1200 v	25 a		3V @ 15V，15a						500 µA	不	1 nf @ 25 V
AIKBE50N65RF5ATMA1	8.0195	RFQ	8245	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIKBE50N65RF5ATMA1TR			1,000
irfr9n20dtrlpbf	-	RFQ	9925	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001578328	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			200 v	9.4A（TC）	10V	380MOHM @ 5.6A，10V	5.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 25 V	-	86W（TC）
BSM15GP120B2BOSA1	-	RFQ	8094	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM15G			180 w	三相桥梁整流器	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	1200 v	35 a		2.55V @ 15V，15a						500 µA	是的	1 nf @ 25 V
SKP04N60	0.9500	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SKP04N	标准		50 W		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					400V，4A，67OHM，15V													180 ns					npt	600 v	9.4 a	19 a	2.4V @ 15V，4A	131µJ	24 NC	22NS/237NS
BBY5702WH6327XTSA1	-	RFQ	9474	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-80	BBY57					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																						5.5pf @ 4V，1MHz									单身的	10 v									4.5	C1/C4	-
IRG7T400SD12B	-	RFQ	6406	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t			2140 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542008	Ear99	8541.29.0095	15	单身的																						-	1200 v	780 a		2.2V @ 15V，400A						4 mA	不	58.5 nf @ 25 V
FS50R12KE3BPSA1	120.2700	RFQ	14	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS50R12			270 w	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器																						-	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，50a						5 ma	是的	3.5 nf @ 25 V
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	RFQ	3324	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	底盘安装	模块					标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																						沟渠场停止	2000 v			-							不
IRG4IBC30WPBF-INF	1.5600	RFQ	844	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W		到220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1					480V，12a，23ohm，15V																		-	600 v	17 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRF6797MTRPBF	-	RFQ	1554年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX	IRF6797		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001530232	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			25 v	36a（TA），210A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 38a，10v	2.35V @ 150µA	68 NC @ 4.5 V	±20V	5790 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
SIGC14T60NCX1SA6	-	RFQ	6204	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，15a，18ohm，15V																		npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
FP50R07N2E4B11BOSA1	-	RFQ	7095	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP50R07				标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																						沟渠场停止	650 v	70 a		1.95V @ 15V，50a						1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²