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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电阻-RDS（（在）	（ID） - 最大
IGP30N65H5XKSA1	2.8100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IGP30N65	标准		188 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，15a，23ohm，15V															沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IJW120R100T1FKSA1	-	RFQ	2626	Infineon技术	COOLSIC™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3					190 w	pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					1200 v							1550pf @ 19.5V（vgs）												1200 v	1.5 µA @ 1200 V	100 Mohms	26 a
IKCM15H60GAXKMA2	14.2300	RFQ	1	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	3期			15 a	600 v	2000vrms
IKCM15L60GAXKMA1	13.5800	RFQ	280	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期			15 a	600 v	2000vrms
IKCM20L60GAXKMA1	18.5900	RFQ	236	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM20					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期			20 a	600 v	2000vrms
IKCM20L60HAXKMA1	-	RFQ	7104	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期			20 a	600 v	2000vrms
IKCM20L60HDXKMA1	-	RFQ	6680	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期			20 a	600 v	2000vrms
IKCM30F60GAXKMA1	20.7700	RFQ	2	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM30					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期			30 a	600 v	2000vrms
IKCM30F60HDXKMA1	-	RFQ	5688	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期			30 a	600 v	2000vrms
IKD06N60RFAATMA1	-	RFQ	8506	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			标准		100 W	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，6A，23OHM，15V														48 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2.5V @ 15V，6a	（90µJ）（在），90µJ（90µJ）中	48 NC	8NS/105NS
IKD10N60RFAATMA1	1.1900	RFQ	7030	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		ikd10n	标准		150 w	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001205244	Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，10a，26ohm，15V														72 ns	沟	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	（190µJ）（在160µJ上）	64 NC	12NS/168NS
IKD15N60RFAATMA1	1.4998	RFQ	6682	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IKD15N60	标准		240 w	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001205248	Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，15A，15欧姆，15V														74 ns	沟	600 v	30 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	270µJ（在）上，250µJ（250µJ）	90 nc	13NS/160NS
IKP20N65H5XKSA1	2.9700	RFQ	94	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IKP20N65	标准		125 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，10a，32ohm，15V														52 ns	沟	650 v	42 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	170µJ（在）上，60µj（60µJ）	48 NC	18NS/156NS
IKP30N65H5XKSA1	3.5900	RFQ	4030	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IKP30N65	标准		188 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，15a，23ohm，15V														51 ns	沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IKQ100N60TAXKSA1	10.2954	RFQ	2171	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKQ100	标准		714 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001144016	Ear99	8541.29.0095	240			400V，100A，3.6ONM，15V														225 ns	沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
IKQ100N60TXKSA1	12.8600	RFQ	4383	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKQ100	标准		714 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，3.6ONM，15V														230 ns	沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
IKQ120N60TAXKSA1	-	RFQ	2136	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKQ120N	标准		833 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，120a，3ohm，15V														280 ns	沟渠场停止	600 v	160 a	480 a	2V @ 15V，120a	4.1mj（在）上，2.8MJ（2.8MJ）	772 NC	33NS/310NS
IKW40N65ES5XKSA1	6.0900	RFQ	9550	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKW40N65	标准		230 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，10ohm，15V														73 ns	沟	650 v	79 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	（860µJ）（在400µJ上）	95 NC	19NS/130NS
IPP65R190CFDAAKSA1	-	RFQ	5450	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000928266	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPP65R310CFDAAKSA1	1.7962	RFQ	2079	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP65R310		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000879438	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IPP65R660CFDAAKSA1	-	RFQ	6607	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp65r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000875802	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 3.2A，10V	4.5V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	543 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
IPP80N08S406AKSA1	3.1300	RFQ	488	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP80N08		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	80A（TC）	10V	5.8mohm @ 80a，10v	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPP80P04P407AKSA1	-	RFQ	8186	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp80p		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000842044	Ear99	8541.29.0095	500		P通道					40 V	80A（TC）	10V	7.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IPW65R080CFDAFKSA1	12.7400	RFQ	950	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW65R080		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	43.3a（TC）	10V	80MOHM @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.76mA	161 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 100 V	-	391W（TC）
IPW65R190C7XKSA1	4.8400	RFQ	8939	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW65R190		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	13A（TC）	10V	190MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IPW80R290C3AFKSA1	-	RFQ	3365	Infineon技术	*	管子	过时的					IPW80R					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
IPZ40N04S55R4ATMA1	1.0400	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IPZ40N04		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	40a（TC）	7V，10V	5.4mohm @ 20a，10v	3.4V @ 17µA	23 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IPZ40N04S5L7R4ATMA1	0.9500	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IPZ40N04		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	40a（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 20a，10v	2V @ 10µA	17 NC @ 10 V	±16V	920 PF @ 25 V	-	34W（TC）
IPZ60R041P6FKSA1	-	RFQ	7212	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		IPZ60R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					600 v	77.5A（TC）	10V	41MOHM @ 35.5a，10V	4.5V @ 2.96mA	170 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 100 V	-	481W（TC）
IPZ60R070P6FKSA1	6.9163	RFQ	3676	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		IPZ60R070		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					600 v	53.5a（TC）	10V	70mohm @ 20.6a，10v	4.5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4750 PF @ 100 V	-	391W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²