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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRGS14C40LPBF	-	RFQ	1486年	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS14	逻辑		125 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																											-	430 v	20 a		1.75V @ 5V，14a	-	27 NC	900NS/6µS
IPB65R045C7ATMA2	14.6900	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R045		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	46A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
SPP04N50C3XKSA1	-	RFQ	7142	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp04n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681022	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BCR133SB6327XT	-	RFQ	7286	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR133			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30,000																																	50V	100mA								-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
IRFR18N15DTR	-	RFQ	4188	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BB689H7908XTSA1	-	RFQ	6421	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB689					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																														2.9pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V								23.2	C1/C28	-
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ40N120	标准		500 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，12ohm，15V																											-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
IRF7402Tr	-	RFQ	7683	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			20 v	6.8a（ta）	2.7V，4.5V	35MOHM @ 4.1A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IKD03N60RFATMA1	1.0300	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD03N60	标准		53.6 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，2.5a，68onm，15V																					31 ns						沟渠场停止	600 v	6.5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	（50µJ），40µJ（40µJ）	17.1 NC	10NS/128NS
IRFSL3006PBF	6.4700	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL3006		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRF7205pbf	-	RFQ	5123	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道			30 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	70MOHM @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	2.5W（TC）
IRL1404ZSPBF	-	RFQ	8509	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRF7342PBF	-	RFQ	6799	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）					55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
D400K16BXPSA1	-	RFQ	2586	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D400K		标准			-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1600 v				40 mA @ 1600 V	-40°C〜180°C	450a	-
T4021N52TOHXPSA1	6.0000	RFQ	7245	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T4021N52				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA												5.35 kV	6100 a	3.5 v	105000a @ 50Hz	350 MA	5460 a										1 scr
IRG4PC40K	-	RFQ	2045	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC40K	Ear99	8541.29.0095	25					480V，25a，10ohm，15V																											-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRF9956PBF	-	RFQ	7090	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565670	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）					30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
SIGC06T60EX7SA1	-	RFQ	2696	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC06	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																											沟渠场停止	600 v	10 a	30 a	1.9V @ 15V，10a	-		-
FF4MR20KM1HPHPSA1	852.0838	RFQ	1188	Infineon技术	C，Coolsic™	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块			（SIC）	-		Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件						8	2 n通道					2000V （2KV）	280a（TC）		5.3MOHM @ 300A，18V	5.15V @ 168mA	1170nc @ 18V		36100pf @ 1.2KV	（SIC）
IRG4RC10SDTRPBF	-	RFQ	4337	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，8A，100OHM，15V																					28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
AIMZHN120R030M1TXKSA1	27.5217	RFQ	6685	Infineon技术	*	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R030M1TXKSA1			240
SPD22N08S2L-50	-	RFQ	3049	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD22N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			75 v	25A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 11a，10v	2V @ 31µA	33 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SIDC07D60F6X7SA1	-	RFQ	4786	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC07D60		标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					600 v		1.6 V @ 22.5 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	22.5a	-
DD600N16KXPSA1	310.0250	RFQ	2478	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块			标准			BG-PB60E2A-1	下载	rohs3符合条件			448-DD600N16KXPSA1	Ear99	8541.30.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1对系列连接	1600 v	600a	1.32 V @ 1.8 ka		40 mA @ 1.6 kV	150°C
BC 850B E6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,836																																	45 v	100 ma								15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
TTB6C135N16LOFHOSA1	293.0376	RFQ	9897	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TTB6C135				桥梁，三相 -scr		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				200 MA												1.6 kV	100 a	2.5 v	1000a @ 50Hz	150 ma	173 a										6 scr
Auirfr5505trl	-	RFQ	1243	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519572	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
ICA30V02X1SA1	-	RFQ	7278	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000920766	过时的	0000.00.0000	1
AUIRFR5410TRL	2.8900	RFQ	16	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR5410		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRG4PC50UD-MP	-	RFQ	8412	Infineon技术	hexfred®	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					-																					75 ns						-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	-	270 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²