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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FP100R12KT4PB11BPSA1	231.4300	RFQ	5	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的					FP100R12							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6
IKCM30F60HDXKMA1	-	RFQ	5688	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期						30 a	600 v	2000vrms
FS200R07A1E3BOMA1	-	RFQ	9175	Infineon技术	Hybridpack™1	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS200R07			790 w		标准	Ag-Hybrid1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001364328	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																																			沟渠场停止	650 v	250 a		1.9V @ 15V，200a				1 MA	是的	13 nf @ 25 V
TD500N16KOFHPSA2	295.2000	RFQ	8892	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD500N16				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA																1.8 kV	900 a	2.2 v	17000a @ 50Hz	250 MA	500 a										1 sc，1二极管
BCR 108F E6327	-	RFQ	8008	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723		BCR 108			250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IPI65R280C6	1.0700	RFQ	500	Infineon技术	Coolmos C6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	2861	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557618	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IPB180N06S4H1ATMA2	4.3600	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IPB180		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							60 V	180a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	270 NC @ 10 V	±20V	21900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPD90P04P4L04ATMA1	2.9100	RFQ	8747	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道							40 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	±16V	11570 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BFR380FH6327XTSA1	0.4400	RFQ	19	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723		BFR380			380MW			PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						9.5db〜13.5dB																															9V	80mA									NPN		90 @ 40mA，3v	14GHz			1.1db〜1.6dB @ 1.8GHz〜3GHz
BCR 149T E6327	-	RFQ	1445	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416		BCR 149			250兆			PG-SC75-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					50 V	70 MA						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	47科姆斯
IRF7530pbf	-	RFQ	5158	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		IRF7530		MOSFET （金属 o化物）	1.3W			micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	2 n 通道（双）									20V	5.4a		30mohm @ 5.4a，4.5V	1.2V @ 250µA	26nc @ 4.5V		1310pf @ 15V	-
SI3443DVTR	-	RFQ	3705	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道							20 v	4.4a（ta）		65MOHM @ 4.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V		1079 PF @ 10 V	-
BAS 52-02V E6327	-	RFQ	5560	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-79，SOD-523		BAS 52		肖特基				PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									45 v		600 mv @ 200 ma		10 µA @ 45 V	150°C （最大）	750mA	10pf @ 10V，1MHz
BAS70-05E6327	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS70		肖特基				PG-SOT23-3-11	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BSV236SP L6327	-	RFQ	2057	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道							20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	175MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 8µA	5.7 NC @ 4.5 V	±12V	228 pf @ 15 V	-	560MW（TA）
IRFP4137pbf	6.8300	RFQ	5247	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRFP4137		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道							300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
SPP42N03S2L13	-	RFQ	7493	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		spp42n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							30 V	42A（TC）	4.5V，10V	12.9mohm @ 21a，10v	2V @ 37µA	30.5 NC @ 10 V	±20V	1130 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRG4RC10SDTRRP	-	RFQ	9599	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC10	标准		38 w			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540522	Ear99	8541.29.0095	3,000					480V，8A，100OHM，15V																									28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
BSO203PNTMA1	-	RFQ	1233	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		BSO203		MOSFET （金属 o化物）	2W			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）									20V	8.2a		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	逻辑级别门
BC 846B E6433	-	RFQ	9093	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC 846			330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																					65 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BA89502VH6327XTSA1	-	RFQ	8613	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					BA89502VH							下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
DT92N12KOFHPSA1	-	RFQ	8603	Infineon技术	-	大部分	过时的	130°C（TJ）	底盘安装	模块						系列连接 -SCR/二极管			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15				200 ma																1.2 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a										1 sc，1二极管
IPD75N04S4-06	-	RFQ	2145	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道							40 V	75A（TC）	10V	5.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IRG7PH42UD-EP	-	RFQ	4986	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		irg7ph	标准		320 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					600V，30a，10ohm，15V																									153 ns						沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
IHW20N135R5XKSA1	4.8000	RFQ	131	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IHW20N135	标准		288 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，20a，10ohm，15V																															-	1350 v	40 a	60 a	1.85V @ 15V，20A	950µJ（离）	170 NC	- /235ns
IRF7311TRPBF	1.1000	RFQ	691	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									20V	6.6a		29MOHM @ 6A，4.5V	700MV @ 250µA	27nc @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4RC10SD	-	RFQ	9939	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		38 w			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4RC10SD	Ear99	8541.29.0095	75					480V，8A，100OHM，15V																									28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
BSO4804T	-	RFQ	9227	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		BSO4804		MOSFET （金属 o化物）	2W			PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）									30V	8a		20mohm @ 8a，10v	2V @ 30µA	17NC @ 5V		870pf @ 25V	逻辑级别门
IRF7413PBF	-	RFQ	3364	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道							30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²