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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRFSL3306PBF	2.6400	RFQ	1978年	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL3306		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IPN60R1K0CEATMA1	0.7500	RFQ	2709	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R1		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			600 v	6.8A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IPI120N04S402AKSA1	2.4212	RFQ	9651	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	120A（TC）	10V	2.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 110µA	134 NC @ 10 V	±20V	10740 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRF7350pbf	-	RFQ	7188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7350		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道					100V	2.1a，1.5a		210mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	28nc @ 10V		380pf @ 25V	-
BSM25GD120DN2E3224BOSA1	-	RFQ	5986	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM25GD120			200 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																						-	1200 v	35 a		3V @ 15V，25a				800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
BFR750L3RHE6327	0.3200	RFQ	37	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				360MW		PG-TSLP-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	944					21dB																			4.7V	90mA									NPN		160 @ 60mA，3v	37GHz	0.6db〜1.1db @ 1.8GHz〜6GHz
IRFB4310GPBF	-	RFQ	3919	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564018	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
蝙蝠60BE6433	-	RFQ	2705	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-76，SOD-323	蝙蝠60		肖特基			PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														10 v	600 mV @ 1 A		25 µA @ 8 V	150°C （最大）	3a	30pf @ 5V，1MHz
SPB80N10L	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
ISZ56DP15LMATMA1	1.1000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
BSC882N03LSG	-	RFQ	3996	Infineon技术	Optimos™3 m	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			34 v	-	10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	3700 PF @ 15 V	-	-
IPD50P04P4L11ATMA1	1.5800	RFQ	2287	Infineon技术	汽车，Optimos™-P2	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 50a，10v	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	58W（TC）
AUIRF540ZS	-	RFQ	2984	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	AUIRF540		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
Auirfu4104	-	RFQ	9512	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518784	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BST113A	0.9100	RFQ	500	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AUIRFR120Z	-	RFQ	9248	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRG4PF50WD-201P	-	RFQ	4389	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541540	Ear99	8541.29.0095	25				720v，28a，5ohm，15V														90 ns					-	900 v	51 a	204 a	2.7V @ 15V，28a	2.63mj（在）上，1.34mj off）	160 NC	50NS/110NS
IPI80N04S4-03	1.0700	RFQ	350	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	350			n通道			40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 53µA	66 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IPD50R800CEAUMA1	0.9100	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R800		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			500 v	7.6A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
BCP5116H6433XTMA1	0.2968	RFQ	5088	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP51			2 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																								45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
BSO615NGHUMA1	-	RFQ	6961	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO615		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）					60V	2.6a		150MOHM @ 2.6a，4.5V	2V @ 20µA	20NC @ 10V		380pf @ 25V	逻辑级别门
SMBTA14E6327	0.1000	RFQ	210	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,112																								30 V	300 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
IPU50R1K4CEAKMA1	-	RFQ	6270	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			500 v	3.1A（TC）	13V	1.4OHM @ 900mA，13v	3.5V @ 70µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	178 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IRFB4233PBF	-	RFQ	7538	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577810	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			230 v	56A（TC）	10V	37mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±30V	5510 PF @ 25 V	-	370W（TC）
auirfn8405tr	1.4978	RFQ	3725	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	AUIRFN8405		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			40 V	95A（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	117 NC @ 10 V	±20V	5142 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），136W（tc）
IRFZ48NL	-	RFQ	4693	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48NL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
IDL06G65C5XUMA2	2.9300	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	4-POWERTSFN	IDL06G65		SIC （碳化硅）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v	1.7 V @ 6 A	0 ns	110 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
BSC110N15NS5ATMA1	3.4500	RFQ	7904	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC110		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			150 v	76A（TC）	8V，10V	11mohm @ 38a，10v	4.6V @ 91µA	35 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 75 V	-	125W（TC）
IPP08CN10N g	-	RFQ	3446	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP08C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			100 v	95A（TC）	10V	8.5MOHM @ 95A，10V	4V @ 130µA	100 nc @ 10 V	±20V	6660 pf @ 50 V	-	167W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²