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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IDDD04G65C6XTMA1	2.5300	RFQ	3	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	10-powersop模块		IDDD04		SIC （碳化硅）				PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,700		没有恢复t> 500mA（IO）																						650 v	0 ns	14 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	13a	205pf @ 1V，1MHz
IRL3803	-	RFQ	3065	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3803	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	140a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IPD90N04S405ATMA1	1.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	86A（TC）	10V	5.2MOHM @ 86A，10V	4V @ 30µA	37 NC @ 10 V	±20V	2960 pf @ 25 V	-	65W（TC）
SPP100N03S2L03	-	RFQ	3739	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP100N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRGSL6B60KDPBF	-	RFQ	6969	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IRGSL6	标准		90 W			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，5A，100OHM，15V																				70 ns						npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRG4BC10KPBF	-	RFQ	8170	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		38 w			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，5A，100OHM，15V																										-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
TT251N16KOFHPSA1	188.0500	RFQ	3	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TT251N16				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA															1.6 kV	2 v	9100A @ 50Hz	200 MA	250 a							2 scr
BSM50GB120DLCHOSA1	-	RFQ	1688年	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		BSM50G			460 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																														-	1200 v	115 a		2.6V @ 15V，50a				5 ma	不	3.3 NF @ 25 V
IPI05N03LA	-	RFQ	3001	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI05N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						25 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 55a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IPD60R180C7ATMA1	3.2200	RFQ	8721	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						600 v	13A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	68W（TC）
IRFU15N20DPBF	-	RFQ	8184	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						200 v	17a（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PX8847HDNG008XTMA1	-	RFQ	5006	Infineon技术	-	托盘	过时的					PX8847HD							-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IRL5602STRLPBF	-	RFQ	7219	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573916	Ear99	8541.29.0095	800			P通道						20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRG4PC20U	-	RFQ	8321	Infineon技术	-	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3		IRG4PC20	标准		60 W			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC20U	Ear99	8541.29.0095	25					480V，6.5a，50ohm，15V																										-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
IPD60R380E6ATMA2	-	RFQ	8322	Infineon技术	Coolmos™E6	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 300µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPD78CN10NGBUMA1	-	RFQ	2199	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD78C		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						100 v	13A（TC）	10V	78mohm @ 13a，10v	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
IPSA70R360P7SAKMA1	1.3000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPSA70		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						700 v	12.5A（TC）	10V	360MOHM @ 3A，10V	3.5V @ 150µA	16.4 NC @ 400 V	±16V	517 PF @ 400 V	-	59.5W（TC）
AIKW20N60CTXKSA1	6.5600	RFQ	4944	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		aikw20	标准		166 w			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001346790	Ear99	8541.29.0095	30					400V，20A，12OHM，15V																										沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	（310µJ）（在460µJ上）	120 NC	18NS/199N
IRGP4266-EPBF	-	RFQ	8996	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		450 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549758	Ear99	8541.29.0095	25					400V，75A，10欧姆，15V																										-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	3.2MJ（在）上，1.7MJ off）	210 NC	80NS/200NS
BC857BE6433HTMA1	0.0489	RFQ	7777	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC857			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPB147N03LGATMA1	-	RFQ	8730	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB147N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						30 V	20A（TC）	4.5V，10V	14.7mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）
IM393X6FXKLA1	-	RFQ	5761	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	26-Powersip模块，22条线索，形成铅	IGBT	IM393x6							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	540	3相逆变器					20 a	600 v	2000vrms
IKW75N60H3	1.0000	RFQ	8822	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		428 w			pg-to247-3-41	下载					Ear99	8541.29.0095	1					400V，75A，5.2OHM，15V																				190 ns						沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2.3V @ 15V，75a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	470 NC	31NS/265NS
FF1000R17IE4DPB2BOSA1	1.0000	RFQ	7087	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF1000					标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																														沟渠场停止	1700 v	1000 a		2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
IRFS31N20DTRLP	-	RFQ	5205	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRF9Z24		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道						55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BCV47E6327HTSA1	0.4700	RFQ	19	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCV47			360兆w			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																60 V	500 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	170MHz
FS600R07A2E3BOSA3	-	RFQ	7136	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS600R07			1250 w		标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	三期																														沟渠场停止	650 v	530 a		1.6V @ 15V，400A				5 ma	是的	39 NF @ 25 V
SIPC20S2N06LX6SA1	-	RFQ	9940	Infineon技术	-	大部分	过时的	-						-					-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-							-	-	-	-		-		-	-
IPB020N04NGATMA1	3.0800	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IPB020		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	140a（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	120 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 20 V	-	167W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²