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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPDQ65R060CFD7AXTMA1	5.9223	RFQ	7256	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块				MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-22-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750		n通道							650 v	45A（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 820µA	65 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	272W（TC）
IPW60R040CFD7XKSA1	11.9000	RFQ	143	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R040			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道							600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4.5V @ 1.25mA	109 NC @ 10 V	±20V	4354 PF @ 400 V	-	227W（TC）
IRLH5030TR2PBF	-	RFQ	4696	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道							100 v	（13A）（100A）（100a tc）		9mohm @ 50a，10v	2.5V @ 150µA	94 NC @ 10 V		5185 PF @ 50 V	-
IGW08T120FKSA1	3.6300	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW08T120	标准			70 W		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，8a，81ohm，15V																															NPT，沟渠场停止	1200 v	16 a	24 a	2.2V @ 15V，8a	1.37MJ	53 NC	40NS/450NS
SIPC26N60CFDX1SA1	-	RFQ	7916	Infineon技术	-	盒子	过时的												-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000015120	过时的	0000.00.0000	1										-
IDW40G120C5BFKSA1	24.3200	RFQ	863	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	IDW40G120			SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	1200 v	55A（DC）	1.65 V @ 20 A		166 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
PTFA211801E V4	-	RFQ	2716	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA211801		2.14GHz	ldmos			H-36260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35			10µA			1.2 a	35W	15.5db																	-																			28 V
IPI50R250CPXKSA1	-	RFQ	9551	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道							500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
T660N26TOFXPSA1	229.2333	RFQ	2053	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK	T660N26					单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6				300 MA															2.6 kV	1500 a	2.2 v	13000a @ 50Hz	250 MA	660 a											1 scr
SIPC69N50C3X1SA2	-	RFQ	9264	Infineon技术	*	大部分	积极的					SIPC69							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1
SIDC78D170HX1SA1	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	死	SIDC78D			标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1700 v		1.8 V @ 150 A		27 µA @ 1700 V	-55°C〜150°C	150a	-
IPB65R190CFD7AATMA1	4.3100	RFQ	5315	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R190			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							650 v	14A（TC）		190mohm @ 6.4a，10v	4.5V @ 320µA	28 NC @ 10 V	±20V	1291 PF @ 400 V	-	77W（TC）
BSS126 E6327	-	RFQ	1597年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道							600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
IRF7607	-	RFQ	3385	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道							20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
BTS110E3045ANTMA1	-	RFQ	1830年	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道							100 v	10A（TC）		200mohm @ 5A，10V	3.5V @ 1mA			600 pf @ 25 V	-	-
BC847BWE6433HTMA1	-	RFQ	9554	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																					45 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IRG4BC30F-STRLP	-	RFQ	3204	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30	标准			100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					480V，17a，23ohm，15v																															-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
2SP0115T2A0FF300R17NPSA1	-	RFQ	5800	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRLS3036PBF	-	RFQ	3781	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552894	Ear99	8541.29.0095	50		n通道							60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IDV08E65D2XKSA1	1.2600	RFQ	1624年	Infineon技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	IDV08E65			标准			TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										650 v		2.3 V @ 8 A	40 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	8a	-
T1601N36TOFXPSA1	2.0000	RFQ	8104	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T1601N36					单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA															3.6 kV	2990 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	2700 a											1 scr
BSP62E6327HTSA1	-	RFQ	7905	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP62				1.5 w		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																					80 V	1 a							10µA	pnp-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
SPP80N06S209	0.7500	RFQ	894	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道							55 v	80A（TC）	10V	9.1MOHM @ 50a，10v	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IRFL4310TRPBF	0.9700	RFQ	39	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL4310			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道							100 v	1.6a（ta）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BCR10PNH6730	-	RFQ	8007	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR10				250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																					50V	100mA							100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
BC847CWH6778XTSA1	0.0702	RFQ	4653	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847				250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					45 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IKQ50N120CH3XKSA1	12.6600	RFQ	237	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ50N120	标准			652 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，50a，10ohm，15V																															-	1200 v	100 a	200 a	2.35V @ 15V，50a	3MJ（在）上，1.9MJ（OFF）	235 NC	34NS/297NS
IRG4IBC30WPBF-INF	1.5600	RFQ	844	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			45 W		到220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1					480V，12a，23ohm，15V																															-	600 v	17 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
T501N70TOHXPSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T501N70					单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4				350 MA															7 kV	1000 a	2.5 v	13500a @ 50Hz	350 MA	890 a											1 scr
IRG7PH44K10DPBF	-	RFQ	4894	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准			320 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544958	Ear99	8541.29.0095	25					600V，25a，10ohm，15V																									130 ns						-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.1mj（在）上，1.3MJ off）	200 NC	75NS/315NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²