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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSP171PH6327XTSA1	0.8900	RFQ	3302	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP171	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.9a，10V	2V @ 460µA	20 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP295H6327XTSA1	0.9500	RFQ	6286	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP295	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP322PH6327XTSA1	0.9800	RFQ	6577	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP322	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	100 v	1A（TC）	4.5V，10V	800MOHM @ 1A，10V	1V @ 380µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	372 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSS119NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	61	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS119	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IPB120P04P4L03ATMA1	2.0699	RFQ	8093	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IPD90P04P405ATMA1	1.3305	RFQ	5040	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	40 V	90A（TC）	10V	4.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPP17N25S3100AKSA1	3.0700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP17N25	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	250 v	17a（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 54µA	19 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPW65R037C6FKSA1	19.2400	RFQ	51	Infineon技术	Coolmos™C6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R037	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	83.2a（TC）	10V	37mohm @ 33.1a，10v	3.5V @ 3.3mA	330 NC @ 10 V	±20V	7240 pf @ 100 V	-	500W（TC）
IPP60R099P6XKSA1	6.8500	RFQ	7161	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R099	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	37.9a（TC）	10V	99MOHM @ 14.5A，10V	4.5V @ 1.21MA	70 NC @ 10 V	±20V	3330 PF @ 100 V	-	278W（TC）
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	RFQ	146	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R070	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	53.5a（TC）	10V	70mohm @ 20.6a，10v	4.5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4750 PF @ 100 V	-	391W（TC）
IPL60R255P6AUMA1	-	RFQ	7513	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R	MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	600 v	15.9A（TC）	10V	255mohm @ 6.4a，10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	126W（TC）
IPI120N06S402AKSA2	2.3590	RFQ	3065	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IPP60R040C7XKSA1	13.6500	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R040	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPP60R180C7XKSA1	3.3800	RFQ	239	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R180	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001277624	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	13A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	68W（TC）
IPD60R385CPATMA1	2.9600	RFQ	2096	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPG20N10S4L22AATMA1	1.7600	RFQ	5357	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	60W	PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			100V	20a		22mohm @ 17a，10v	2.1V @ 25µA	27nc @ 10V		1755pf @ 25V	逻辑级别门
IPL65R230C7AUMA1	3.1200	RFQ	788	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R230	MOSFET （金属 o化物）		PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	650 v	10A（TC）	10V	230mohm @ 2.4a，10v	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	67W（TC）
SPD02N80C3ATMA1	1.5300	RFQ	1513年	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD02N80	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	3.9V @ 120µA	16 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
SPD04N80C3ATMA1	1.9600	RFQ	811	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N80	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	3.9V @ 240µA	31 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	63W（TC）
SPD06N80C3ATMA1	2.2400	RFQ	7251	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD06N80	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	800 v	6a（6a）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPP200N15N3GHKSA1	-	RFQ	9922	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP200N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000414714	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
IPP65R125C7XKSA1	5.6700	RFQ	2472	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R125	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 8.9a，10V	4V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 400 V	-	101W（TC）
IPP65R190C7FKSA1	3.4900	RFQ	455	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R190	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	13A（TC）	10V	190MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IPW65R019C7FKSA1	2000年2 26日	RFQ	324	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R019	MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	75A（TC）	10V	19mohm @ 58.3a，10V	4V @ 2.92mA	215 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 400 V	-	446W（TC）
IRL60B216	-	RFQ	5439	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL60B216	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568416	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	258 NC @ 4.5 V	±20V	15570 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPD031N03LGBTMA1	0.5302	RFQ	2998	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD031	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000236957	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IPP034N03LGHKSA1	-	RFQ	8514	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP034N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000237660	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IPP50R350CPHKSA1	-	RFQ	4050	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000236069	Ear99	8541.29.0095	500			n通道	500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
BAV99UE6359HTMA1	-	RFQ	5639	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99	标准		PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000012614	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对系列连接	80 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BCR183E6359HTMA1	-	RFQ	5416	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR183		200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010801	Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²