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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	trr）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRG4RC10KDTRPBF	-	RFQ	8770	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准			38 w			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，5A，100OHM，15V																					28 ns			-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
BB833E6327HTSA1	-	RFQ	7945	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB833							PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																											0.9pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V				12.4	C1/C28	-
IPB05N03LB g	-	RFQ	8533	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB05N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 60a，10v	2V @ 40µA	25 NC @ 5 V	±20V	3209 PF @ 15 V	-	94W（TC）
DDB6U25N16VRBOMA1	-	RFQ	8811	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					86 W		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																												-	1600 v			2.15V @ 15V，15a							1 MA	是的
IPW50R140CPFKSA1	4.5928	RFQ	3574	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW50R140			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道							550 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	192W（TC）
BSC027N06LS5ATMA1	2.6800	RFQ	36	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	-	83W（TC）
BSL716SNH6327XTSA1	-	RFQ	8200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道							75 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	1.8V @ 218µA	13.1 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IPB77N06S3-09	-	RFQ	9248	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB77N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							55 v	77A（TC）	10V	8.8mohm @ 39a，10v	4V @ 55µA	103 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPB123N10N3GATMA1	2.1100	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB123			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							100 v	58A（TC）	6V，10V	12.3mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
PTFB211803ELV1R250XTMA1	-	RFQ	6014	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-33288-6			2.17GHz	ldmos				H-33288-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000812610	Ear99	8541.29.0095	250			-			1.3 a	40W	17.5db																	-												30 V
IRF6728MTRPBF	-	RFQ	4208	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001530842	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道							30 V	（23A）（TA），140a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 23A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4110 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），75W（tc）
IRFR7446TRPBF	1.3300	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7446			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道							40 V	56A（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 56A，10V	3.9V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	98W（TC）
IPP90N04S402AKSA1	-	RFQ	5012	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp90n			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							40 V	90A（TC）	10V	2.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPW65F6048A	-	RFQ	1472	Infineon技术	*	大部分	积极的													-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SPD50N03S2-07	-	RFQ	9554	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							30 V	50A（TC）	10V	7.3mohm @ 50a，10v	4V @ 85µA	46.5 NC @ 10 V	±20V	2170 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPA65R420CFDXKSA2	1.4606	RFQ	8877	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R420			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	31.2W（TC）
IRF2807ZSTRLPBF	2.3600	RFQ	53	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF2807			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	RFQ	7984	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ123			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	12.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），66w（tc）
BSC026NE2LS5ATMA1	1.4900	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC026			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道							25 v	24A（24A），82A（tc）	4.5V，10V	2.6mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	1100 pf @ 12 V	-	2.5W（TA），29W（tc）
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3289	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道							24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
BB644E7904HTSA1	-	RFQ	7802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB644E							PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																											2.75pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V				17.8	C1/C28	-
TZ740N20KOFHPSA3	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ740N					单身的			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA															2 kV	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 MA	819 a				1 scr
BSP171PH6327XTSA1	0.8900	RFQ	3302	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP171			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道							60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.9a，10V	2V @ 460µA	20 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
FS200R12KT4RBOSA1	333.9900	RFQ	1257	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS200R12				1000 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																												npt	1200 v	280 a		2.15V @ 15V，200a							1 MA	是的	14 NF @ 25 V
IRG4BC30W-STRL	-	RFQ	7629	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30W-S	标准			100 W			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					480V，12a，23ohm，15V																								-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRGSL6B60KPBF	-	RFQ	5487	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRGSL6	标准			90 W			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，5A，100OHM，15V																								npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
PTFA211801E V4	-	RFQ	2716	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA211801		2.14GHz	ldmos				H-36260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35			10µA			1.2 a	35W	15.5db																	-												28 V
FZ3600R12HP4HOSA2	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ3600				19000 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																												沟	1200 v	4930 a		2.05V @ 15V，3600A							5 ma	不	225 NF @ 25 V
IRGP4620D-EPBF	-	RFQ	8940	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			140 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					400V，12A，22OHM，15V																					68 ns			-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
SPI10N10L	-	RFQ	3296	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²