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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压-峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1	-	RFQ	5409	Infineon技术	-	托盘	过时的				PX8560ED						-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	RFQ	752	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB030		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				80 V	160a（TC）	6V，10V	3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BCR158WE6327	1.0000	RFQ	3959	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR158			250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BAV70E6433HTMA1	0.3300	RFQ	47	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70		标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BAV99SE6327BTSA1	-	RFQ	9901	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV99		标准			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
DF80R12W2H3FB11BPSA1	94.6200	RFQ	15	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF80R12			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																								沟渠场停止	1200 v	20 a		1.7V @ 15V，20A						1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
BAR6303WE6327HTSA1	0.4500	RFQ	143	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323	BAR6303					pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma												250兆								0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BCR166E6327	1.0000	RFQ	3452	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR166			200兆		PG-SOT23-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
BFP450H6327	-	RFQ	5431	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000						15.5db																				5V	100mA												NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
IKN06N60RC2ATMA1	0.9500	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ikn06n	标准		7.2 w		PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IKN06N60RC2ATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000					400V，6A，49ONM，15V																42 ns				-	600 v	8 a	18 a	2.3V @ 15V，6A	（151µJ）（104µJ）（OFF）	31 NC	8.8NS/174NS
SPB35N10 g	-	RFQ	9884	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB35N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				100 v	35A（TC）	10V	44mohm @ 26.4a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BCR 108 B6327	-	RFQ	9721	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 108			200兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IRG4BC15UD-STRL	-	RFQ	3556	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		49 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC15UDSTRL	Ear99	8541.29.0095	800					480V，7.8a，75ohm，15V																28 ns				-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
BSP92P E6327	-	RFQ	4159	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP92		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道				250 v	260mA ta）	2.8V，10V	12ohm @ 260mA，10v	2V @ 130µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
FZ1200R17KE3B2NOSA1	-	RFQ	8392	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				8950 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100600	Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																								-	1700 v	1900 a		2.45V @ 15V，1.2KA						5 ma	不	110 nf @ 25 V
F3L400R07ME4B23BOSA1	277.9700	RFQ	1307	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L400			1150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																								沟渠场停止	650 v	450 a		1.95V @ 15V，400A						1 MA	是的	26 NF @ 25 V
IPI80P03P4-05AKSA1	0.7900	RFQ	4	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道				30 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
BSC0901NSIATMA1	1.4500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0901		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	20 NC @ 15 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BAR 67-02V E6327	-	RFQ	9503	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523	BAR67					PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				200 ma												250兆								0.55pf @ 5V，1MHz									PIN-单	150V				1 OHM @ 10mA，100MHz
DD104N16KHPSA2	121.3300	RFQ	9269	Infineon技术	DD104N	托盘	积极的		底盘安装	模块			标准			模块	-	rohs3符合条件			448-DD104N16KHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1对系列连接	1600 v	104a	1.4 V @ 300 A		20 mA @ 1.6 kV	150°C
IRLMS2002GTRPBF	-	RFQ	6094	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™（SOT23-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRLML5203	-	RFQ	8814	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道				30 V	3A（3A）	4.5V，10V	98mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
FZ1800R17KF4NOSA1	1.0000	RFQ	62	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				13500 w	标准	模块	下载						0000.00.0000	1	3独立																								沟渠场停止	1200 v	3560 a		2.1V @ 15V，2.4KA						5 ma	不	150 nf @ 25 V
BSF885N03LQ3G	0.3900	RFQ	10	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
AUIRF3504	-	RFQ	6594	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001521622	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				40 V	87A（TC）	10V	9.2MOHM @ 52A，10V	4V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	143W（TC）
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS70		肖特基			PG-SOT343-4-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度															2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IPD70R1K4P7SAUMA1	0.7500	RFQ	8	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				700 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 700mA，10V	3.5V @ 40µA	4.7 NC @ 10 V	±16V	158 pf @ 400 V	-	23W（TC）
BTS244Z E3043	-	RFQ	1214	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）			P-TO220-5-43	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
BB 689-02V E7908	-	RFQ	6936	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB 689					PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																								2.9pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V												23.2	C1/C28	-
IRG8CH37K10F	-	RFQ	1659年	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产				IRG8CH37	标准					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001532998	Ear99	8541.29.0095	1					600V，35A，5OHM，15V																				-	1200 v			2V @ 15V，35a	-	210 NC	35NS/190NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²