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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SPD22N08S2L-50	-	RFQ	3049	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD22N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						75 v	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 11a，10v	2V @ 31µA	33 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SIDC07D60F6X7SA1	-	RFQ	4786	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死		SIDC07D60		标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								600 v		1.6 V @ 22.5 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	22.5a	-
DD600N16KXPSA1	310.0250	RFQ	2478	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块				标准			BG-PB60E2A-1	下载	rohs3符合条件			448-DD600N16KXPSA1	Ear99	8541.30.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1600 v	600a	1.32 V @ 1.8 ka		40 mA @ 1.6 kV	150°C
AIMZH120R120M1TXKSA1	10.1405	RFQ	5639	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZH120R120M1TXKSA1			240
IKCM20L60GAXKMA1	18.5900	RFQ	236	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM20						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期					20 a	600 v	2000vrms
TT280N18SOFHPSA1	111.3333	RFQ	4789	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜130°C	底盘安装	模块		TT280N18				系列连接 -SCR/二极管		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				150 ma															1.8 kV	520 a	2 v	9000a @ 50Hz	150 ma	280 a										1 sc，1二极管
IRF9956PBF	-	RFQ	7090	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565670	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
BCP5316H6327XTSA1	0.2968	RFQ	3529	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP53			2 w		PG-SOT223-4-24	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				80 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
SIGC25T60UNX1SA2	-	RFQ	3512	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		SIGC25	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，30a，1.8Ohm，15V																														npt	600 v	30 a	90 a	3.15V @ 15V，30a	-		16ns/122ns
IRF1324LPBF	-	RFQ	5251	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564274	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						24 V	195a（TC）	10V	1.65MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 pf @ 24 V	-	300W（TC）
IRFR5505TRLPBF	1.3500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRFR5505		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
BSO130N03MSGXUMA1	-	RFQ	8332	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						30 V	9a（9a）	4.5V，10V	13mohm @ 11.1a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	1.56W（TA）
IMBG65R163M1HXTMA1	7.1700	RFQ	2986	Infineon技术	COOLSIC™M1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		IMBG65R		sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IMBG65R163M1HXTMA1CT	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	17a（TC）	18V	217MOHM @ 5.7A，18V	5.7V @ 1.7mA	10 NC @ 18 V	+23V，-5V	320 pf @ 400 V	-	85W（TC）
IRFB4332PBF	4.5400	RFQ	2307	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB4332		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						250 v	60a（TC）	10V	33MOHM @ 35A，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	5860 pf @ 25 V	-	390W（TC）
BSP125 E6433	-	RFQ	5008	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
AUIRFR5410TRL	2.8900	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR5410		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
SIGC06T60EX7SA1	-	RFQ	2696	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		SIGC06	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																														沟渠场停止	600 v	10 a	30 a	1.9V @ 15V，10a	-		-
SIGC25T60SNCX7SA1	-	RFQ	2513	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		SIGC25	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，30a，11ohm，15V																														npt	600 v	30 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	-		44NS/324NS
FF4MR20KM1HPHPSA1	852.0838	RFQ	1188	Infineon技术	C，Coolsic™	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块				（SIC）	-		Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件						8	2 n通道								2000V （2KV）	280a（TC）		5.3MOHM @ 300A，18V	5.15V @ 168mA	1170nc @ 18V		36100pf @ 1.2KV	（SIC）
DD600S65K3NOSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块		DD600S65		标准			A-IHV130-6	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2独立	6500 v	-	3.5 V @ 600 A		900 A @ 3600 V	-50°C〜125°C
SP000629364	0.4600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1			n通道						600 v	4.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	37W（TC）
SPB80N06S2L-09	-	RFQ	4572	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 52A，10V	2V @ 125µA	105 NC @ 10 V	±20V	3480 pf @ 25 V	-	190w（TC）
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323				肖特基			PG-SOD323-2	-						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								40 V		740 mv @ 750 mA			150°C （最大）	750mA	12pf @ 10V，1MHz
T3801N36TOFVTXPSA1	4.0000	RFQ	9803	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF		T3801N36				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA															3.6 kV	6020 a	2.5 v	91000a @ 50Hz	350 MA	5370 a										1 scr
SIGC25T60UNX7SA2	-	RFQ	7812	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		SIGC25	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					400V，30a，1.8Ohm，15V																														npt	600 v	30 a	90 a	3.15V @ 15V，30a	-		16ns/122ns
IRF7342PBF	-	RFQ	6799	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）								55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
IPP60R600P7	0.7600	RFQ	500	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRG4BC15UD-SPBF	-	RFQ	8450	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		49 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，7.8a，75ohm，15V																								28 ns						-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
AIMZHN120R030M1TXKSA1	27.5217	RFQ	6685	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R030M1TXKSA1			240
IRG4RC10SDTRPBF	-	RFQ	4337	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC10	标准		38 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，8A，100OHM，15V																								28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²