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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
AUIRFS3207Z	-	RFQ	9197	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520616	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRG5U75HF06A	-	RFQ	4728	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	IRG5U75			330 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																					-	600 v	100 a		2.9V @ 15V，75a				1 MA	不	4.3 NF @ 25 V
FP25R12KT4B11BOSA1	-	RFQ	7034	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP25R12			160 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	25 a		2.15V @ 15V，25a				1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
IRG4BC15UD	-	RFQ	7709	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC15	标准		49 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC15UD	Ear99	8541.29.0095	50				480V，7.8a，75ohm，15V													28 ns					-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRFS7540TRLPBF	2.3200	RFQ	240	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS7540		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRF3515S	-	RFQ	5185	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2260 pf @ 25 V	-	200W（TC）
SKW30N60FKSA1	7.4959	RFQ	5174	Infineon技术	-	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SKW30N	标准		250 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，11ohm，15V													400 ns					npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
DF80R12W2H3FB11BPSA1	94.6200	RFQ	15	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF80R12			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	半桥																					沟渠场停止	1200 v	20 a		1.7V @ 15V，20A				1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
FS75R12KT3BOSA1	140.3000	RFQ	5	Infineon技术	Econopack™2	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS75R12			355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
IGQ75N120S7XKSA1	12.2600	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
IRL8113STRR	-	RFQ	6659	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
IPP60R199CPXKSA1	4.6000	RFQ	591	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R199		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
FF600R12ME4CPB11BPSA1	410.6367	RFQ	8391	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			4050 w	标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥逆变器																					沟渠场停止	1200 v	1060 a		2.1V @ 15V，600A				3 ma	是的	37 NF @ 25 V
IRFR3910pbf	-	RFQ	5113	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571594	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
DD800S17K3B2NOSA1	842.7200	RFQ	86	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-DD800S17K3B2NOSA1-448			1
IRG4BC30K	-	RFQ	2677	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30K	Ear99	8541.29.0095	50				480V，16a，23ohm，15v																		-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	67 NC	26NS/130NS
IPB019N08N5ATMA1	7.1200	RFQ	960	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB019		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		80 V	180a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 154µA	123 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 40 V	-	224W（TC）
DF150R12W1H3FB11BOMA1	58.5000	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-			DF150				-		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				24	-																					-				-
IPAN80R360P7XKSA1	2.8400	RFQ	7024	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 280µA	30 NC @ 10 V	±20V	930 PF @ 500 V	-	30W（TC）
IPD80R1K4P7ATMA1	1.3100	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R1		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 700µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	32W（TC）
SIDC14D120E6X1SA4	-	RFQ	7540	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC14D120		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1200 v	1.9 V @ 15 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	15a	-
AUIRF1324STRL	-	RFQ	4401	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF1324		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518546	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		24 V	195a（TC）	10V	1.65MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 pf @ 24 V	-	300W（TC）
BC847PNH6433XTMA1	0.0886	RFQ	6968	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC847			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																							45V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
900546CHOSA1	1.0000	RFQ	5849	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPB80N06S208ATMA2	-	RFQ	9300	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		55 v	80A（TC）	10V	7.7MOHM @ 58A，10V	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 pf @ 25 V	-	215W（TC）
IRG4BC20UDSTRRP	-	RFQ	4584	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535602	Ear99	8541.29.0095	800				480V，6.5a，50ohm，15V													37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
SPI11N65C3HKSA1	-	RFQ	8488	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000014526	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		650 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BCR 162T E6327	-	RFQ	8568	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 162			250兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
SPA03N60C3XK	1.0000	RFQ	8162	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	29.7W（TC）
BC 807-16W H6327	-	RFQ	2828	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 807			250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²