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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPD100N06S403ATMA2	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		60 V	100A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BSP317PE6327T	-	RFQ	9078	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP317	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		250 v	430ma（ta）	4.5V，10V	4330mA，10V	2V @ 370µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	262 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF7342QTRPBF	-	RFQ	1025	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）				55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
IPD110N12N3GATMA1	2.5000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD110	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		120 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 83µA（83µA）	65 NC @ 10 V	±20V	4310 PF @ 60 V	-	136W（TC）
IPP60R060P7	1.0000	RFQ	1121	Infineon技术	Coolmos™P7	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-123	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	164W（TC）
IPD50R950CEBTMA1	-	RFQ	5820	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		500 v	4.3A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	34W（TC）
IRFR5505CTRLPBF	-	RFQ	5486	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
SMBT 3904U E6327	-	RFQ	1353	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	SMBT 3904		330MW		PG-SC74-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							40V	200mA		50NA（iCBO）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IRLR3715TRRPBF	-	RFQ	1216	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IDV30E60C	-	RFQ	4131	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV30E60	标准			pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2.05 V @ 30 A	130 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	21a	-
IRFH5302TRPBF	1.2900	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5302	MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		30 V	32A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 100µA	76 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	3.6W（TA），100W（TC）
IPB100N04S2L-03ATMA2	2.0900	RFQ	17	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
AUIRFR5305TR	2.8500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5305	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道		55 v	31a（TC）		65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1200 pf @ 25 V	-
IPT60T065S7XTMA1	3.5864	RFQ	2846	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
BSP299L6327	-	RFQ	9136	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SIPC69N50C3X1SA2	-	RFQ	9264	Infineon技术	*	大部分	积极的				SIPC69					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1
auirll014n	-	RFQ	6502	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001520450	Ear99	8541.29.0095	80			n通道		55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BC 817-25 B5003	-	RFQ	7006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817		330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
IRFSL3306PBF	2.6400	RFQ	1978年	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL3306	MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IPN60R1K0CEATMA1	0.7500	RFQ	2709	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R1	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		600 v	6.8A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道		20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IPI120N04S402AKSA1	2.4212	RFQ	9651	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 110µA	134 NC @ 10 V	±20V	10740 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRF7350pbf	-	RFQ	7188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7350	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道				100V	2.1a，1.5a		210mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	28nc @ 10V		380pf @ 25V	-
BSM25GD120DN2E3224BOSA1	-	RFQ	5986	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM25GD120		200 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																					-	1200 v	35 a	3V @ 15V，25a	800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
BFR750L3RHE6327	0.3200	RFQ	37	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			360MW		PG-TSLP-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	944				21dB																			4.7V	90mA					NPN		160 @ 60mA，3v	37GHz	0.6db〜1.1db @ 1.8GHz〜6GHz
IRFB4310GPBF	-	RFQ	3919	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564018	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
SPB80N10L	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		100 v	80A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 58a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
ISZ56DP15LMATMA1	1.1000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
BSC882N03LSG	-	RFQ	3996	Infineon技术	Optimos™3 m	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		34 v	-	10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	3700 PF @ 15 V	-	-
IPD50P04P4L11ATMA1	1.5800	RFQ	2287	Infineon技术	汽车，Optimos™-P2	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		40 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 50a，10v	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	58W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²