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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DR11242513NDSA1	-	RFQ	4912	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IPW80R290C3AFKSA1	-	RFQ	3365	Infineon技术	*	管子	过时的					IPW80R							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
BCX51H6327XTSA1	0.1920	RFQ	7099	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX51			2 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
FZ1800R12HE4B9HOSA2	1.0000	RFQ	4865	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FZ1800			11000 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																																		沟渠场停止	1200 v	2735 a		2.1V @ 15V，1800a				5 ma	不	110 nf @ 25 V
DR11242514NDSA1	-	RFQ	2046	Infineon技术	-	大部分	过时的												-			到达不受影响	448-DR11242514NDSA1	Ear99	8542.39.0001	1
TT120N16SOFB01HPSA1	38.0400	RFQ	11	Infineon技术	-	托盘	积极的	130°C（TJ）	底盘安装	模块		TT120N16				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	12				250 MA															1.6 kV	190 a	2.5 v	2250a @ 50Hz	100 ma	119 a										2 scr
BAS7002VH6327XTSA1	0.4800	RFQ	70	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523		BAS7002		肖特基				PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								70 v		1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）	70mA	2pf @ 0v，1MHz
IRF7313PBF	-	RFQ	8223	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566122	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								30V	6.5a		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	-
DT61N2516KOFHPSA1	-	RFQ	2002	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	模块						系列连接 -SCR/二极管			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15				200 MA															1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a										1 sc，1二极管
FS400R12A2T4IBPSA1	-	RFQ	2892	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS400R12			1500 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	全桥																																		沟渠场停止	1200 v	400 a		1.85V @ 15V，300A				1 MA	是的	25 NF @ 25 V
FF300R17ME4PB11BPSA1	269.0100	RFQ	8020	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF300R17			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥																																		沟渠场停止	1700 v	600 a		2.3V @ 15V，300A				3 ma	是的	24.5 nf @ 25 V
IRFI530N	-	RFQ	1750	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI530N	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	12A（TC）	10V	110MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	41W（TC）
T2810N20TOFVTXPSA1	-	RFQ	8343	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae		T2810N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															2.2 kV	5800 a	2.5 v	58000a @ 50Hz	300 MA	2810 a										1 scr
IPP037N06L3GHKSA1	-	RFQ	1774年	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP037		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000398072	Ear99	8541.29.0095	500			n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IPC100N04S5L2R6ATMA1	1.5100	RFQ	3751	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IPC100		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 50a，10v	2V @ 30µA	55 NC @ 10 V	±16V	2925 PF @ 25 V	-	75W（TC）
TD250N16KOFTIMHPSA1	189.7100	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD250N16				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA															1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 MA	250 a										1 sc，1二极管
ICA32V22X1SA1	-	RFQ	4318	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001113926	过时的	0000.00.0000	1
IM240S6Z1BALSA1	-	RFQ	7790	Infineon技术	IM240-m6	管子	过时的		表面安装	23-SMD模块	IGBT								下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器					3 a	600 v	1900vrms
BAW56E6433	0.0200	RFQ	110	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAW56		标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IKW40N65H5FKSA1	5.5400	RFQ	2877	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKW40N65	标准		255 w			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，20a，15ohm，15V																								62 ns						-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
IRF7331pbf	-	RFQ	1272	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577400	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								20V	7a		30mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	逻辑级别门
IRL520NSTRL	-	RFQ	8309	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRGP4269DPBF	-	RFQ	8626	Infineon技术	-	管子	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546196	Ear99	8541.29.0095	240
FF150R12KE3B8BDLA1	82.6800	RFQ	40	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					1250 w		标准	AG-62mm	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	半桥																																		-	1200 v	225 a		3.7V @ 15V，150a				5 ma	不	11 nf @ 25 V
DD1200S33KL2C_B5	1.0000	RFQ	17	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块					1800 w		标准	A-IHV130-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	2独立																																		-	3300 v			-					不
IDL06G65C5XUMA2	2.9300	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	4-POWERTSFN		IDL06G65		SIC （碳化硅）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																								650 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	110 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IRL3715STRRPBF	-	RFQ	9892	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
AUIRFN8458TR	2.5300	RFQ	8841	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		AUIRFN8458		MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）								40V	43A（TC）		10mohm @ 26a，10v	3.9V @ 25µA	33nc @ 10V		1060pf @ 25V	-
FZ1600R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		FZ1600			8950 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器																																		npt	1700 v	2300 a		2.45V @ 15V，600A				5 ma	是的	145 NF @ 25 V
IRFR3518TRPBF	-	RFQ	7857	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²