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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRFS4321TRLPBF	3.8500	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道									150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
BBY 53 E6327	-	RFQ	6113	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BBY 53					PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																													3.1pf @ 3V，1MHz						1对普通阴极	6 V										2.6	C1/C3	-
IRFB7440pbf	1.7300	RFQ	1	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB7440		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									40 V	120A（TC）	6V，10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	135 NC @ 10 V	±20V	4730 PF @ 25 V	-	143W（TC）
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1	-	RFQ	3560	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	DO-200AB，B-PUK		56DN06		标准			E-EUPEC-0	-		不适用	到达不受影响	SP000961310	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					600 v	1.15 V @ 10000 A		100 ma @ 600 V	180°C （最大）	6400a	-
IPB034N06N3GATMA1	-	RFQ	9266	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IPB034N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
BSP315PL6327HTSA1	-	RFQ	2553	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道									60 V	1.17A（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 1.17A，10V	2V @ 160µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSM100GP60BOSA1	-	RFQ	6040	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		BSM100			420 W	三相桥梁整流器	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																													-	600 v	135 a	2.45V @ 15V，100a				500 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
BG3130E6327HTSA1	-	RFQ	9934	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BG3130	800MHz	MOSFET			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA		14 ma	-	24dB														1.3dB												5 v
BTS247Z E3062A	-	RFQ	8960	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-5-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									55 v	33A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 12a，10v	2V @ 90µA	90 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	温度传感二极管	120W（TC）
IPI65R099C6XKSA1	-	RFQ	7674	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道									650 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 12.8a，10v	3.5V @ 1.2mA	127 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 100 V	-	278W（TC）
AIMZA75R008M1HXKSA1	23.4800	RFQ	6381	Infineon技术	*	管子	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZA75R008M1HXKSA1			240
IGCM20F60HAXKMA1	-	RFQ	4359	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247030	Ear99	8541.29.0095	280	3期								20 a	600 v	2000vrms
IPP034NE7N3GXKSA1	3.7800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP034		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									75 v	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	3.8V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8130 PF @ 37.5 V	-	214W（TC）
IPA65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	61	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA65R045		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									650 v	18A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	35W（TC）
BSS79C	-	RFQ	9419	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																															40 V	800 MA					10NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
IRF9956TR	-	RFQ	1651年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）											30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IPB45N06S409ATMA1	-	RFQ	8862	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB45N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									60 V	45A（TC）	10V	9.1MOHM @ 45A，10V	4V @ 34µA	47 NC @ 10 V	±20V	3785 pf @ 25 V	-	71W（TC）
BAR 64-07 E6327	-	RFQ	4026	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		TO-253-4，TO-253AA		BAR64					PG-SOT-143-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	6,000					100 ma																250兆								0.35pf @ 20V，1MHz						引脚-2独立	150V				1.35OHM @ 100mA，100MHz
BFP460E6433HTMA1	-	RFQ	4119	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP460			230MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000								12.5db〜26.5dB																							5.8V	70mA									NPN		90 @ 20mA，3v	22GHz	0.7db〜1.2dB @ 100MHz〜3GHz
IRF3711ZCSTRRP	-	RFQ	2685	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道									20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
T3401N36TOFVTXPSA1	4.0000	RFQ	4506	Infineon技术	-	托盘	积极的						T3401N36						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1
BCV27E6395HTMA1	-	RFQ	3364	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					360兆w		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	500 MA					100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	170MHz
BFS17WH6327XTSA1	0.0593	RFQ	9823	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BFS17			280MW		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								-																							15V	25mA									NPN		40 @ 2mA，1V	1.4GHz	3.5db〜5dB @ 800MHz
IRG5K100HF12B	-	RFQ	8946	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块					780 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																													-	1200 v	200 a	2.6V @ 15V，100a				2 ma	不	11.7 NF @ 25 V
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	RFQ	2	Infineon技术	strongirfet™2	（CT）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道									80 V	17a（17a），98a （TC）	6V，10V	5.5MOHM @ 60a，10V	3.8V @ 55µA	54 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 40 V	-	（3W）（TA），107W（107W）（TC）
IDW40E65D2FKSA1	3.2100	RFQ	2	Infineon技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		IDW40E65		标准			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					650 v	2.3 V @ 40 A	75 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	80a	-
IDW75E60FKSA1	3.0100	RFQ	175	Infineon技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		IDW75E60		标准			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v	2 V @ 75 A	121 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	120a	-
BSC027N03S g	-	RFQ	5533	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									30 V	25a（25A），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 90µA	51 NC @ 5 V	±20V	6540 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IPD60R1K5CEAT MA1	0.6500	RFQ	23	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									600 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IPD90P04P405ATMA1	1.3305	RFQ	5040	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道									40 V	90A（TC）	10V	4.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²