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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BFP650FH6327XTSA1	0.6100	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP650			500MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					11DB〜21.5DB																			4.5V	150mA									NPN		110 @ 80mA，3v	42GHz			0.8db〜1.9dB @ 1.8GHz〜6GHz
FF450R12KE4EHOSA1	213.3600	RFQ	18	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12			2400 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	1200 v	520 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
FF1400R12IP4BOSA1	930.8700	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF1400			765000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																						沟渠场停止	1200 v	1400 a		2.05V @ 15V，1400a				5 ma	是的	82 NF @ 25 V
BFS17WE6327HTSA1	-	RFQ	4974	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFS17			280MW		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-																			15V	25mA									NPN		40 @ 2mA，1V	1.4GHz			3.5db〜5dB @ 800MHz
IRFB4110pbf	4.7700	RFQ	847	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4110		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W（TC）
63-9015	-	RFQ	5446	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	-	-	-	-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				-																			-				-	-		-
64-2096pbf	-	RFQ	3175	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRF2907		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			75 v	160a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPA057N08N3GXKSA1	2.5600	RFQ	1435	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA057		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			80 V	60a（TC）	6V，10V	5.7MOHM @ 60a，10v	3.5V @ 90µA	69 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 40 V	-	39W（TC）
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FR900R12			20兆	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器																						沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	是的	54 NF @ 25 V
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1	-	RFQ	8067	Infineon技术	hexfred®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w		D-pak（TO-252AA）	-		不适用	到达不受影响	SP001814954	Ear99	8541.29.0095	2,000				480V，8A，100OHM，15V														28 ns					-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IRLR3410TRLPBF	1.3300	RFQ	63	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3410		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRFH7932TR2PBF	-	RFQ	4762	Infineon技术	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			30 V	24A（24A），104A （TC）		3.3mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V		4270 pf @ 15 V	-	3.4W（TA）
IRF7233Tr	-	RFQ	6172	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			12 v	9.5A（TA）	2.5V，4.5V	20mohm @ 9.5A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	74 NC @ 5 V	±12V	6000 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPB65R110CFD7ATMA1	6.0500	RFQ	5667	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	22a（TC）	10V	110MOHM @ 9.7a，10V	4.5V @ 480µA	41 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 400 V	-	114W（TC）
IRF3708STRR	-	RFQ	4471	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
AIDW20S65C5XKSA1	5.5332	RFQ	6411	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW20		SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	584pf @ 1V，1MHz
IPP014N06NF2SAKMA1	-	RFQ	9015	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-U05	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ipp014n06nf2sakma1tr	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	39A（ta），198a （TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 246µA	305 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 30 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IRL3302STRL	-	RFQ	8120	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
BTS244Z E3062A	-	RFQ	7272	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-5-62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
BCX70JE6433HTMA1	0.0492	RFQ	5550	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								45 v	100 ma						20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
SIDC09D60E6 UNSAWN	-	RFQ	4981	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC09D60		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v	1.7 V @ 20 A	150 ns	27 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	20a	-
BSC106N025S g	-	RFQ	6782	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	（13A）（TA），30a （TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1370 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），43W（tc）
IPB35N10S3L26ATMA1	2.1500	RFQ	8105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB35N10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	35A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 35A，10V	2.4V @ 39µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	71W（TC）
IPB45N06S3-16	-	RFQ	5970	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	45A（TC）	10V	15.4mohm @ 23A，10V	4V @ 30µA	57 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	65W（TC）
IPS70R2K0CEE8211AKMA1	0.2300	RFQ	40	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IPS70R2K0CEE8211AKMA1-448			1
IPP80N06S209AKSA2	-	RFQ	1346	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N06		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			55 v	80A（TC）	10V	9.1MOHM @ 50a，10V	4V @ 125µA	80 NC @ 10 V	±20V	2360 pf @ 25 V	-	190w（TC）
BCR191E6327HTSA1	0.0517	RFQ	2038	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR191			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IDL06G65C5XUMA1	-	RFQ	9276	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN	IDL06G65		SIC （碳化硅）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941310	Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v	1.7 V @ 6 A	0 ns	110 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IRFR12N25D	-	RFQ	2882	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
IRL1004L	-	RFQ	3897	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL1004L	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	130a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 78A，10V	1V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±16V	5330 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²