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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f
DF80R12W2H3B11BOMA1	34.9000	RFQ	285	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				190 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器															-	1200 v	50 a		1.7V @ 15V，20A						1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
IPP80N08S406AKSA1	3.1300	RFQ	488	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			80 V	80A（TC）	10V	5.8mohm @ 80a，10v	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRL60SL216	-	RFQ	8228	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL60SL216		MOSFET （金属 o化物）			TO-262-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ40N120	标准		500 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，12ohm，15V												-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
BSC106N025S g	-	RFQ	6782	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			25 v	（13A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），43W（tc）
auirfz24nstrl	-	RFQ	9576	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IGP30N65H5XKSA1	2.8100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP30N65	标准		188 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，15a，23ohm，15V												沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB049		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
FF225R65T3E3P6BPMA1	1.0000	RFQ	3831	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R65			1000 w	标准	AG-XHP3K65	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立															沟渠场停止	5900 v	225 a		3.4V @ 15V，225a						5 ma	不	65.6 NF @ 25 V
IRFR3518TRPBF	-	RFQ	7857	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）
auirrz44zl	-	RFQ	7525	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			-			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-				51A（TC）	4.5V，10V	-	-		±16V		-	-
FP50R12KT4PB11BPSA1	155.0500	RFQ	5070	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的				FP50R12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
BSS80C	0.0300	RFQ	6085	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	790
6MS30017E43W40372NOSA1	-	RFQ	2354	Infineon技术	MODSTACK™HD	托盘	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6MS30017			29140 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器															-	1700 v	1800 a		-							是的
IGW30N100TFKSA1	-	RFQ	8657	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		412 w		pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				600V，30a，16ohm，15V												沟渠场停止	1000 v	60 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	3.8MJ	217 NC	33NS/535NS
IPL60R255P6AUMA1	-	RFQ	7513	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			600 v	15.9A（TC）	10V	255mohm @ 6.4a，10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	126W（TC）
IRL6372PBF	-	RFQ	5176	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRL6372		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568406	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）				30V	8.1a		17.9mohm @ 8.1a，4.5V	1.1V @ 10µA	11NC @ 4.5V		1020pf @ 25V	逻辑级别门
IRFB3407ZPBF	2.4100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3407		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道			75 v	120A（TC）	10V	6.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IPA65R065C7XKSA1	10.2700	RFQ	442	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R065		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			650 v	15A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	34W（TC）
IPI072N10N3GXKSA1	-	RFQ	5070	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI072		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			100 v	80A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
IPI60R099CPAAKSA1	-	RFQ	5310	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	31a（TC）	10V	105mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W（TC）
Auirfr2905ztr	-	RFQ	1465	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522230	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			55 v	42A（TC）		14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V		1380 pf @ 25 V	-
irfr4105ztrl	-	RFQ	9090	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BSO615CGHUMA1	-	RFQ	8940	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO615		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道				60V	3.1a，2a		110MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 20µA	22.5nc @ 10V		380pf @ 25V	逻辑级别门
IRF6638TRPBF	-	RFQ	4606	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			30 V	25a（25A），140a （TC）	4.5V，10V	2.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	3770 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF8736TRPBF	0.7800	RFQ	2845	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8736		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BAR6405WE6433	0.0300	RFQ	2222	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323						PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	7,000			100 ma											250兆	0.35pf @ 20V，1MHz									PIN-单	150V				1.35OHM @ 100mA，100MHz
IPD60R650CEBTMA1	-	RFQ	7490	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001369530	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	82W（TC）
IPB093N04LGATMA1	-	RFQ	4676	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB093N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 16µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
AUIRF4905STRL	6.4500	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF4905		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道			55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²