RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BSP324H6327XTSA1	0.9100	RFQ	1	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP324	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					400 v	170mA（TA）	4.5V，10V	25ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 94µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	154 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSS119NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	61	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BSS119	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IPB120P04P4L03ATMA1	2.0699	RFQ	8093	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB120	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IPD90P04P405ATMA1	1.3305	RFQ	5040	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD90	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					40 V	90A（TC）	10V	4.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPP17N25S3100AKSA1	3.0700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP17N25	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	17a（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 54µA	19 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPW65R037C6FKSA1	19.2400	RFQ	51	Infineon技术	Coolmos™C6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW65R037	MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	83.2a（TC）	10V	37mohm @ 33.1a，10v	3.5V @ 3.3mA	330 NC @ 10 V	±20V	7240 pf @ 100 V	-	500W（TC）
IPP60R099P6XKSA1	6.8500	RFQ	7161	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R099	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	37.9a（TC）	10V	99MOHM @ 14.5A，10V	4.5V @ 1.21MA	70 NC @ 10 V	±20V	3330 PF @ 100 V	-	278W（TC）
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	RFQ	146	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R070	MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	53.5a（TC）	10V	70mohm @ 20.6a，10v	4.5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4750 PF @ 100 V	-	391W（TC）
IPL60R255P6AUMA1	-	RFQ	7513	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R	MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	15.9A（TC）	10V	255mohm @ 6.4a，10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 100 V	-	126W（TC）
IPI120N06S402AKSA2	2.3590	RFQ	3065	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI120	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
BFQ790H6327XTSA1	2.3400	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA		BFQ790		1.5W		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			17dB															6.1V	300mA					NPN	60 @ 250mA，5V	1.85GHz	2.6dB @ 1.8GHz
FZ1200R33KL2CNOSA1	-	RFQ	9054	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	模块				14500 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000100618	Ear99	8541.29.0095	1																	-	3300 v	2300 a	3.65V @ 15V，1200A	5 ma	不	145 NF @ 25 V
IPP039N04LGHKSA1	-	RFQ	1279	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP039N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000391494	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 80a，10v	2V @ 45µA	78 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IPD068N10N3GATMA1	2.7500	RFQ	12	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD068	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	90A（TC）	6V，10V	6.8mohm @ 90a，10v	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
IPD135N08N3GATMA1	1.2700	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD135	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	45A（TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 45A，10V	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
IPI024N06N3GXKSA1	3.2600	RFQ	8269	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI024	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 196µA	275 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 30 V	-	250W（TC）
IPI037N08N3GXKSA1	-	RFQ	8042	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI037N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
IPD600N25N3GATMA1	3.0100	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD600	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD122	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	59A（TC）	6V，10V	12.2MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
BFP780H6327XTSA1	-	RFQ	4004	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP780		600MW		PG-SOT343-4-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000			27dB															6.1V	120mA					NPN	85 @ 90mA，5V	900MHz	1.2db〜2.4dB @ 900MHz〜3.5GHz
BSC0502NSIATMA1	1.5600	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC0502	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），43W（tc）
BSL303SPEH6327XTSA1	-	RFQ	1160	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	33mohm @ 6.3a，10v	2V @ 30µA	20.9 NC @ 10 V	±20V	1401 PF @ 15 V	-	2W（TA）
BSZ017NE2LS5IATMA1	1.6400	RFQ	3103	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ017	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	27a（27A），40a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±16V	2000 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
BSZ0502NSIATMA1	0.6360	RFQ	2510	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ0502	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），43W（tc）
IDP2301XUMA1	-	RFQ	6514	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					IDP2301					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001368356	过时的		2,500
IKCM15L60GDXKMA1	17.4200	RFQ	245	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期			20 a	600 v	2000vrms
IPAW60R280CEXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，变体		ipaw60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包，宽阔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		n通道					600 v	19.3a（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	3.5V @ 430µA	43 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IPB60R040C7ATMA1	13.6500	RFQ	7269	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA		IPB60R040	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPD60R650CEBTMA1	-	RFQ	7490	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		ipd60r	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001369530	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	82W（TC）
IPD65R1K0CEAUMA1	0.3783	RFQ	5975	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IPD65R1	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	7.2A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 200µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	68W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²