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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SIPC06N60C3	-	RFQ	9481	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000013362	Ear99	8541.29.0040	1
FF2MR12KM1HOSA1	1.0000	RFQ	10	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF2MR12		MOSFET （金属 o化物）	-		AG-62mm	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2 n 通道（半桥）					1200V（1.2kV）	500A（TC）		2.13MOHM @ 500A，15V	5.15V @ 224mA	1340nc @ 15V		39700pf @ 800V	-
IRF3205pbf	1.8700	RFQ	7426	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3205		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FP15R12W2T4BOMA1	52.8400	RFQ	14	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP15R12			145 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																								沟渠场停止	1200 v	30 a		2.25V @ 15V，15a				1 MA	是的	890 pf @ 25 V
BFP182WE6327	0.0800	RFQ	27	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				250MW		PG-SOT343-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					22DB																					12V	35mA									NPN	70 @ 10mA，8v	8GHz	0.9db〜1.3db @ 900MHz〜1.8GHz
BFP181E7764	0.0700	RFQ	4683	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA				175MW		PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,900					21dB																					12V	20mA									NPN	70 @ 70mA，8v	8GHz	0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BFP 405 H6740	0.1600	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				75MW		PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					23dB																					5V	25mA									NPN	60 @ 5mA，4V	25GHz	1.25dB @ 1.8GHz
BFP520FE6327	0.1600	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅				100MW		4-TSFP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000					22.5dB																					3.5V	40mA									NPN	70 @ 20mA，2V	45GHz	0.95dB @ 1.8GHz
IRG5K50FF06E	-	RFQ	2440	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir Eco 2™模块	IRG5K50			245 w	标准	Powir Eco 2™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	三相逆变器																								-	600 v	100 a		2.1V @ 15V，50a				1 MA	是的	3 nf @ 25 V
FF600R17ME4PB11BOSA1	489.9300	RFQ	9750	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R17				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥逆变器																								沟渠场停止	1700 v	600 a		2.3V @ 15V，600A				1 MA	是的	48 nf @ 25 V
IRF2907ZPBF	3.3600	RFQ	238	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF2907		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道			75 v	160a（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FS75R07N2E4B11BPSA1	115.4649	RFQ	8163	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R07			250 w	标准	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																								沟渠场停止	650 v	75 a		1.95V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
IPP50R299CP	1.0000	RFQ	5655	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BFR183E6327HTSA1	0.5100	RFQ	26	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR183			450MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					17.5db																					12V	65mA									NPN	70 @ 15mA，8v	8GHz	0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
IKU15N60RBKMA1	-	RFQ	5280	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ku15n	标准		250 w		pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500				400V，15A，15欧姆，15V																110 ns					沟	600 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	900µJ	90 nc	16NS/183NS
IRFS7534-7PPBF	-	RFQ	4688	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557490	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRL520NSPBF	-	RFQ	5370	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRLR3705Z	-	RFQ	2707	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			55 v	42A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±16V	2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IPD90N06S405ATMA2	1.6300	RFQ	8107	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			60 V	90A（TC）	10V	5.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 60µA	81 NC @ 10 V	±20V	6500 PF @ 25 V	-	107W（TC）
DD242S10KKHPSA1	-	RFQ	8410	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准			模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1对系列连接	1000 v	261a	1.55 V @ 800 A		200 ma @ 1000 V	150°C
BSO350N03	-	RFQ	6117	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO350N03		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）					30V	5a		35mohm @ 6a，10v	2V @ 6µA	3.7nc @ 5V		480pf @ 15V	逻辑级别门
IRF7241	-	RFQ	9448	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道			40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPP60R022S7XKSA1	13.4200	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™S7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R022		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IRF3710STRLPBF	2.3200	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3710		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
irlr024ntrr	-	RFQ	1938年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BAS 70 B5003	-	RFQ	3449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS 70		肖特基			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															70 v		1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C	70mA	2pf @ 0v，1MHz
BSC600N25NS3GATMA1	3.5900	RFQ	1710	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC600		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	125W（TC）
DD81S14KAHPSA1	-	RFQ	8648	Infineon技术	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15
BSL307SP	-	RFQ	1739年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSOP6-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			30 V	5.5A（ta）	4.5V，10V	43mohm @ 5.5A，10V	2V @ 40µA	29 NC @ 10 V	±20V	805 pf @ 25 V	-	2W（TA）
SIPC26N50C3X1SA2	-	RFQ	3919	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC26						-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000956996		0000.00.0000	1							-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²