SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
BCV27E6395HTMA1 Infineon Technologies BCV27E6395HTMA1 -
RFQ
ECAD 3364 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 360兆w PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 170MHz
BCW61E6384HTMA1 Infineon Technologies BCW61E6384HTMA1 -
RFQ
ECAD 1888年 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 上次购买 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BCV48H6327XTSA1 Infineon Technologies BCV48H6327XTSA1 0.2669
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCV48 1 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 500 MA 100NA(ICBO) pnp-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 10000 @ 100mA,5V 200MHz
BCX51H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX51H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 7099 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX51 2 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 150mA,2V 125MHz
BCX5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5310H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX5310 2 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 125MHz
BCX5316H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5316H6433XTMA1 0.1920
RFQ
ECAD 1574年 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX5316 2 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 125MHz
BCX5516H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5516H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 3131 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX5516 2 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 100MHz
BCX6925H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6925H6327XTSA1 0.3105
RFQ
ECAD 7967 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BCX6925 3 W PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 100mA,1a 160 @ 500mA,1V 100MHz
BFN18H6327XTSA1 Infineon Technologies BFN18H6327XTSA1 0.2440
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BFN18 1.5 w PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 300 v 200 ma 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 2mA,20mA 30 @ 30mA,10v 70MHz
FF150R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FF150R17KE4HOSA1 168.7000
RFQ
ECAD 7032 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FF150R17 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2独立 沟渠场停止 1700 v 150 a 2.3V @ 15V,150a 1 MA 12 nf @ 25 V
BSM150GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM150GB170DN2HOSA1 -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM150 1250 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 半桥 - 1700 v 220 a 3.9V @ 15V,150a 1.5 ma 20 nf @ 25 V
BSM300GA170DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM300GA170DN2HOSA1 -
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM300 2500 w 标准 模块 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000100754 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1700 v 440 a 3.9V @ 15V,300A 3 ma
IPP052N06L3GHKSA1 Infineon Technologies IPP052N06L3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 9518 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP052M MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000453616 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 5mohm @ 80a,10v 2.2V @ 58µA 50 NC @ 4.5 V ±20V 8400 PF @ 30 V - 115W(TC)
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP045N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000457560 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 100 v 100A(TC) 6V,10V 4.5MOHM @ 100A,10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 V ±20V 8410 PF @ 50 V - 214W(TC)
IPP032N06N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP032N06N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 5532 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP032N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000453612 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 60 V 120A(TC) 10V 3.2MOHM @ 100A,10V 4V @ 118µA 165 NC @ 10 V ±20V 13000 PF @ 30 V - 188W(TC)
BFP780H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP780H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 4004 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFP780 600MW PG-SOT343-4-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 27dB 6.1V 120mA NPN 85 @ 90mA,5V 900MHz 1.2db〜2.4dB @ 900MHz〜3.5GHz
BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0502NSIATMA1 1.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSC0502 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 26a(26a),100a(tc) 4.5V,10V 2.3MOHM @ 30a,10v 2V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 15 V - 2.5W(ta),43W(tc)
BSL303SPEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL303SPEH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 1160 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 MOSFET (金属 o化物) PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6.3a(ta) 4.5V,10V 33mohm @ 6.3a,10v 2V @ 30µA 20.9 NC @ 10 V ±20V 1401 PF @ 15 V - 2W(TA)
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies BSZ017NE2LS5IATMA1 1.6400
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ017 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8-FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 25 v 27a(27A),40a (TC) 4.5V,10V 1.7MOHM @ 20A,10V 2V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±16V 2000 pf @ 12 V - 2.1W(ta),50W(TC)
BSZ0502NSIATMA1 Infineon Technologies BSZ0502NSIATMA1 0.6360
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ0502 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8-FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 22a(22a),40a (TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 20a,10v 2V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 15 V - 2.1W(ta),43W(tc)
IDP2301XUMA1 Infineon Technologies IDP2301XUMA1 -
RFQ
ECAD 6514 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 IDP2301 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001368356 过时的 2,500
IKCM15L60GDXKMA1 Infineon Technologies IKCM15L60GDXKMA1 17.4200
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT IKCM15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 14 3期 20 a 600 v 2000vrms
IPAW60R280CEXKSA1 Infineon Technologies IPAW60R280CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 7407 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,变体 ipaw60 MOSFET (金属 o化物) pg-to220完整包,宽阔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 n通道 600 v 19.3a(TC) 10V 280MOHM @ 6.5a,10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 100 V - 32W(TC)
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R040C7ATMA1 13.6500
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-4,d²pak(3 +选项卡),TO-263AA IPB60R040 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 50A(TC) 10V 40mohm @ 24.9a,10V 4V @ 1.24mA 107 NC @ 10 V ±20V 4340 pf @ 400 V - 227W(TC)
IPD60R650CEBTMA1 Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 Infineon技术 CoolMos™CE 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 ipd60r MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001369530 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 7A(TC) 10V 650MOHM @ 2.4A,10V 3.5V @ 200µA 20.5 NC @ 10 V ±20V 440 pf @ 100 V - 82W(TC)
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPD65R1K0CEAUMA1 0.3783
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD65R1 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 7.2A(TC) 10V 1欧姆 @ 1.5A,10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 V ±20V 328 pf @ 100 V - 68W(TC)
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies IPD70R1K4CEAUMA1 0.8200
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 Infineon技术 CoolMos™CE 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD70 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 700 v 5.4A(TC) 10V 1.4OHM @ 1A,10V 3.5V @ 130µA 10.5 NC @ 10 V ±20V 225 pf @ 100 V - 53W(TC)
IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies ipd70r600ceauma1 -
RFQ
ECAD 6902 0.00000000 Infineon技术 CoolMos™CE 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD70 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 700 v 10.5A(TC) 10V 600MOHM @ 1A,10V 3.5V @ 210µA 22 NC @ 10 V ±20V 474 PF @ 100 V - 86W(TC)
IPP60R120C7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R120C7XKSA1 5.5100
RFQ
ECAD 486 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™C7 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP60R120 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 19a(tc) 10V 120MOHM @ 7.8A,10V 4V @ 390µA 34 NC @ 10 V ±20V 1500 PF @ 400 V - 92W(TC)
64-4123PBF Infineon Technologies 64-4123pbf -
RFQ
ECAD 5514 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001518380 过时的 0000.00.0000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库