SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
F433MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies F433MR12W1M1HB70BPSA1 98.4113
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 24
IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF8714TRPBFXTMA1 0.2965
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 448-IRF8714TRPBFXTMA1TR 4,000
FF750R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF750R17ME7B11BPSA1 407.9000
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 Infineon技术 EconoDual™,Trenchstop™ 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 标准 ag-econod - rohs3符合条件 448-FF750R17ME7B11BPSA1 10 单身的 沟渠场停止 1700 v 750 a -
FF600R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PEHPSA1 261.2688
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 Infineon技术 C,Trenchstop™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 标准 Ag-62mmhb - rohs3符合条件 8 半桥逆变器 沟渠场停止 1200 v 600 a 1.75V @ 15V,600A 100 µA 92300 PF @ 25 V
IHW30N140R5LXKSA1 Infineon Technologies IHW30N140R5LXKSA1 4.1500
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 448-IHW30N140R5LXKSA1 Ear99 8541.29.0095 30
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R008M1HXKSA1 23.4800
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R008M1HXKSA1 240
IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T017S7XTMA1 11.5917
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IPDQ60T017S7XTMA1TR 750
F3L600R10W4S7FH11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FH11BPSA1 225.1700
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 6
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,CoolMos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 22-Powerbsop模块 MOSFET (金属 o化物) PG-HDSOP-22-1 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 750 n通道 650 v 45A(TC) 10V 60mohm @ 16.4a,10v 4.5V @ 820µA 65 NC @ 10 V ±20V 3288 PF @ 400 V - 272W(TC)
IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6CGSCATMA1 1.2170
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR 6,000
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R020M1TXKSA1 29.1415
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZH120R020M1TXKSA1 240
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R016M1HXKSA1 18.9442
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R016M1HXKSA1 240
F4250R07W2H5FB11BPSA1 Infineon Technologies F4250R07W2H5FB11BPSA1 52.0800
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-F4250R07W2H5FB11BPSA1 15
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R090M1HXKSA1 240
AIMZA75R020M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R020M1HXKSA1 17.0765
RFQ
ECAD 7974 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 240
ISC0605NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0605NLSATMA1 1.4175
RFQ
ECAD 8427 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-ISC0605NLSATMA1TR 5,000
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R140M1HXKSA1 6.4037
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R140M1HXKSA1 240
ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies ISC032N12LM6ATMA1 1.8378
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-ISC032N12LM6ATMA1TR 5,000
SIGC14T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC14T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 7154 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC14 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 300V,15a,18ohm,15V npt 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V,15a - 21NS/110NS
SIGC12T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA2 -
RFQ
ECAD 1844年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC12 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,10a,25ohm,15V npt 600 v 10 a 30 a 2.5V @ 15V,10a - 29NS/266NS
SIGC54T60R3EX1SA2 Infineon Technologies SIGC54T60R3EX1SA2 -
RFQ
ECAD 9263 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 SIGC54 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - 沟渠场停止 600 v 100 a 300 a 1.85V @ 15V,100a - -
SIGC12T60SNCX1SA4 Infineon Technologies SIGC12T60SNCX1SA4 -
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC12 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,10a,25ohm,15V npt 600 v 10 a 30 a 2.5V @ 15V,10a - 29NS/266NS
SIGC18T60SNCX1SA3 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX1SA3 -
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC18 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,20a,16ohm,15V npt 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V,20A - 36NS/250NS
SIGC25T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX7SA1 -
RFQ
ECAD 2513 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC25 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,30a,11ohm,15V npt 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V,30a - 44NS/324NS
SIGC18T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC18T60SNCX7SA1 -
RFQ
ECAD 2544 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC18 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,20a,16ohm,15V npt 600 v 20 a 60 a 2.5V @ 15V,20A - 36NS/250NS
SIGC61T60NCX1SA1 Infineon Technologies SIGC61T60NCX1SA1 -
RFQ
ECAD 8876 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC61T60 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 300V,75a,3ohm,15v npt 600 v 75 a 225 a 2.5V @ 15V,75a - 65NS/170NS
SIGC15T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC15T60EX7SA1 -
RFQ
ECAD 1753年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 - - - SIGC15 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - - -
SIGC25T60NCX1SA7 Infineon Technologies SIGC25T60NCX1SA7 -
RFQ
ECAD 9389 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC25 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 300V,30a,8.2Ohm,15V npt 600 v 30 a 90 a 2.5V @ 15V,30a - 21NS/110NS
SIGC42T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC42T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 SIGC42T60 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 300V,50a,3.3ohm,15V npt 600 v 50 a 150 a 2.5V @ 15V,50a - 43NS/130NS
SIGC14T60SNCX1SA2 Infineon Technologies SIGC14T60SNCX1SA2 -
RFQ
ECAD 5645 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC14 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 400V,15A,21OHM,15V npt 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V,15a - 31NS/261NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库