SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies IPB120N10S405ATMA1 3.9600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB120 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 120A(TC) 10V 5mohm @ 100a,10v 3.5V @ 120µA 91 NC @ 10 V ±20V 6540 pf @ 25 V - 190w(TC)
IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA1 3.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB120 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 40 V 120A(TC) 10V 3.5MOHM @ 100A,10V 4V @ 340µA 205 NC @ 10 V ±20V 14790 pf @ 25 V - 136W(TC)
IPB140N08S404ATMA1 Infineon Technologies IPB140N08S404ATMA1 -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB140 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 80 V 140a(TC) 10V 4.2MOHM @ 100A,10V 4V @ 100µA 80 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 161W(TC)
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S4LH1ATMA1 3.6100
RFQ
ECAD 7793 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB160 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 160a(TC) 4.5V,10V 1.5MOHM @ 100A,10V 2.2V @ 110µA 190 NC @ 10 V +20V,-16V 14950 PF @ 25 V - 167W(TC)
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies IPB17N25S3100ATMA1 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB17N25 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 17a(TC) 10V 100mohm @ 17a,10v 4V @ 54µA 19 nc @ 10 V ±20V 1500 pf @ 25 V - 107W(TC)
IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies IPB180N10S403ATMA1 5.5100
RFQ
ECAD 343 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB180 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 180a(TC) 10V 3.3MOHM @ 100A,10V 3.5V @ 180µA 140 NC @ 10 V ±20V 10120 PF @ 25 V - 250W(TC)
IPB240N04S4R9ATMA1 Infineon Technologies IPB240N04S4R9ATMA1 6.7200
RFQ
ECAD 2915 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB240 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 240a(TC) 10V 0.87MOHM @ 100A,10V 4V @ 230µA 290 NC @ 10 V ±20V 23000 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPB60R600P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R600P6ATMA1 -
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™P6 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB60R MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001313874 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 7.3A(TC) 10V 600MOHM @ 2.4a,10V 4.5V @ 200µA 12 nc @ 10 V ±20V 557 PF @ 100 V - 63W(TC)
IPB65R095C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R095C7ATMA1 -
RFQ
ECAD 3881 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB65R MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001080124 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 24A(TC) 10V 95mohm @ 11.8a,10v 4V @ 590µA 45 NC @ 10 V ±20V 2140 pf @ 400 V - 128W(TC)
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies IPB65R310CFDAATMA1 3.4900
RFQ
ECAD 992 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,CoolMos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB65R310 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 11.4A(TC) 10V 310MOHM @ 4.4A,10V 4.5V @ 440µA 41 NC @ 10 V ±20V 1110 PF @ 100 V - 104.2W(TC)
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80P MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 40 V 80A(TC) 10V 7.4mohm @ 80a,10v 4V @ 150µA 89 NC @ 10 V ±20V 6085 pf @ 25 V - 88W(TC)
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L04ATMA1 -
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80P MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 40 V 80A(TC) 4.5V,10V 4.4mohm @ 80a,10v 2.2V @ 250µA 176 NC @ 10 V ±16V 3800 PF @ 25 V - 125W(TC)
IPB80P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA1 -
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80P MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 40 V 80A(TC) 4.5V,10V 7.9MOHM @ 80a,10V 2.2V @ 120µA 92 NC @ 10 V ±16V 5430 pf @ 25 V - 75W(TC)
IPB80R290C3AATMA1 Infineon Technologies IPB80R290C3AATMA1 -
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 IPB80R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
IPD5N25S3430ATMA1 Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1 1.1400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD5N25 MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-313 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 5A(TC) 10V 430MOHM @ 5A,10V 4V @ 13µA 6.2 NC @ 10 V ±20V 422 PF @ 25 V - 41W(TC)
IPD60R180C7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R180C7ATMA1 3.2200
RFQ
ECAD 8721 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 ipd60r MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 13A(TC) 10V 180MOHM @ 5.3A,10V 4V @ 260µA 24 NC @ 10 V ±20V 1080 pf @ 400 V - 68W(TC)
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R950C6ATMA1 0.6495
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C6 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD65R950 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 4.5A(TC) 10V 950MOHM @ 1.5A,10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 V ±20V 328 pf @ 100 V - 37W(TC)
IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies ipd80r2k8ceatma1 1.2000
RFQ
ECAD 8457 0.00000000 Infineon技术 CoolMos™CE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD80R2 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 1.9A(TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a,10v 3.9V @ 120µA 12 nc @ 10 V ±20V 290 pf @ 100 V - 42W(TC)
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET (金属 o化物) 29W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 100V 16a 61mohm @ 16a,10v 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 1.1200
RFQ
ECAD 5670 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG16N10 MOSFET (金属 o化物) 29W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 100V 16a 61mohm @ 16a,10v 2.1V @ 90µA 11NC @ 10V 845pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1 1.4600
RFQ
ECAD 5077 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 41W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 40V 20a 12.2mohm @ 17a,10v 4V @ 15µA 18NC @ 10V 1470pf @ 25V -
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L07AATMA1 1.7800
RFQ
ECAD 1573年 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 65W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 40V 20a 7.2mohm @ 17a,10v 2.2V @ 30µA 50NC @ 10V 3980pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L35AATMA1 1.2800
RFQ
ECAD 5813 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装,可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 65W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 55V 20A(TC) 35mohm @ 15a,10v 2V @ 27µA 23nc @ 10V 790pf @ 25V 逻辑级别门
IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2 1.3800
RFQ
ECAD 5402 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 50W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 60V 20a 15.5mohm @ 17a,10v 4V @ 20µA 29nc @ 10V 2260pf @ 25V -
IPI120N10S405AKSA1 Infineon Technologies IPI120N10S405AKSA1 -
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI120N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 120A(TC) 10V 5.3MOHM @ 100A,10V 3.5V @ 120µA 91 NC @ 10 V ±20V 6540 pf @ 25 V - 190w(TC)
IPI120P04P404AKSA1 Infineon Technologies IPI120P04P404AKSA1 -
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI120p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000842274 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 40 V 120A(TC) 10V 3.8mohm @ 100a,10v 4V @ 340µA 205 NC @ 10 V ±20V 14790 pf @ 25 V - 136W(TC)
IPI70P04P409AKSA1 Infineon Technologies IPI70P04P409AKSA1 -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA ipi70p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000735974 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 40 V 72A(TC) 10V 9.4mohm @ 70a,10v 4V @ 120µA 70 NC @ 10 V ±20V 4810 PF @ 25 V - 75W(TC)
IPI80P03P405AKSA1 Infineon Technologies IPI80P03P405AKSA1 -
RFQ
ECAD 5044 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI80p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000396316 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 30 V 80A(TC) 10V 5mohm @ 80a,10v 4V @ 253µA 130 NC @ 10 V ±20V 10300 PF @ 25 V - 137W(TC)
IPI80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies IPI80P04P4L06AKSA1 -
RFQ
ECAD 7235 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA IPI80p MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000842050 Ear99 8541.29.0095 500 P通道 40 V 80A(TC) 4.5V,10V 6.7MOHM @ 80A,10V 2.2V @ 150µA 104 NC @ 10 V +5V,-16V 6580 pf @ 25 V - 88W(TC)
IPL65R070C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R070C7AUMA1 10.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 4-POWERTSFN IPL65R070 MOSFET (金属 o化物) PG-VSON-4 下载 rohs3符合条件 2a (4周) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 28a(TC) 10V 70MOHM @ 8.5A,10V 4V @ 850µA 64 NC @ 10 V ±20V 3020 PF @ 100 V - 169W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库