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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRG7T 200HF12B	-	RFQ	3017	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t			1060 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001547982	Ear99	8541.29.0095	15	半桥														-	1200 v	400 a		2.2V @ 15V，200a				2 ma	不	22.4 nf @ 25 V
IRG7T 300CL12B	-	RFQ	5855	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t			1600 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544918	Ear99	8541.29.0095	15	单身的														-	1200 v	570 a		2.2V @ 15V，300A				4 mA	不	42.4 NF @ 25 V
IRG7T 400SD12B	-	RFQ	6406	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t			2140 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542008	Ear99	8541.29.0095	15	单身的														-	1200 v	780 a		2.2V @ 15V，400A				4 mA	不	58.5 nf @ 25 V
IRG7U100HF12A	-	RFQ	5101	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	irg7u			580 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														-	1200 v	200 a		2V @ 15V，100a				1 MA	不	10 nf @ 25 V
IRG7U100HF12B	-	RFQ	5276	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u			580 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥														-	1200 v	200 a		2V @ 15V，100a				1 MA	不	12.5 nf @ 25 V
IRG7U150HF12B	-	RFQ	1723年	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u			900 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥														-	1200 v	300 a		2V @ 15V，150a				1 MA	不	14 NF @ 25 V
IRG7U200HF12B	-	RFQ	9345	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u			1130 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541668	Ear99	8541.29.0095	15	半桥														-	1200 v	400 a		2V @ 15V，200a				2 ma	不	20 nf @ 25 V
IPA80R310CEXKSA1	-	RFQ	3884	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	6.8A（TC）		310MOHM @ 11a，10v	3.9V @ 1mA	91 NC @ 10 V		2320 PF @ 100 V	-	35W（TC）
IRGB4715DPBF	-	RFQ	4365	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，8A，50OHM，15V											86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
IRGP4750DPBF	-	RFQ	6432	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		273 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，35a，10ohm，15V											150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V，35a	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	105 NC	50NS/105NS
IRGP4790-EPBF	-	RFQ	4407	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549734	Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												-	650 v	140 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRGS4715DTRRPBF	-	RFQ	5704	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542306	Ear99	8541.29.0095	800			400V，8A，50OHM，15V											86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
IKW30N65EL5XKSA1	5.5600	RFQ	5009	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW30N65	标准		227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											100 ns	-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	470µJ（在）上，1.35mj off）	168 NC	33NS/308NS
IKW75N65EL5XKSA1	9.2400	RFQ	1735年	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准		536 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75a，4ohm，15V											114 ns	-	650 v	80 a	300 a	1.35V @ 15V，75a	1.61mj（在）上，3.2mj off）	436 NC	40NS/275NS
IKZ75N65NH5XKSA1	-	RFQ	7297	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	ikz75n	标准		395 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，37.5A，27OHM，15V											59 ns	沟	650 v	90 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	（880µJ）（在520µJ上）	166 NC	52NS/412NS
IGZ75N65H5XKSA1	6.9500	RFQ	240	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IGZ75N65	标准		395 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，37.5A，10欧姆，15V												沟	650 v	119 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	（680µJ）（在430µJ上）	166 NC	26NS/347NS
IGZ50N65H5XKSA1	4.5858	RFQ	3918	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IGZ50N65	标准		273 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，25a，12ohm，15V												沟	650 v	85 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	（410µJ）（在190µJ上）	109 NC	20NS/250NS
IRF200B211	1.1000	RFQ	233	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF200		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	12A（TC）	10V	170MOHM @ 7.2A，10V	4.9V @ 50µA	23 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 50 V	-	80W（TC）
IPB027N10N5ATMA1	6.2800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB027		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	120A（TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 184µA	139 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 50 V	-	250W（TC）
IPD110N12N3GATMA1	2.5000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD110		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		120 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 83µA（83µA）	65 NC @ 10 V	±20V	4310 PF @ 60 V	-	136W（TC）
auirfn8405tr	1.4978	RFQ	3725	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	AUIRFN8405		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		40 V	95A（TC）	10V	2mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	117 NC @ 10 V	±20V	5142 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），136W（tc）
IRF7341GTRPBF	2.2500	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2.4W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	1V @ 250µA（250µA）	44NC @ 10V		780pf @ 25V	-
IRFH7184TRPBF	-	RFQ	5846	Infineon技术	fastirfet™，hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001570944	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		100 v	20A（20A），128A （TC）	10V	4.8mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），156W（tc）
IRGS4640DTRRPBF	-	RFQ	8204	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		250 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541990	过时的		800			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRFB3407ZPBF	2.4100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB3407		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		75 v	120A（TC）	10V	6.4mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRGS4640DPBF	-	RFQ	1826年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		250 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540982	Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRLB4132PBF	1.0200	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLB4132		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558130	Ear99	8541.29.0095	100		n通道		30 V	78A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 40a，10v	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRG8P15N120KDPBF	-	RFQ	9375	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG8P	标准		125 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，10a，10ohm，15V											60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V，10a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	98 NC	15NS/170NS
IRG8P50N120KD-EPBF	-	RFQ	2315	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG8P	标准		350 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546104	Ear99	8541.29.0095	25			600V，35A，5OHM，15V											170 ns	-	1200 v	80 a	105 a	2V @ 15V，35a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	315 NC	35NS/190NS
IPW60R041P6FKSA1	13.4900	RFQ	4596	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R041		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	77.5A（TC）	10V	41MOHM @ 35.5a，10V	4.5V @ 2.96mA	170 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 100 V	-	481W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²