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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRFR1205TRPBF	1.6500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1205		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IHD06N60RA	-	RFQ	3414	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		88 w			PG-TO252-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，6A，14.7OHM，15V																		沟	600 v	12 a	18 a	1.9V @ 15V，6A	150µJ	42 NC	25NS/125NS
IPD60R380E6ATMA2	-	RFQ	8322	Infineon技术	Coolmos™E6	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 300µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRFC4468ED	-	RFQ	2092	Infineon技术	-	大部分	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1						-
FF600R12KE7PEHPSA1	261.2688	RFQ	9955	Infineon技术	C，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块						标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件						8	半桥逆变器																					沟渠场停止	1200 v	600 a		1.75V @ 15V，600A				100 µA	不	92300 PF @ 25 V
FS10R06VE3B2BOMA1	-	RFQ	7436	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS10R06			50 W		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	三相逆变器																					-	600 v	16 a		2V @ 15V，10a				1 MA	是的	550 pf @ 25 V
IPI80N06S208AKSA1	-	RFQ	5550	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 pf @ 25 V	-	215W（TC）
IPD06P005NATMA1	-	RFQ	7630	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001727872	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			60 V	6.5A（TC）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	4V @ 270µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
IRG4BC10	-	RFQ	1212	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		38 w			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC10	Ear99	8541.29.0095	50				480V，8A，100OHM，15V																		-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	140µJ（在）上，2.58MJ off）	15 NC	25NS/630NS
IRF7821TR	-	RFQ	5034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BCR 148T E6327	-	RFQ	2144	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 148			250兆			PG-SC-75	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	70 MA						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100 MHz	47科姆斯	47科姆斯
IPB020N04NGATMA1	3.0800	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB020		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	140a（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	120 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 20 V	-	167W（TC）
irlu7843pbf	0.8618	RFQ	8436	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU7843		MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
BSZ088N03MSGATMA1	-	RFQ	1768年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ088		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
AUIRFP2907	-	RFQ	2978	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001516710	Ear99	8541.29.0095	400		n通道			75 v	90A（TC）	10V	4.5MOHM @ 125A，10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 25 V	-	470W（TC）
IRF3708SPBF	-	RFQ	4913	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IPB033N10N5LFATMA1	6.8900	RFQ	6328	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB033		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			100 v	120A（TC）	10V	3.3MOHM @ 100A，10V	4.1V @ 150µA	102 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 50 V	-	179W（TC）
IGW40N60TP	1.2800	RFQ	360	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		246 w			pg-to247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，40a，10.1Ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
IRF9Z34NSPBF	-	RFQ	9049	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道			55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IPI200N25N3GAKSA1	-	RFQ	8746	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI200		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			250 v	64A（TC）	10V	20mohm @ 64a，10v	4V @ 270µA	86 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
T880N16TOFXPSA1	167.7700	RFQ	6	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	DO-200AB，B-PUK	T880N16				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	6			300 MA												1.8 kV	1750 a	2.2 v	17500A @ 50Hz	250 MA	880 a	1 scr
IPP80CN10NGXKSA1	0.4600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-123	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道			100 v	13A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
IRL3303pbf	-	RFQ	9745	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
auirfs4010-7trl	4.4141	RFQ	4085	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518838	Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V		9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
FZ600R17KE4HOSA1	213.7400	RFQ	7963	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ600R17			3350 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																					沟渠场停止	1700 v	1200 a		2.3V @ 15V，600A				1 MA	不	49 NF @ 25 V
SPD02N50C3BTMA1	-	RFQ	5255	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD02N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-311	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			500 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SPI11N60S5BKSA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
FF300R07ME4B11BOSA1	147.0800	RFQ	5	Infineon技术	EconoDual™3	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R07			1100 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																					沟渠场停止	650 v	390 a		1.95V @ 15V，300A				1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
IPP086N10N3G	0.5200	RFQ	3879	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	150		n通道			100 v	80A（TC）	6V，10V	8.6mohm @ 73a，10v	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
IRF9310pbf	-	RFQ	8118	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566550	Ear99	8541.29.0095	95		P通道			30 V	20A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.4V @ 100µA	165 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²