RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
BSS138WH6433XTMA1	0.3900	RFQ	9788	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BSS138	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道				60 V	280mA（TA）	4.5V，10V	3.5OHM @ 200mA，10v	1.4V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	43 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BSS192PH6327XTSA1	-	RFQ	7575	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BSS192	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001195030	Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道				250 v	（190ma ta）	2.8V，10V	12ohm @ 190mA，10v	2V @ 130µA	6.1 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BSS806NEH6327XTSA1	0.4500	RFQ	93	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BSS806	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道				20 v	2.3a（ta）	1.8V，2.5V	57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7 NC @ 2.5 V	±8V	529 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSZ028N04LSATMA1	1.5700	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ028	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				40 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	-	32 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 20 V	-	2.1W（TA），63W（tc）
BSZ034N04LSATMA1	1.4500	RFQ	33	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ034	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				40 V	（19a（ta），40a（tc）	4.5V，10V	3.4mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），52W（TC）
BSZ215CHXTMA1	1.5300	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ215	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补						20V	5.1a，3.2a		55mohm @ 5.1a，4.5V	1.4V @ 110µA	2.8NC @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
BSZ300N15NS5ATMA1	1.1844	RFQ	7366	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ300	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				150 v	32A（TC）	8V，10V	30mohm @ 16a，10v	4.6V @ 32µA	13 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 75 V	-	62.5W（TC）
IDH20G120C5XKSA1	12.9500	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDH20G120	SIC （碳化硅）		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																1200 v		1.8 V @ 20 A	0 ns	123 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	56a	1050pf @ 1V，1MHz
IDK05G65C5XTMA1	-	RFQ	5259	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IDK05G65	SIC （碳化硅）		pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.8 V @ 5 A	0 ns	830 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
IDK06G65C5XTMA1	-	RFQ	5484	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IDK06G65	SIC （碳化硅）		pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000930848	Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.8 V @ 6 A	0 ns	1.1 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IDK08G65C 5XTMA1	-	RFQ	6574	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IDK08G65	SIC （碳化硅）		pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.8 V @ 8 A	0 ns	1.4 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IDL02G65C5XUMA1	-	RFQ	5590	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN		IDL02G65	SIC （碳化硅）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.7 V @ 2 A	0 ns	35 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
IDL06G65C5XUMA1	-	RFQ	9276	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN		IDL06G65	SIC （碳化硅）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941310	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	110 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IDL08G65C 5XUMA1	-	RFQ	5916	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN		IDL08G65	SIC （碳化硅）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941312	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	140 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IDL10G65C5XUMA1	-	RFQ	8903	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN		IDL10G65	SIC （碳化硅）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941314	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
IDM02G120C5XTMA1	3.0900	RFQ	16	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IDM02G120	SIC （碳化硅）		pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）																1200 v		1.65 V @ 2 A	0 ns	18 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	2a	182pf @ 1V，1MHz
IDP1301GXUMA1	-	RFQ	7720	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					IDP1301				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000951208	Ear99	8541.10.0080	1,000
IDP30E65D1XKSA1	2.7900	RFQ	893	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDP30E65	标准		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																650 v		1.7 V @ 30 A	64 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	60a	-
IDP30E65D2XKSA1	2.1100	RFQ	433	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDP30E65	标准		pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																650 v		2.2 V @ 30 A	42 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	60a	-
IDW20G65C5BXKSA1	-	RFQ	5554	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3			SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224934	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	650 v	10A（DC）	1.7 V @ 10 A		180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW24G65C5BXKSA1	-	RFQ	8859	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3			SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224944	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A		190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW40G120C5BFKSA1	24.3200	RFQ	863	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3		IDW40G120	SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	1200 v	55A（DC）	1.65 V @ 20 A		166 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDW40G65C5BXKSA1	-	RFQ	4144	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3			SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224952	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A		210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW75D65D1XKSA1	4.3000	RFQ	773	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3		IDW75D65	标准		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																650 v		1.7 V @ 75 A	108 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	150a	-
IGCM06B60GAXKMA1	-	RFQ	7151	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247000	Ear99	8541.29.0095	280	3期			6 a	600 v	2000vrms
IGCM06B60HAXKMA1	-	RFQ	1162	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247002	Ear99	8541.29.0095	280	3期			6 a	600 v	2000vrms
IGCM06F60HAXKMA1	-	RFQ	2317	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT					下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	280	3期			6 a	600 v	2000vrms
IGCM10F60GAXKMA1	13.4400	RFQ	2	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IGCM10				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	3期			10 a	600 v	2000vrms
IGCM15F60HAXKMA1	-	RFQ	7912	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247026	Ear99	8541.29.0095	280	3期			15 a	600 v	2000vrms
IGCM20F60HAXKMA1	-	RFQ	4359	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT					下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247030	Ear99	8541.29.0095	280	3期			20 a	600 v	2000vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²