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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BB85702VH7902XTSA1	0.1221	RFQ	3205	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB85702			PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000														0.52pf @ 28V，1MHz			单身的	30 V							12.7	C1/C28	-
BCX5116H6327XTSA1	-	RFQ	7007	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5116		2 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															45 v	1 a			100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
BF888H6327XTSA1	0.2385	RFQ	8925	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF888		160MW	PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			27dB												4V	30mA				NPN		250 @ 25a，3v	47GHz	0.5db〜0.85dB @ 1.8GHz〜6GHz
BFR843EL3E6327XTSA1	0.2870	RFQ	30	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BFR843		125MW	PG-TSLP-3-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	15,000			25.5db												2.6V	55mA				NPN			-
BSC034N06NSATMA1	1.9000	RFQ	14	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC034	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	100A（TC）	6V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 41µA	41 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
BSC037N08NS5ATMA1	2.5400	RFQ	23	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC037	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	100A（TC）	6V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 72µA	58 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），114w（tc）
BSC072N08NS5ATMA1	1.8300	RFQ	53	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC072	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	74A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 37A，10V	3.8V @ 36µA	29 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 40 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BSC0924NDIATMA1	1.3500	RFQ	79	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0924	MOSFET （金属 o化物）	1W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BSC110N15NS5ATMA1	3.4500	RFQ	7904	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC110	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		150 v	76A（TC）	8V，10V	11mohm @ 38a，10v	4.6V @ 91µA	35 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 75 V	-	125W（TC）
BSD816SNH6327XTSA1	-	RFQ	7256	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
BSL202SNH6327XTSA1	0.6400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL202	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	7.5A（ta）	2.5V，4.5V	22MOHM @ 7.5A，4.5V	1.2V @ 30µA	8.7 NC @ 10 V	±12V	1147 PF @ 10 V	-	2W（TA）
BSL207NH6327XTSA1	-	RFQ	1113	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BSL207	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001100648	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
BSL215CH6327XTSA1	0.6600	RFQ	5826	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL215	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			20V	1.5a		140MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.73NC @ 4.5V		143pf @ 10V	逻辑水平门，2.5V
BSL296SNH6327XTSA1	-	RFQ	2001	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	1.4a（ta）	4.5V，10V	460MOHM @ 1.26A，10V	1.8V @ 100µA	4 NC @ 5 V	±20V	152.7 pf @ 25 V	-	2W（TA）
BSL302SNH6327XTSA1	-	RFQ	2939	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	7.1a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 7.1a，10v	2V @ 30µA	6.6 NC @ 5 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	2W（TA）
BSL314PEH6327XTSA1	-	RFQ	3466	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL314	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			30V	1.5a		140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9nc @ 10V		294pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BSL316CH6327XTSA1	0.5900	RFQ	9225	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL316	MOSFET （金属 o化物）	500MW	PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道互补			30V	1.4a，1.5a		160MOHM @ 1.4A，10V	2V @ 3.7µA	0.6NC @ 5V		282pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BSL716SNH6327XTSA1	-	RFQ	8200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		75 v	2.5a（ta）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	1.8V @ 218µA	13.1 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	2W（TA）
BSP125H6433XTMA1	0.9000	RFQ	12	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP125	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		600 v	120mA（ta）	4.5V，10V		2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP129H6906XTSA1	1.2000	RFQ	4	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP129	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BSP135H6433XTMA1	1.5900	RFQ	22	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP135	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IPA65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	61	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R045	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	18A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	35W（TC）
IPA65R065C7XKSA1	10.2700	RFQ	442	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R065	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	15A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	34W（TC）
IPB015N08N5ATMA1	7.2200	RFQ	2014	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB015	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	180a（TC）	6V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 279µA	222 NC @ 10 V	±20V	16900 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IPB020N08N5ATMA1	5.3800	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB020	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	120A（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 208µA	166 NC @ 10 V	±20V	12100 PF @ 40 V	-	300W（TC）
IPB120N04S4L02ATMA1	3.4000	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 110µA	190 NC @ 10 V	+20V，-16V	14560 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IPB120N08S403ATMA1	6.1900	RFQ	8870	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
IPB120N08S404ATMA1	4.1300	RFQ	2492	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 120µA	95 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	179W（TC）
IPB120N10S405ATMA1	3.9600	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	120A（TC）	10V	5mohm @ 100a，10v	3.5V @ 120µA	91 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IPB120P04P404ATMA1	3.9200	RFQ	5	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		40 V	120A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 340µA	205 NC @ 10 V	±20V	14790 pf @ 25 V	-	136W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²