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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
DZ600N16KB01HPSA1	-	RFQ	5310	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块		DZ600N16		标准				BG-PB501-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000091795	Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1800 v				40 ma @ 1800 V	150°C （最大）	735a	-
IPN65R1K5CE	-	RFQ	8287	Infineon技术	CoolMos™CE	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223	下载						0000.00.0000	857			n通道						650 v	5.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IPB026N10NF2SATMA1	4.5000	RFQ	146	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB026N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						100 v	162a（TC）	6V，10V	2.65MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 169µA	154 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 50 V	-	250W（TC）
IRG4BC30F-STRLP	-	RFQ	3204	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRG4BC30	标准		100 W			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					480V，17a，23ohm，15v																												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
STT2200N18P55XPSA1	779.7500	RFQ	5559	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块		STT2200				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															1.8 kV	2 v	21000a @ 50Hz	200 ma										2 scr
BAV99WB6327XT	-	RFQ	5917	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-70，SOT-323		BAV99		标准				PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	60,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																					1对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IPP039N04LGHKSA1	-	RFQ	1279	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP039N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000391494	Ear99	8541.29.0095	500			n通道						40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 80a，10v	2V @ 45µA	78 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IM393M6EXKLA1	-	RFQ	1869年	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT	IM393M6							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001675704	Ear99	8542.39.0001	450	3相逆变器					10 a	600 v	2000vrms
IRF9333333TRPBF	-	RFQ	8220	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9333		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						30 V	9.2a（ta）	4.5V，10V	19.4mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSL202SNH6327XTSA1	0.6400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		BSL202		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						20 v	7.5A（ta）	2.5V，4.5V	22MOHM @ 7.5A，4.5V	1.2V @ 30µA	8.7 NC @ 10 V	±12V	1147 PF @ 10 V	-	2W（TA）
FS450R17KE4BOSA1	1.0000	RFQ	6852	Infineon技术	Econopack™+	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS450R17			2500 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	全桥																																沟渠场停止	1700 v	600 a		2.3V @ 15V，450a				3 ma	是的	36 NF @ 25 V
SPP80N06S2-09	-	RFQ	6617	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						55 v	80A（TC）	10V	9.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	190w（TC）
AUIRF7675M2TR	2.7500	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2		AUIRF7675		MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™等距M2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						150 v	4.4a（ta），18a（tc）	10V	56mohm @ 11a，10v	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W（ta），45W（tc）
IRF3704STRR	-	RFQ	9485	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
IPB60R060P7ATMA1	6.8000	RFQ	4517	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB60R060		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	164W（TC）
IMW65R083M1HXKSA1	11.0700	RFQ	119	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IMW65R		sicfet （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	24A（TC）	18V	111MOHM @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nc @ 18 V	+20V，-2V	624 PF @ 400 V	-	104W（TC）
IDV03S60C	1.1100	RFQ	1	Infineon技术	ThinQ！™	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2完整包				SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-22	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																						600 v		1.9 V @ 3 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3A（DC）	90pf @ 1V，1MHz
IRG4BC10	-	RFQ	1212	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		38 w			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC10	Ear99	8541.29.0095	50					480V，8A，100OHM，15V																												-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	140µJ（在）上，2.58MJ off）	15 NC	25NS/630NS
FF150R12KS4HOSA1	159.2800	RFQ	2586	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF150R12K			1250 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																-	1200 v	225 a		3.7V @ 15V，150a				5 ma	不	11 nf @ 25 V
IDM02G120C5XTMA1	3.0900	RFQ	16	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IDM02G120		SIC （碳化硅）				pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）																						1200 v		1.65 V @ 2 A	0 ns	18 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	2a	182pf @ 1V，1MHz
IPP126N10N3G	-	RFQ	3366	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	68			n通道						100 v	58A（TC）		12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
IRFH7934TR2PBF	-	RFQ	2412	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						30 V	24A（24A），76A （TC）		3.5MOHM @ 24A，10V	2.35V @ 50µA	30 NC @ 4.5 V		3100 pf @ 15 V	-
IDP45E60XKSA1	1.5687	RFQ	1720年	Infineon技术	-	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2		IPD45		标准				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v		2 V @ 45 A	140 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	71a	-
IRFR7746PBF-INF	-	RFQ	3261	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道						75 v	56A（TC）		11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F445MR		（SIC）	-			Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	4（n n 通道（半桥）								1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
BSP89L6327HTSA1	-	RFQ	4702	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP89		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						240 v	350mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.8V @ 108µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IAUC120N04S6N006ATMA1	4.0600	RFQ	6603	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IAUC120		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-53	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						40 V	120a（TJ）	7V，10V	0.6MOHM @ 60a，10V	3V @ 130µA	151 NC @ 10 V	±20V	10117 PF @ 25 V	-	187W（TC）
IRF6644	-	RFQ	2829	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™Mn	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	SP001574786	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFC3315B	-	RFQ	8380	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死				MOSFET （金属 o化物）				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC3315B	过时的		1			-						150 v	23a	10V	70MOHM @ 23A，10V	-		-		-	-
SPI80N08S2-07R	-	RFQ	6020	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		SPI80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						75 v	80A（TC）	10V	7.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	5830 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²