RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BFP720H6327XTSA1	0.6800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP720			100MW		PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					10.5db〜28.5dB																					4.7V	25mA									NPN		160 @ 13mA，3v	45GHz	0.4db〜0.95db @ 150MHz〜10GHz
IRLI3803	-	RFQ	1788年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI3803	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			30 V	76A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 40a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	63W（TC）
IPI60R099CPAAKSA1	-	RFQ	5310	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			600 v	31a（TC）	10V	105mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W（TC）
BUZ73H3046XKSA1	-	RFQ	3475	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz73		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
auirfs4115trl	4.6267	RFQ	8432	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518088	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
DD81S14KKHPSA1	-	RFQ	7811	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准			模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1对系列连接	1400 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 1400 V	150°C
IRL3502PBF	-	RFQ	7646	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IPP052N06L3GHKSA1	-	RFQ	9518	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP052M		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000453616	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2.2V @ 58µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	8400 PF @ 30 V	-	115W（TC）
D452N18EVFXPSA1	-	RFQ	1080	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺丝安装	非标准	D452N		标准			FL54	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1800 v				50 ma @ 1800 V	-40°C〜180°C	450a	-
IPP041N12N3GXKSA1	6.3900	RFQ	16	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP041		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			120 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	211 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 60 V	-	300W（TC）
IDH08S60CAKSA1	-	RFQ	5391	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH08S		SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）															600 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	310pf @ 1V，1MHz
SPP73N03S2L08XK	-	RFQ	4281	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP73N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	73A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 36a，10v	2V @ 55µA	46.2 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
IRFU12N25D	-	RFQ	4461	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU12N25D	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
IRFB4310ZGPBF	-	RFQ	4474	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001575544	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
BAS70E6327HTSA1	0.5400	RFQ	28	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70		肖特基			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															70 v		1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C	70mA	2pf @ 0v，1MHz
BCX51E6327	0.0900	RFQ	67	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																										45 v	1 a						100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IPP034N03LGHKSA1	-	RFQ	8514	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP034N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000237660	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IPP80N06S3L-06	-	RFQ	2244	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			55 v	80A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 56A，10V	2.2V @ 80µA	196 NC @ 10 V	±16V	9417 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SKB06N60ATMA1	-	RFQ	8352	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB06N	标准		68 w		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，6A，50OHM，15V																200 ns					npt	600 v	12 a	24 a	2.4V @ 15V，6a	215µJ	32 NC	25NS/220NS
IDV30E60C	-	RFQ	4131	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV30E60		标准			pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v		2.05 V @ 30 A	130 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	21a	-
IPD03N03LB g	-	RFQ	4586	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD03N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 60a，10v	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IPP65R125C7XKSA1	5.6700	RFQ	2472	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R125		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 8.9a，10v	4V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 400 V	-	101W（TC）
BSC0911NDATMA1	2.0000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0911		MOSFET （金属 o化物）	1W		PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）					25V	18a，30a		3.2MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	12nc @ 4.5V		1600pf @ 12V	逻辑级别门，4.5V驱动器
DD350N12KKHPSA1	-	RFQ	6068	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准			模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1对系列连接	1200 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 1200 V	150°C
IPP139N08N3G	0.5600	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
BSC037N025S g	-	RFQ	8349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	21a（21A），100A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 50µA	29 NC @ 5 V	±20V	3660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
F4200R17N3E4BPSA1	284.5000	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4200R17			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																								沟渠场停止	1700 v	200 a		2.3V @ 15V，200a				1 MA	是的	18 nf @ 25 V
IRGS4610DTRLPBF	-	RFQ	1139	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536494	Ear99	8541.29.0095	800				400V，6A，47OHM，15V																74 ns					-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRFU4510pbf	1.9100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4510		MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IQDH45N04LM6CGATMA1	4.0500	RFQ	8000	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN	IQDH45		MOSFET （金属 o化物）			PG-TTFN-9-U02	-	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	5,000			n通道			40 V	60a（637a）（637A）TC）	4.5V，10V	0.45MOHM @ 50a，10V	2.3V @ 1.449mA	129 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 20 V	-	3W（3），333W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²