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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPA50R950CEXKSA2	0.9300	RFQ	3299	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R950	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	3.7A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	25.7W（TC）
IPU60R2K1CEBKMA1	-	RFQ	2362	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	600 v	2.3a（TC）	10V	2.1OHM @ 760mA，10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	22W（TC）
IPD60R1K5CEAT MA1	0.6500	RFQ	23	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28W（TC）
ipd50r800ceatma1	-	RFQ	7007	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	5A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
IPD60R380C6ATMA1	2.2400	RFQ	46	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 320µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPD60R600C6ATMA1	1.6600	RFQ	9	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPB100N04S204ATMA4	6.9700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	55 v	100A（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB77N06S212ATMA2	-	RFQ	4092	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB77N06	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	55 v	77A（TC）	10V	11.7mohm @ 38a，10v	4V @ 93µA	60 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IPB80N06S208ATMA2	-	RFQ	9300	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	55 v	80A（TC）	10V	7.7MOHM @ 58A，10V	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 pf @ 25 V	-	215W（TC）
IPB80N06S2L11ATMA2	2.5200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 40a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 25 V	-	158W（TC）
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IPD25CN10NGATMA1	1.4700	RFQ	1718年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25CN10	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	35A（TC）	10V	25mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IPD26N06S2L35ATMA2	1.1400	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD26N06	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	55 v	30A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 13a，10v	2V @ 26µA	24 NC @ 10 V	±20V	621 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IPD50N06S2L13ATMA2	1.6800	RFQ	9381	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	55 v	50A（TC）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 34a，10V	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPD65R600E6ATMA1	-	RFQ	9964	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R600	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPD65R660CFDATMA1	0.8193	RFQ	5263	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R660	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
IPD65R950CFDATMA1	0.6380	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
IPD78CN10NGATMA1	0.8800	RFQ	16	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD78CN10	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	13A（TC）	10V	78mohm @ 13a，10v	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
IPD90R1K2C3ATMA1	0.8583	RFQ	7116	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	900 v	5.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IPI80N06S207AKSA2	-	RFQ	3600	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N06	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	55 v	80A（TC）	10V	6.6mohm @ 68a，10v	4V @ 180µA	110 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPP100N04S204AKSA2	-	RFQ	7157	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.6mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPP100N06S2L05AKSA2	4.4300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPP80N06S2H5AKSA2	-	RFQ	5022	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	55 v	80A（TC）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPP80N06S2LH5AKSA2	-	RFQ	5452	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
SPD03N50C3ATMA1	0.7234	RFQ	8077	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD03N50	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
2N7002H6327XTSA2	0.3300	RFQ	173	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BSC0911NDATMA1	2.0000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0911	MOSFET （金属 o化物）	1W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		25V	18a，30a		3.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	12nc @ 4.5V		1600pf @ 12V	逻辑级别门，4.5V驱动器
BSP125H6327XTSA1	0.9900	RFQ	1137	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP125	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSP149H6327XTSA1	1.4400	RFQ	8598	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP149	MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	660ma（ta）	0V，10V	1.8OHM @ 660mA，10V	1V @ 400µA	14 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²