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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	trr）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRLR7833CTRLPBF	-	RFQ	9565	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	140a（ta）	4.5V，10V	-	-		±20V		-	140W（TC）
BSZ440N10NS3GATMA1	0.8900	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ440			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	5.3a（ta），18A（tc）	6V，10V	44mohm @ 12a，10v	2.7V @ 12µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 50 V	-	29W（TC）
BSP296L6433HTMA1	-	RFQ	5616	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	700MOHM @ 1.1A，10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
FF200R12KT3HOSA1	168.1200	RFQ	10	Infineon技术	c	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF200R12				1050 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																										沟渠场停止	1200 v			2.15V @ 15V，200a					5 ma	不	14 NF @ 25 V
IPI03N03LA	-	RFQ	9178	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI03N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						25 v	80A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 55a，10v	2V @ 100µA	57 NC @ 5 V	±20V	7027 PF @ 15 V	-	150W（TC）
FS150R12KT4PBPSA1	-	RFQ	4262	Infineon技术	Econopack™3	托盘	过时的					FS150R12								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	6
IPI072N10N3GXKSA1	-	RFQ	5070	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI072			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						100 v	80A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
IRG4PC50U	-	RFQ	3734	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			200 w			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					480V，27a，5ohm，15V																						-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（120µJ）（在540µJ上）	180 NC	32NS/170NS
DR11140115NDSA1	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	托盘	过时的													-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRG7T 400SD12B	-	RFQ	6406	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t				2140 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542008	Ear99	8541.29.0095	15	单身的																										-	1200 v	780 a		2.2V @ 15V，400A					4 mA	不	58.5 nf @ 25 V
IFS150B17N3E4PB11BPSA1	367.4650	RFQ	3064	Infineon技术	MIPAQ™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	IFS150				20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	全桥																										沟渠场停止	1700 v	300 a		2.3V @ 15V，150a					1 MA	是的	13.5 nf @ 25 V
FS100R17N3E4PB11BPSA1	276.2367	RFQ	3696	Infineon技术	-	托盘	积极的		-	-	-	FS100						-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	6	-																										-				-
BF1009SE6327HTSA1	-	RFQ	7283	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA			800MHz	MOSFET				PG-SOT-143-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25mA			-	22DB																	1.4dB											9 V
BCP 51-16 H6778	-	RFQ	7634	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BCP 51				2 w			PG-SOT-143R-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																												45 v	1 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IPD80R360P7ATMA1	3.0300	RFQ	1905年	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	84W（TC）
T640N18TOFXPSA1	153.5625	RFQ	5948	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	DO-200AA，A-PUK	T640N18					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	12				300 MA														1.8 kV	1250 a	2.2 v	9400a @ 50Hz	250 MA	644 a			1 scr
IKW75N60TXK	1.0000	RFQ	7047	Infineon技术	-	大部分	积极的													下载					Ear99	8542.39.0001	1
IRF5806	-	RFQ	8768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道						20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	86mohm @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	11.4 NC @ 4.5 V	±20V	594 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRL2505SPBF	-	RFQ	9249	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFR9120NTRR	-	RFQ	2903	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576116	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
T2251N70TOHXPSA1	-	RFQ	1151	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T2251N70					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA														8 kV	3550 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	3140 a			1 scr
IMBG65R260M1HXTMA1	6.2300	RFQ	235	Infineon技术	COOLSIC™M1	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65R			sicfet （碳化硅）				PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	6A（TC）	18V	346MOHM @ 3.6A，18V	5.7V @ 1.1mA	6 NC @ 18 V	+23V，-5V	201 pf @ 400 V	-	65W（TC）
STT2200N16P55XPSA1	760.3200	RFQ	4268	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	STT2200					1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA														1.6 kV		2 v	21000a @ 50Hz	200 ma				2 scr
BFP460E6327HTSA1	-	RFQ	9350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP460				230MW			PG-SOT343-4-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							12.5db〜26.5dB																					5.8V	70mA										NPN		90 @ 20mA，3v	22GHz	0.7db〜1.2dB @ 100MHz〜3GHz
IPP65R310CFDAAKSA1	1.7962	RFQ	2079	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R310			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000879438	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
BC847AE6327HTSA1	0.3200	RFQ	131	Infineon技术	SOT-23	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	100 ma							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TD310N26KOFHPSA1	-	RFQ	6966	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD310N					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA														2.6 kV	700 a	1.5 v	10000a @ 50Hz	250 MA	446 a			1 sc，1二极管
IRG4BC10SDPBF	-	RFQ	1426	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			38 w			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC10SDPBF	Ear99	8541.29.0095	50					480V，8A，100OHM，15V																				28 ns		-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IRG4PC30U	-	RFQ	8068	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准			100 W			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC30U	Ear99	8541.29.0095	25					480V，12a，23ohm，15V																						-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
IKA10N65ET6XKSA2	1.7300	RFQ	8	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IKA10N65	标准			40 W			pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001701334	Ear99	8541.29.0095	50					400V，8.5a，47ohm，15V																				51 ns		沟渠场停止	650 v	15 a	42.5 a	1.9V @ 15V，8.5a	200µJ（在）上，70µJ（70µJ）	27 NC	30NS/106NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²