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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPP070N06L g	-	RFQ	9760	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP070N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道									60 V	80A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 80a，10v	2V @ 150µA	126 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 30 V	-	214W（TC）
AUIRF4905S	6.4600	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRF4905			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道									55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BSO615N	-	RFQ	1448	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		BSO615			MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）										60V	2.6a		150MOHM @ 2.6a，4.5V	2V @ 20µA	20NC @ 10V		380pf @ 25V	逻辑级别门
IRGP4066DPBF	-	RFQ	4313	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRGP4066	标准			454 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				400V，75A，10欧姆，15V																		155 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
ipd16cne8n g	-	RFQ	1936年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD16C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道									85 v	53A（TC）	10V	16mohm @ 53a，10v	4V @ 61µA	48 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 40 V	-	100W（TC）
BSM100GB120DLCHOSA1	176.8650	RFQ	5659	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		BSM100				830 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																						-	1200 v	100 a		-						是的
Auirfr8405trl	2.9200	RFQ	2788	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR8405			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道									40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
Auirls4030-7p	-	RFQ	3077	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）					MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道									100 v	190a（TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11490 pf @ 50 V	-	370W（TC）
BSM35GD120DN2	-	RFQ	2930	Infineon技术	-	托盘	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	模块		BSM35G				280 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																						npt	1200 v	50 a		3.2V @ 15V，35a						不	2 NF @ 25 V
IKP15N65H5XKSA1718	-	RFQ	7036	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			105 w		pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1				400V，7.5a，39onm，15V																		48 ns	沟渠场停止	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	120µJ（在）上，50µJ（50µJ）	38 NC	17ns/160ns
IPA60R210CFD7XKSA1	3.2700	RFQ	3138	Infineon技术	-	管子	积极的		-	-	-		IPA60R210			-			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-										7A（TC）	-	-	-		-		-	-
IRG4BC20UD-STRR	-	RFQ	5346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准			60 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	IRG4BC20UDSTRR	Ear99	8541.29.0095	800				480V，6.5a，50ohm，15V																		37 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
SPP10N10L	-	RFQ	7680	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		spp10n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道									100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPA50R800CEXKSA2	0.9600	RFQ	343	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA50R800			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道									500 v	4.1A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	26.4W（TC）
IPP60R750E6XKSA1	-	RFQ	7654	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道									600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IRL3302STRR	-	RFQ	1759年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道									20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IAUA250N04S6N008AUMA1	3.3100	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		IAUA250			MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道									40 V	51A（ta）	7V，10V	0.8MOHM @ 100A，10V	3V @ 90µA	109 NC @ 10 V	±20V	7088 PF @ 25 V	-	172W（TC）
IRFH5220TR2PBF	-	RFQ	8042	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-vqfn裸露的垫子					MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道									200 v	3.8A（TA），20A（tc）		99.9MOHM @ 5.8A，10V	5V @ 100µA	30 NC @ 10 V		1380 pf @ 50 V	-
IPD80R2K8CEBTMA1	-	RFQ	3177	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD80R			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道									800 v	1.9A（TC）	10V	2.8ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 120µA	12 nc @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IRGB6B60KPBF	-	RFQ	6312	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRGB6B	标准			90 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，5A，100OHM，15V																			npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
FS650R08A4P2BPSA1	545.4500	RFQ	16	Infineon技术	HybridPack™DC6	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS650R08				20兆	标准	Ag-Hybdc6i-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	16	三相逆变器																						沟渠场停止	750 v	375 a		1.35V @ 15V，375a					1 MA	是的	65 NF @ 50 V
F411MR12W2M1HPB76BPSA1	225.0528	RFQ	5688	Infineon技术	-	托盘	积极的						F411MR							-	rohs3符合条件						18
IPU05N03LA	-	RFQ	5100	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU05N			MOSFET （金属 o化物）			P-TO251-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014903	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道									25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
FF450R17ME7B11BPSA1	296.1700	RFQ	9252	Infineon技术	EconoDual™，Trenchstop™	托盘	积极的		-	底盘安装	模块							标准	ag-econod	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				10	单身的																						沟渠场停止	1700 v	450 a		-						不
IRFS4321TRRPBF	2.4113	RFQ	7339	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS4321			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道									150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
BC850BWH6327XTSA1	0.0521	RFQ	6676	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC850				250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IRG8CH29K10D	-	RFQ	8420	Infineon技术	-	大部分	过时的						IRG8CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
AUIRFS4610	-	RFQ	6402	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522872	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道									100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IKCM15L60GDXKMA1	17.4200	RFQ	245	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期							20 a	600 v	2000vrms
PTF140451E V1	-	RFQ	3738	Infineon技术	Goldmos®	托盘	在sic中停产	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线				1.5GHz	ldmos			H-30265-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			1µA		550 MA	45W	18db														-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²