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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPZ65R065C7XKSA1	11.9900	RFQ	240	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZ65R065			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	33A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	171W（TC）
PTAB182002TCV2R250XUMA1	-	RFQ	1655年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	H-37248-4	PTAB182002		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		H-37248-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001234430	Ear99	8541.29.0095	250	双重，共同来源			10µA		520 MA	180W	14.8db											-																28 V
PTFB093608FVV2R250XTMA1	-	RFQ	5295	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000997836	Ear99	8541.29.0095	250
PTFB093608FVV2XWSA1	-	RFQ	4096	Infineon技术	*	托盘	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000997834	Ear99	8541.29.0095	35
PTFB093608SVV2R250XTMA1	-	RFQ	2694	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	H-37275G-6/2	PTFB093608		920MHz〜960MHz	ldmos		H-37275G-6/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000957080	Ear99	8541.29.0095	250				-			360W	20dB											-
PTFC210202FCV1XWSA1	-	RFQ	6828	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	65 v		底盘安装	H-37248-4			2.2GHz	ldmos		H-37248-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001096308	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-		170 MA	5W	21dB											-																28 V
PTFC262808SVV1R250XTMA1	-	RFQ	5974	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-37275G-6/2			2.62GHZ〜2.69GHz	ldmos		H-37275G-6/2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028998	Ear99	8541.29.0095	250	双重的			10µA			56W	19.5db											-
PTVA093002TCV1R250XUMA1	-	RFQ	8324	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v			H-37248G-4/2	PTVA093002		730MHz〜960MHz	ldmos		H-49248H-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001226874	Ear99	8541.29.0095	250	双重，共同来源			10µA		400 MA	300W	18.5db											-																50 V
PTVA101K02EVV1XWSA1	-	RFQ	8837	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V		底盘安装	H-36275-4			1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		H-36275-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001033548	Ear99	8541.29.0095	30	双重的			-			950W	17.5db											-
PTVA120251EAV2XWSA1	-	RFQ	6807	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V		表面安装	H-36265-2			500MHz〜1.4GHz	ldmos		H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001210504	Ear99	8541.29.0095	50				-			30W	16dB											-
PTVA120501EAV1XWSA1	-	RFQ	2139	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v		表面安装	H-36265-2			1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001152986	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			-			50W	-											-
PTVA123501ECV2XWSA1	-	RFQ	2346	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001237182	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			10µA			350W	17dB											-
PTVA123501FCV1XWSA1	-	RFQ	4901	Infineon技术	-	托盘	过时的	105 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			1.2GHz〜1.4GHz	ldmos		H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001145562	Ear99	8541.29.0095	50	双重的			10µA			350W	17dB											-
SN7002WH6433XTMA1	0.0551	RFQ	5203	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计					SN7002						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000											4.5V，10V				±20V
BAS7002VH6327XTSA1	0.4800	RFQ	70	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	BAS7002			肖特基		PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		70 v	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）	70mA	2pf @ 0v，1MHz
BAT6402VH6327XTSA1	0.4000	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523	BAT6402			肖特基		PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		40 V	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	250mA	6pf @ 0v，1MHz
BB85702VH7902XTSA1	0.1221	RFQ	3205	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB85702					PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																										0.52pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V							12.7	C1/C28	-
BCX5116H6327XTSA1	-	RFQ	7007	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5116				2 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																												45 v	1 a									100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
BF888H6327XTSA1	0.2385	RFQ	8925	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF888				160MW	PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								27dB																				4V	30mA										NPN		250 @ 25a，3v	47GHz	0.5db〜0.85dB @ 1.8GHz〜6GHz
BFR843EL3E6327XTSA1	0.2870	RFQ	30	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BFR843				125MW	PG-TSLP-3-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	15,000								25.5db																				2.6V	55mA										NPN			-
BSC034N06NSATMA1	1.9000	RFQ	14	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC034			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						60 V	100A（TC）	6V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 41µA	41 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
BSC037N08NS5ATMA1	2.5400	RFQ	23	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC037			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						80 V	100A（TC）	6V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 72µA	58 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），114w（tc）
BSC072N08NS5ATMA1	1.8300	RFQ	53	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC072			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						80 V	74A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 37A，10V	3.8V @ 36µA	29 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0924			MOSFET （金属 o化物）	1W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）								30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BSC110N15NS5ATMA1	3.4500	RFQ	7904	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC110			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						150 v	76A（TC）	8V，10V	11mohm @ 38a，10v	4.6V @ 91µA	35 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 75 V	-	125W（TC）
BSL202SNH6327XTSA1	0.6400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL202			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						20 v	7.5A（ta）	2.5V，4.5V	22MOHM @ 7.5A，4.5V	1.2V @ 30µA	8.7 NC @ 10 V	±12V	1147 PF @ 10 V	-	2W（TA）
BSL207NH6327XTSA1	-	RFQ	1113	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BSL207			MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001100648	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
IKW40N65F5AXKSA1	-	RFQ	9294	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw40n	标准			250 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001187508	Ear99	8541.29.0095	240					400V，20a，15ohm，15V																	73 ns					沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
IKW50N65ES5XKSA1	7.5300	RFQ	7548	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW50N65	标准			274 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，50a，8.2Ohm，15V																	70 ns					沟	650 v	80 a	200 a	1.7V @ 15V，50a	（1.23mj）（在550µJ上）	120 NC	20N/127NS
IKW50N65F5AXKSA1	-	RFQ	6525	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw50n	标准			270 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240					400V，25a，12ohm，15V																	77 ns					沟	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	108 NC	21NS/156NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²